近日，富士康宣布以9000多万美元收购一家晶圆制造厂，在全球芯片供应空前紧张的情况下深化芯片业务。通过这项交易，富士康将能够切入生产正迅速成为电动汽车行业领先技术的半导体产品。 ...

电力电子技术中，器件、驱动、拓扑，以及系统，是不可分割的整体，需要深层次配合，才能够相得益彰，获得优异的电力电子系统整体性能。对于特高压输电系统之类的超大型电力电子系统而言，安全可靠长期运行是第一位的，成本价格还在其次。因此，在选择器件的时候，首先要考虑可靠性有保障的器件。 ...

以碳化硅为代表的第三代半导体是支撑新能源汽车发展的关键技术之一。其中碳化硅功率模块是新能源汽车电机驱动系统的关键部件，具备耐高压、耐高温、高开关频率、低开关损耗等特点，对整车的主要技术指标和整体性能有着重要影响。 ...

Tesla S Plaid在最大功率时充电效率高达每小时936英里，而Long Range则达到了每小时972英里，尽管这样的高功率在实际充电时只持续5分钟。 ...

功率耗散和温度耗散是嵌入式电机控制应用中一直存在的挑战。汽车执行器的增长以及对减少二氧化碳排放和重量的追求，推动着该领域的集成度和性能密度不断提高。降低功率耗散和提高散热的目标必须通过结合众多适当的措施来实现。 ...

随着电源要求、法规管制以及效率标准和EMI要求的日趋严格，电源越来越需要采用开关功率器件，因为开关功率器件效率更高且工作范围更宽。与此同时，设计人员持续承受着降低成本和节省空间的压力，面对这些需求，需要替代经典硅 (Si) 基 MOSFET 的产品。碳化硅 (SiC) 现已成熟并发展到第三代，已经成为一种明智的选择。本文对Si和SiC进行了简要比较，介绍了Cree/Wolfspeed的SiC器件示例，并说明了如何使用此类器件进行设计。 ...

在充分了解GaN晶体管栅极驱动电路后，可以相对轻松地实现GaN晶体管并联配置应用。其中最大的挑战来自于具体应用的高功率和高开关频率，而这些正是许多工程师采用现有硅器件时所从未经历过的。通过遵循良好PCB布局基本规则，在栅极和开尔文源极路径中使用共模电感，并平衡不同晶体管之间的电流，有助于最大程度地减小电压振荡。 ...

宽带隙半导体技术将在功率转换和能效的未来发展中发挥巨大的作用。与同等硅产品相比，SiC 开关更小，更快，效率更高。这些技术广泛用于各种应用中，从电动汽车到光伏材料。因此，使用正确的工具测试这些技术变得非常重要，这样设计人员才能正确设计、开发及整合到最终应用中。 ...

2019年6月，东风公司与中国中车两大央企在武汉合资成立智新半导体有限公司，旨在实现IGBT核心资源自主掌控。2021年7月7日，华中地区首只量产的车规级IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块产品从智新半导体模块封装工厂下线，此次投产的IGBT模块，具有良好的散热性和抗电磁干扰性，能够满足车规级产品的高可靠性要求…… ...

近日，东莞市天域半导体科技有限公司发生工商变更，新增股东华为关联投资机构深圳哈勃科技投资合伙企业（有限合伙）等；注册资本由约9027万增至约9770万，增幅超8%。在第三代半导体领域的布局上，此前华为旗下的哈勃科技投资了4家第三代半导体产业链公司，除了东莞天域，还有山东天岳、天科合达、瀚天天成…… ...

对电源和电池进行测试，需要使用能够吸收大电流并能消耗大量功率的电流负载。如果要使电路能够吸收大电流或消耗数十瓦的功率，则可以使用一个运算放大器来对多个并联工作的MOSFET进行控制。但是，简单地并联MOSFET会产生不良影响。 ...

本设计实例中的电路提供的欠压保护功能(UVP)可防止许多种类的可充电电池可能因深度放电而损坏，并可用作负载开关。这种电路几乎不用任何修改就可以适用于电压从4.5V至19V的几乎所有类型电池。电路的待机电流小于1µA。 ...

