5G通信的建设给通信电源厂商带来了商机，同时也给设计者带来了更多的挑战。本文首先对这些新的要求和挑战进行了分析，然后以相关产品为例对如何应对这些挑战进行了详细的叙述。 ...

EVSE是电动出行更为复杂的基础架构的一部分，将来会插入智能配电网络（即智能电网）中，以实现“插入”设备（实际上包括EV和PHEV）的充电。目前，电动出行和WBG器件已经找到了一种相互契合的方式。一方面，EV和EVSE需要具有高功率密度、高性能和小尺寸的新型功率器件。另一方面，WBG也正在寻求合适的契机大规模渗透市场。 ...

研究显示，全球市场的碳化硅（SiC）及氮化镓（GaN）等第三代半导体材料功率半导体芯片市场应用量是约3亿多美金，硅材料功率半导体芯片市场应用量超过200亿美金。对此，民进中央拟提交“关于推动中国功率半导体产业科学发展的提案”…… ...

5月13日晚，特斯拉国内数位车主发微博称，特斯拉App大面积宕机，致使手机无法与车链接，手机钥匙失效，导致无法获取车辆信息、无法点亮车内仪表盘、中控屏。多车主处于“盲开”状态。直到当晚十一点半左右，也就是宕机发生4个多小时后，特斯拉官方做出回复，已经修复完成…… ...

5月12日据中国裁判文书网资料显示，广东省高级人民法院宣布维持原判，认定宁波奥胜贸易有限公司（原宁波奥克斯空调有限公司）恶意侵权成立，判决后者向珠海格力电器股份有限公司赔偿4000万元。这意味着历时3年多的格力诉奥克斯侵犯专利权一案终于尘埃落定。 ...

新型冠状病毒肺炎还在美国国内肆虐，特朗普政府却考虑对对中国采取更激进的经济措施，来转移国内矛盾。五月初，特朗普签署了一项行政命令，宣布全国进入紧急状态，并责成美国政府排查大容量电力系统中的安全风险、监控或替换那些采购于不可信任国家，或外国对手控制供应商的设备。虽然没有说，但这里的外国指的就是中国……（首图自pxhere） ...

Cree推出了首款商用900V SiC功率MOSFET，而且于近期宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET产品组合；Microchip和ROHM均已发布了新的SiC MOSFET和二极管；英飞凌在2017年底推出了氮化镓器件，今年二月推出了八款650V CoolSiC MOSFET器件；另外，意法半导体和安森美半导体在WBG宽带隙半导体材料方面也有相关投资；ADI公司已经生产出用于高频应用的GaN器件，并相信这种材料将有助于设计人员减小尺寸和重量，同时实现更高的效率和扩展带宽...... 可以看出各大厂商在SiC或GaN宽带隙半导体材料均有所布局和有着自己的发展策略。 ...

如今，新的复杂业务模型正采用基于云的平台，通过省去内部数据中心，以提高效率，减少资本支出（CAPEX）和运营支出（OPEX）。采用云存储和基于云的服务代表一个真正的大趋势，近几年不仅在大型企业越来越流行，而且在中小型企业（SMB）中所占比例也显著增加。除了少数企业出于性能、可靠性或网络和数据安全原因而需要保留内部数据中心，大多数企业将持续这趋势。 ...

4月16日，英飞凌科技股份公司宣布完成对赛普拉斯半导体公司的收购。总部位于圣何塞的赛普拉斯即日起将正式并入英飞凌。收购完成后，英飞凌将成为全球十大半导体制造商之一。 ...

4月14日晚间，比亚迪发布关于全资子公司重组并拟引入战略投资者的公告，宣布近期通过下属子公司间股权转让、业务划转完成对全资子公司比亚迪微电子（现已更名为比亚迪半导体有限公司）的公司内重组。作为国内新能源汽车产销大户，比亚迪此举有意发挥其在IGBT领域的优势地位，未来作为独立厂商对外供货，直接将其IGBT的市场份额引上高位…… ...

氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性：氮化镓晶体管的极小寄生参数，极快开关速度使其特别适合高频应用。碳化硅MOSFET的易驱动，高可靠等特性使其适合于高性能开关电源中。本文基于英飞凌科技有限公司的氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET产品，对他们的结构，特性，两者的应用差异等方面进行了详细的介绍。 ...

