在讨论电源产品效率的提升时，我们常常谈到的微小百分比增长，可能听起来并不引人注目。然而，这些微小的改进在实际应用中却能带来显著的效益。 ...

东芝的IEGT本质上可以理解为一种增强型的IGBT。因为1993年东芝基于注入增强（Injection Enhanced）结构IGBT注册了IEGT这个专利名称，所以此后东芝此类型的IGBT产品都称为IEGT…… ...

根据第三方机构Yole Group报告，电动汽车中牵引逆变器对功率的要求最高，其中用到的碳化硅、IGBT晶圆数也最大，如果对电动车的功率器件进行细分，可以看到全碳化硅模块占比高达90%以上…… ...

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研究人员通过材料表征，对其进行了迁移率和可靠性测试，证明了该材料体系可以大大提升器件的可靠性，同时不过度损失In2O3的本征迁移率…… ...

英飞凌日前宣布其位于马来西亚的新晶圆厂一期项目正式启动运营，将重点生产碳化硅功率半导体，并涵盖氮化镓外延的生产。二期项目建成投产后，有望成为全球规模最大且最高效的200毫米碳化硅功率半导体晶圆厂。 ...

PSV-RDAD-65USB参考设计将Pulsiv OSMIUM技术与行业标准的准谐振反激变换器和高度优化、超紧凑的磁性组件相结合。它能大幅降低工作温度、尽量减小损耗并缩小尺寸，引领了一系列突破功率转换现有边界的设计，旨在打造一个可持续的USB-C标准平台…… ...

能量采集是低功耗电子设备供电技术发展的基本支柱，为实现对环境影响最小的可持续技术的未来铺平了道路。 ...

英飞凌科技（Infineon Technologies）在马来西亚居林（Kulim）的新工厂（3号工厂）一期项目正式开业，标志着全球最大的200毫米碳化硅功率半导体晶圆厂的诞生。 ...

英诺赛科对英飞凌提起的专利侵权指控做出回应，强调自身在氮化镓领域的全球领先地位和自主知识产权，认为对方的诉讼是竞争手段。 ...

与市场上同类产品相比，采用德州仪器专有的MagPack集成磁性封装技术的电源模块产品，尺寸缩小了多达23%，有效提升了功率密度、提高效率并降低EMI。 ...

英飞凌科技对英诺赛科发起了337调查申请，指控英诺赛科侵犯了其多项专利权，并寻求在美国市场永久禁止进口和销售英诺赛科的相关产品。 ...

BelGaN，这家曾雄心勃勃的欧洲氮化镓汽车半导体代工厂，却在近期申请了破产。拥有30多年历史的公司，曾是汽车半导体生产领域的佼佼者，如今却面临财务困境，不得不寻求破产保护，令人唏嘘。 ...

伴随香港第三代半导体氮化镓GaN外延片中试线的启动，香港科技园公司与麻省光子技术的合作标志着香港在微电子产业和新型工业化道路上的重要进展。这一视觉呈现象征着香港在半导体领域的雄心与未来潜力，展现了科技创新与产业升级的愿景。 ...

电动车服务设备（EVSE）可帮助电网向电动车安全供电。这是一个用于创建高效可靠的电动车充电站的全面解决方案。 ...

在这份榜单中，国家电网有限公司以5459亿美元的营收连续多年稳居榜首，而京东集团则以卓越的表现成为排名最高的大陆民营企业。 ...

将PMSM电机与多电平逆变器和门控电路集成可显著改善电动汽车的行驶工况性能。多电平逆变器和门控电路具有多种优势，包括提高效率、降低EMI和改善电能质量。 ...

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电动汽车的核心部件是为车轮提供机械动力和转矩的电机。 ...

CoolGaN™ BDS拥有出色的软开关和硬开关性能，提供40 V、650 V 和 850 V电压双向开关，适用于移动设备USB端口、电池管理系统、逆变器和整流器等。CoolGaN™ Smart Sense 产品具有无损电流检测功能，简化了设计并进一步降低了功率损耗，同时将各种晶体管开关功能集成到一个封装中，适用于消费类USB-C 充电器和适配器。 ...

关于英诺赛科与宜普公司的两项包括氮化镓技术在内的专利侵权案有了最终判决。美国国际贸易委员会的裁定结果是，英诺赛科侵权宜普公司的其中一项专利。 不过英诺赛科并不同意该判决，判决中提到的英诺赛科侵权EPC的294专利 ，英诺赛科认为，EPC的294专利是无效的。 ...

BLDC的应用持续增长，主要市场驱动力来自于以下几个方面：工业类电机应用节能指令提出了新要求；印度对于吊扇应用，致力于实现50%的节能目标；越来越多设备的终端客户，希望有更好的使用体验。 ...

格芯此次收购Tagore的氮化镓技术及IP，正是瞄准了市场对高效能源管理不断增长的需求。 ...

为了满足对高效功率半导体日益增长的长期需求，近日，安世半导体宣布计划在德国汉堡市(Hamburg)投资 2 亿美元（约 1.84 亿欧元）研发碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等下一代宽禁带半导体（WBG），并在汉堡工厂建立生产基础设施，同时，还将提高硅（Si）二极管和晶体管的晶圆厂产能。公告表示，从2024年6月起，安世半导体的SiC、GaN和Si这三种技术都将在德国开发和生产。 ...

TI全新的DRV7308 GaN IPM可实现99%以上的逆变器效率，能够优化声学性能、缩减解决方案尺寸并降低系统成本，解决了工程师在设计大型家用电器和HVAC系统时通常面临的许多设计和性能折衷问题。 ...