针对快速增长的车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、电池充电(快速 DC 和工业)和 IT/服务器电源应用，Qorvo今日宣布推出7款采用表贴D2PAK-7L封装的750V碳化硅(SiC)FET。 ...

在新能源汽车领域，2022年国家及各部委接连出台了多项扶持政策，比如乘用车购置税减半、新能源汽车下乡活动等，以进一步扩大新能源汽车推广规模，推进双碳目标。在市场与政策双轮驱动下，车规级IGBT供需失衡，价格飙涨，也进一步助推车规级IGBT企业业绩大涨。 ...

目前，中国汽车芯片产业创新战略联盟已制定并发布汽车芯片标准体系内的15项标准，涉及汽车控制芯片、通信芯片、功率半导体的一般要求、可靠性、功能安全、系统匹配试验、整车匹配试验等多个领域。 ...

如今新能源汽车市场已成为宽禁带功率器件市场兴奋的源泉，被认为是重塑碳化硅和氮化镓(GaN)等新型功率半导体的关键。不过，当前碳化硅或氮化镓等第三代半导体功率器件虽然在车载充电器(OBC)中已经得到了广泛应用，在电驱中也逐步有车厂开始大规模采用，但还未能大规模普及。原因主要有碳化硅衬底制造难度大、器件成本相对较高以及产品的稳定性和可靠性待验证…… ...

2022年4月，彭博社一篇题为《“空气比北京还差”不再算是羞辱》的报导向西方展示了一个事实，北京的天空已不再常有雾霾相伴。此时回望2013年国务院“大气十条”提出要调整能源结构、增加清洁能源供应，之后中国与世界各国一起促成了《巴黎气候协定》，以及人人耳熟能详的“碳达峰”“碳中和”，再看看从西电东输再到东数西算，可以说中国新能源的势头正在持续增强。 ...

近日，有第三方机构对小米12S Ultra进行了拆解，并统计了其造价成本，硬件造价综合接近3500元。再折合上其与徕卡联名、宣发费用、研发、仓储等一系列费用，无论是与iPhone 13 Pro Max，还是华为Mate 40 Pro相比，小米12S Ultra的利润率可能真的不高…… ...

目前来看，汽车芯片紧张不会是短期的市场发展趋势，基于新能源汽车为芯片带来的蓝海市场，以及汽车智能化趋势明显，未来两年内，汽车芯片仍将处于紧缺的发展态势。博世集团很早就意识到芯片日益增长的重要性，并在当天宣布将进一步投资30亿欧元，以加强自身的半导体业务。 ...

碳化硅产品在新能源车主驱模块中性能表现优异，能够提升电池续航能力并大幅节约成本，特斯拉、蔚来等车厂的高端车型已应用碳化硅产品，且未来将有更多车型采用。公司化合物半导体逐步进入放量窗口期，未来成长动能充沛。  ...

现代通信系统中，数字预失真已逐渐成为一项关键技术，这在基站数量成倍增加的5G系统中更为凸显。本文介绍数字预失真的数学基础知识、阐述了现代通信系统需要数字预失真的必然性、并探讨了数字预失真的数学建模及其硬件物理实现方法。 ...

6月30日，蓉矽半导体以“线下发布会+线上同步直播”的形式，举办了“芯见未来”产品发布会，发布了他们自主开发的NovuSiC® EJBS™和理想硅基MCR®二极管系列，充分展示了蓉矽独立自主研发能力和产品实力。 ...

6月30日，蓉矽半导体以“线下发布会+线上同步直播”的形式，举办了“芯见未来”产品发布会，发布了他们自主开发的NovuSiC® EJBS™和理想硅基MCR®二极管系列，充分展示了蓉矽独立自主研发能力和产品实力。 ...

在6月23日Aspencore于西安举办的射频与微波技术及应用研讨会上，来自国内外射频领域的数十家厂商的嘉宾针对通信、物联网、航空航天、汽车电子等相关市场，分享了各自最新的射频技术/产品，以及先进的测试测量技术方案，与来自企业、研究所、高校等与会观众们进行了热烈的探讨。 ...