无线电力传输（WPT）可以直接为设备（如LED灯或电视）供电，只需简单地将设备放在充电板上即可。无线电力传输技术的发展支撑着电子设备的未来，从消费电子到汽车电子，其应用范围十分广泛，机遇无限。 ...

不久前，人们认为SiC和GaN器件的应用相当困难。但2018年，这些技术的优势开始应用到现实生活中。SiC和GaN被称为“宽带隙半导体”（WBG），WBG器件作为一种新型工具解决了功率器件设计师在这个以“效率”为口号的时代所面临的问题，这将直接给市场带来巨大冲击。 ...

3月25日晚间，闻泰科技发布公告，公司拟发行股份及支付现金分别收购合肥裕芯的4名股东之上层出资人的有关权益份额，此举意味着闻泰科技将拿下安世集团剩余股份。本次交易前，268.54亿元收购安世集团74.46%股份让闻泰科技在并购市场一战成名，跨入半导体行列，并间接持有安世集团的控制权…… ...

据闻泰科技官方网站，安世半导体（Nexperia）对外宣布其首席执行官Frans Scheper已决定提前退休，并将在2020年3月25日卸任首席执行官兼董事会成员。同时，现任Nexperia董事会主席的张学政将担任首席执行官…… ...

未来十年，人们对汽车电源和服务器电源的思考方式将发生变化。iPhone于2007年问世，这仅发生在12年前，而现在已没人能够想象生活中没有这台设备了。整个汽车行业在未来十年将发生相同的事情—人们将无法想象还开着燃油车的样子，而会看到向电动汽车和自动驾驶的重大转变。 ...

IEEE 802.3bt标准支持设计人员向受电设备提供更高的功率以及更多通用的能源选择。本文解释了为什么在无线世界中进行有线连接可以增强安全性、提高可预测性和可靠性的原因。此外，本文还向读者介绍了设计802.3bt PD时要考虑的一些要点，以避免潜在的缺陷，从而使最终设计的系统稳定可靠。最后，为了更好地设计802.3bt PD，向设计人员演示了适当的测试方法。 ...

深圳比亚迪微电子有限公司新增对外投资，成立长沙比亚迪半导体有限公司，前者持股100%。长沙比亚迪半导体有限公司注册资本2000万元，法定代表人为陈刚，经营范围为…… ...

从管脚的识别，到极性的分辨，再到常用功能，应用电路等等，都做了详细的解释与说明，还配了相关的图片。绝对能让你彻底理解MOS管，不可多得的学习资料，赶快收藏！ ...

SiC的性能潜力无可争议。目前要应对的主要挑战是确定哪种设计方法在应用中获得最大的成功。CoolSiC MOSFET在开关操作和损耗方面拥有出色性能。其中一个亮点是能够利用零栅偏压关断器件，这使得碳化硅晶体管设计概念成为目前唯一真正的“正常关断”器件。 ...

从英特尔首发22nm FinFET工艺之后，全球主要的半导体厂商在22/16/14nm节点开始启用FinFET鳍式晶体管，一直用到现在的7nm，未来5nm、4nm也会用FinFET。但是进入3nm节点需要新型晶体管，三星已经宣布改用GAA环绕栅极晶体管，中国科学家日前在这一领域也有突破…… ...

半导体材料目前经历了三个发展阶段，第一代的硅（Si）、锗（Ge）；第二代开始由2种以上元素组成化合物半导体，如砷化镓（GaAs）、磷化铟 (InP)；以及第三代的碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带材料。由于宽禁带半导体材料可实现更优的导热性、更高的开关速率、更低导通电阻以及更小的器件物理尺寸，传统巨头近年纷纷加码该领域，而有的公司却在20年前就开始布局…… ...

从电子科技大学获悉，九三学社社员、中国科学院院士、电子科技大学教授、“中国功率器件领路人”陈星弼因病医治无效，于12月4日17时10分在四川成都逝世，享年89岁。他是国际上首个提出超结耐压层理论的科学家，他的超结（Super Junction）发明专利打破传统“硅极限”，被国际学术界誉为“高压功率器件新的里程碑”…… ...

智能高低边开关是一种保护电子电路免受电击穿破坏（异常时的过电流）的元器件。与以往保护用的保险丝不同，它能利用半导体技术，内置保护电路和能量吸收电路，及时出现异常的电能（异常时的过电流）也不会损坏。可在不损坏或劣化的前提下保护电路，因此也被称为半导体保险丝，非常有助于构建免维护的系统…… ...

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