前不久，我们前往英飞凌无锡工厂作了参观——这家工厂应该是半导体制造工厂中比较具有代表性的一家现代化工厂了。当然不同的制造厂，由于行业或分工的差异，要实现的现代化特点还是有较大不同的。本文我们期望藉由英飞凌无锡工厂，来看看这两年的现代化工厂，走在前沿的市场参与者已经发展成了何种样貌…… ...

日前网络有爆料称，3月起，宁德时代就下令强制经理级别员工购买Model 3，并称强制员工购买的这批车型是因为电池“有问题”，特斯拉退回给宁德时代的。对此，宁德时代第一时间予以否认，相关负责人回应“（这批车）没有质量问题，也没有强制购买。” ...

国务院国资委日前向全社会发布《中央企业科技创新成果推荐目录（2020年版）》，其中包括核心电子元器件、关键零部件、分析测试仪器、基础软件、关键材料、先进工艺、高端装备以及其他等8个领域共178项技术产品。 ...

SEMI发布最新《全球8吋晶圆厂展望报告》(Global 200mm Fab Outlook)显示，为克服芯片短缺的问题，半导体业扩大资本支出，8吋（200mm）晶圆厂的产能将持续增加，到2024年时全球预计增加22座8吋厂，产能提高到95万片。 ...

SGS率先采用单片集成Bipolar-CMOS-DMOS器件（BCD）的超级集成硅栅极工艺，解决复杂的、大功率需求的应用设计难题。首个BCD超级集成电路L6202可以控制最高60V/5A的功率，开关频率300kHz。随后的汽车、计算机和工业自动化广泛采用了这项工艺技术，让芯片设计人员能够灵活、可靠地单片集成功率、模拟和数字信号处理电路。 ...

EDN之前的一篇设计实例文章介绍了一个其瞬时按钮可以像机械闭锁开关一样工作的相对简单的电路，有读者追问是否有可能将电路调整为交叉耦合电路，其中的两个开关可以互相“抵消”;或者“时间延迟”电路，其电路将在预定时间关断。本文将尝试实现这些电路。 ...

近日，泉州市市场监督管理局发布了一份“2020年第四季度泉州市流通领域手机电源适配器抽检结果”，其中有不少国内大牌出现了抽检不合格的情况，包括华为和OPPO。事后华为出面澄清，市场监督管理局也将不合格产品定义为山寨产品…… ...

本文将详细介绍转换器的工作原理，它将单个电感器与以非连续导通模式（DCM）工作的反相电荷泵结合起来。与接地参考升压控制器配合使用，可以以较低的系统成本产生较大的负输出电压。该转换器提供小型单电感器解决方案，用于产生较大的负电压。此外，它允许使用低成本接地参考升压控制器来驱动N沟道FET。 ...

2021年5月14日，第十一届松山湖中国 IC 创新高峰论坛在东莞松山湖凯悦酒店成功举办。该论坛已成功举办十届，每年都会都会带来8-10款国产芯片，共计推介54家公司。从2012年至2020年共推介芯片79款，量产72款，总量产率达到91%。在推介公司中共11家成功上市，28家获得融资，3家正在上市进程中，6家获得大基金投资，4家被并购。 ...

高频开关等宽带隙半导体能帮助实现更高功率转换效率。SiC FET就是一个例子，它由一个SiC JFET和一个硅MOSFET以共源共栅方式构成。本文追溯了SiC FET的起源和发展，直至最新一代产品，并将其性能与替代技术进行了比较。 ...

5月11日晚，比亚迪发布公告称，同意将控股子公司比亚迪半导体分拆至深圳证券交易所创业板上市。本次分拆完成后，比亚迪股权结构不会因本次分拆而发生变化，且仍将维持对比亚迪半导体的控制权…… ...

SiC MOSFET除了因材料天然特性的关系有较高的崩溃电场，另一个优于Si MOSFET是高速且低开关损耗，其关键因素在于低的导通电阻，因此如何了解信道的离子布植分布状况以降低表面电阻是获得低导通电阻相当重要的一环。 ...

近年来，中国厨房小家电、生活小家电以及个人护理等小家电产品深受欧美市场的喜爱。海关总署日前发布的数据显示，今年一季度，中国出口机电产品2.78万亿元，同比增长43%，占出口总值的60.3%，预计今年下半年海外订单将会持续火爆。但是受芯片以及原材料价格等多因素影响，尤其是微控制芯片（MCU）的短缺，直接影响了小家电企业的正常生产和按时交付…… ...