​成都蓉矽半导体具有自主知识产权的1200V碳化硅二极管产品“NovuSiC® EJBS™”系列已经实现量产，蓉矽半导体通过器件结构与工艺优化，获得了有超低漏电（2μA）且抗浪涌电流能力等同MPS的碳化硅JBS，称之为“EJBS™”  (Enhanced Junction Barrier Schottky Diode)。 ...

该功率堆栈结合了CISSOID的1200V SiC智能功率模块和Advanced Conversion的6组低ESR/ESL直流支撑（DC-Link）电容器，可进一步与控制器板和液体冷却器集成，为电机驱动器的高功率密度和高效率SiC逆变器…… ...

随着“双碳”“减排”越来越受重视，作为耗电大户的电机控制系统应用正朝着高效化、高频化、小型化、智能化方向发展，受可靠性、可维护性、用户体验影响，BLDC、PMSM无刷电机将持续替换有刷电机，未来市占率将进一步提升。 ...

锴威特自2018年下半年开始研发SiC功率器件，积极布局第三代半导体。通过对SiC器件的结构设计和生产工艺进行不断探索和研发投入，公司取得了一定的研发成果，掌握了“短沟道碳化硅MOSFET器件系列产品沟道控制及其制造技术”等核心技术。 ...

本轮融资将用于进一步推动碳化硅功率器件的研发进度以及制造基地的建设，着力加强在新能源汽车及光伏发电领域的市场拓展，确保基本半导体在国产碳化硅器件领域的领先地位。 ...

由于供应链短缺，汽车制造商在2021年损失了近3000亿美元的收入，而自疫情开始以来的损失超过5000亿美元。全球70%的主要汽车制造商曾在2021年宣布暂停生产线，其中45%的制造商特别提到了供应链问题。半导体库存水平在两年内下降了43%，跌至10多年来的最低点。 ...

在高功率器件领域，宽带隙氮化镓器件的应用正在日益增长。但通常这指的都是横向氮化镓结构。而如今，电压更高、电流更大以及开关速度更快的垂直氮化镓已经问世。关于垂直氮化镓技术的进展和应用，且听本期精英访谈中资深专家的介绍….. ...

英国政府日前决定，将对安世半导体公司(Nexperia) 收购英国最大芯片生产商Newport Wafer Fab（简称“NWF”）的收购案进行重新审查评估。英国商务大臣Kwasi Kwarteng在推特中表示，这场收购案已被要求进行全面的国家安全评估。 ...

氧化镓是一种新型超宽禁带半导体材料，与碳化硅3.25eV、氮化镓3.4eV的带隙相比，氧化镓分为α、β、γ、δ和ε五种结晶形态，其中最为稳定的是β-氧化镓，其次是ε和α，目前大部分研究和开发也是针对禁带宽度在4.7eV和4.9eV之间的β-氧化镓进行。而且β-氧化镓的生长速率快于碳化硅和氮化镓，衬底工艺也相对较简单。 ...

从8英寸（200mm）迈向12英寸（300mm）晶圆生产是当前的主流趋势。5月17日，瑞萨电子将投资900亿日元重新恢复2014年10月关闭的甲府工厂，重新开始功率半导体专用的300mm（12英寸）生产线。近日安森美已经停止深圳工厂接受绝缘栅双极晶体管(IGBT)订单响了功率半导体产能紧缺的警报...... ...

针对中高压逆变器应用的门极驱动板SCALE EV系列获得ASIL B级认证，针对英飞凌EconoDUAL功率模块，适用于电动汽车、混合动力和燃料电池汽车（包括巴士和卡车），以及建筑、采矿和农用设备的大功率汽车和牵引逆变器。 ...

Qorvo新一代1200V碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)系列具有出色的导通电阻特性，非常适用于主流的800V总线架构，这种架构常见于电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC/DC太阳能逆变器、焊接机、不间断电源和感应加热等应用。 ...

快充芯片专业厂商希荻微电子(Halo Microelectronics)，推出了适用于大容量锂电池快充的电荷泵芯片HL7139。HL7139芯片的最大充电电流可达7A，HL7139还支持两颗芯片并联使用，最大充电电流可达7A x 2 =14A，能够满足用户对大容量锂电池上实现更快速高效的充电需求。 ...