路维光电募投项目会进一步将半导体掩膜版量产能力提升至130nm制程节点，并立足于自主研发、突破半导体掩膜版制造中的精度控制、缺陷控制等关键技术，将半导体掩膜版制作技术进一步推进至110nm/90nm/65nm等制程节点。 ...

成都氮矽科技有限公司(以下简称氮矽科技)成立于2019年，位于成都市高新区，是国内首批成立的氮化镓设计公司，致力于打造属于中国的氮化镓国际一流品牌。氮矽科技主要研发基于第三代半导体材料氮化镓（GaN）的芯片，专注于氮化镓功率器件及其驱动芯片的设计研发、销售及方案提供，并通过国内首款独立研发与制作的GaN Power IC实现氮化镓在电力电子领域的革命。 ...

今年的Silicon100包括了2013年至2020年间成立的公司，但其中50%的公司成立时间在2016年或2017年——那两年半导体新创公司成立势头最为强劲。中国新入榜的有6家公司，包括2家总部在上海、1家在深圳和1家在成都的Fabless；以及两家拥有生产线的公司，分别位于珠海和合肥…… ...

2023 财年第一季度收入达到 2.03 亿欧元，与基于报告期账面财务数据相比增长 12%，按固定汇率及固定周期计算增长 6%。这得益于移动通信业务的持续增长以及汽车和工业业务强劲增长的推动。2023 财年指导预测确认：按固定汇率和固定周期计算，收入预计增长约 20%，EBITDA[1]利润率[2]预计增长约 36%…… ...

RF-SOI之所以能够取得如此巨大的成功，主要是由于RF-SOI衬底具备极优的表面均匀性(surface uniformity）、极高的耐久性(high ruggedness)、可靠的高电阻率以及无缺陷性(defect free) ...

Soitec 采用 KLA 检测设备为 SOI 晶圆取得了卓越的成果。基于此，Soitec 进一步拓展与 KLA 的合作，在其 SmartSiC™ 晶圆上采用了 KLA 的 Surfscan® SP A2 无图案晶圆检测系统。 ...

如今新能源汽车市场已成为宽禁带功率器件市场兴奋的源泉，被认为是重塑碳化硅和氮化镓(GaN)等新型功率半导体的关键。不过，当前碳化硅或氮化镓等第三代半导体功率器件虽然在车载充电器(OBC)中已经得到了广泛应用，在电驱中也逐步有车厂开始大规模采用，但还未能大规模普及。原因主要有碳化硅衬底制造难度大、器件成本相对较高以及产品的稳定性和可靠性待验证…… ...

针对平面结构IGZO-DRAM的密度问题，中科院微电子所重点实验室刘明院士团队与华为海思团队联合在2021年IEDM国际大会报道的垂直环形沟道结构（Channel-All-Around, CAA）IGZO FET 的基础上，再次成功将器件的关键尺寸（CD）微缩至50 nm。 ...

6月30日，蓉矽半导体以“线下发布会+线上同步直播”的形式，举办了“芯见未来”产品发布会，发布了他们自主开发的NovuSiC® EJBS™和理想硅基MCR®二极管系列，充分展示了蓉矽独立自主研发能力和产品实力。 ...

梁骏吾院士从事半导体材料科学研究工作六十多年，是我国早期半导体硅材料的奠基人。他先后从事高纯区熔硅单晶、砷化镓液相外延、硅气相外延、SiO2隔离膜生长和多晶硅生长的研究，大规模集成电路用硅单晶、掺氮中子嬗变硅单晶、超高速电路用外延技术、MOCVD AlGaAs/GaAs量子阱材料及半导体中杂质与缺陷的行为，SiC外延生长和GaN基材料的生长…… ...

在6月23日Aspencore于西安举办的射频与微波技术及应用研讨会上，来自国内外射频领域的数十家厂商的嘉宾针对通信、物联网、航空航天、汽车电子等相关市场，分享了各自最新的射频技术/产品，以及先进的测试测量技术方案，与来自企业、研究所、高校等与会观众们进行了热烈的探讨。 ...

该功率堆栈结合了CISSOID的1200V SiC智能功率模块和Advanced Conversion的6组低ESR/ESL直流支撑（DC-Link）电容器，可进一步与控制器板和液体冷却器集成，为电机驱动器的高功率密度和高效率SiC逆变器…… ...

● 2022 财年收入首次突破 10 亿美元，合 8.63 亿欧元，较 2021 财年增长 50%（按汇率不变计） ● 2022 财年 EBITDA[1]利润率[2]为 35.8%，较去年上涨 5.1% ● 营业收入较 2021 财年增长逾一倍，达 1.95 亿欧元 ● 运营现金流较 2021 财年相比增长 46%，达 2.55 亿欧元 ● 在增加投资扩充产能的同时，正自由现金流达 4,200 万欧元 ● 2023 财年收入预计增长约 20%（按汇率不变计），EBITDA[1]利润率[2]预计约 36%。 ...

氧化镓是一种新型超宽禁带半导体材料，与碳化硅3.25eV、氮化镓3.4eV的带隙相比，氧化镓分为α、β、γ、δ和ε五种结晶形态，其中最为稳定的是β-氧化镓，其次是ε和α，目前大部分研究和开发也是针对禁带宽度在4.7eV和4.9eV之间的β-氧化镓进行。而且β-氧化镓的生长速率快于碳化硅和氮化镓，衬底工艺也相对较简单。 ...

稀土永磁电机是70年代初期才出现的一种永磁电机，具有体积小、重量轻、效率高、特性好等一系列优点，目前大部分汽车企业都在采用。其内部关键材料是钕铁硼磁铁，钕元素属于稀土，中国占据了绝大部分产能，有分析认为中国能够以此卡住全球永磁电机，乃至新能源汽车行业的脖子。事实真的如此吗？ ...

Soitec 近日发布了其首款基于独家专利技术 SmartSiC™ 打造的200mm 碳化硅 SmartSiC™ 晶圆，助力提升电力电子设备的性能与电动汽车的能效，这标志着 Soitec 公司的碳化硅产品组合已拓展至 150mm 以上…… ...

截止2024年，全球MEMS器件将达到约200亿颗，这对主攻150mm和200mm晶圆的代工厂来说意味着巨大的商机。在这个活跃的市场中，SOI（绝缘体上硅）晶圆为MEMS技术提供了一种智能解决方案，助力提升器件的工艺效率、良率及稳定性。 ...

2021年11月，柔宇科技欠薪问题开始在网上爆发。2021年10月薪资全额暂停发放，公司承诺将在11月30日补发10月的薪资但并未兑现，12月底收到了11月的工资。而12月以后至今，几个月的薪酬都没有收到，又员工称公司已经口头通知他们，4月起放假三个月…… ...

• 新产线将助力提升公司总体产能，并在后期主要用于 SmartSiC™ 衬底生产 • SmartSiC™ 半导体材料具备卓越的优势，将助力电动汽车与能源市场的创新突破 ...

过去几十年来，晶体管的栅极尺寸在摩尔定律的推动下不断微缩，主流芯片制造商已将其最小特征收缩到仅数十个原子的程度。近年来随着晶体管的物理尺寸进入纳米尺度，“摩尔定律”主导的工艺迭代已经有所放缓，根据信息资源词典系统（IRDS2021）报道，目前主流工业界晶体管的栅极尺寸在12nm以上，许多人认为5nm 会是晶体管栅极的一个极限…… ...

在新能源电动汽车领域，目前动力电池成为发展的瓶颈，不仅其成本占据整车的近1/3，续航也是一大硬伤。即使电池技术不断的改进，依然不能完全满足现在的需求，而新一代固态电池成为目前动力电池的技术攻关方向。目前，有研究显示，新的电池材料为全固态电池的发展提供了希望。 ...

2022北京冬奥会，可能是《电子工程专辑》小编乃至大部分国人第一次全程关注并观看的冬季奥运会，本届运动会上，中国体育代表团勇夺15块奖牌，取得了我国参加冬奥会历史最好成绩。除了运动员们精彩的竞技表演，本届冬奥会还用科技的力量和创新的观念展现了中国力量和浪漫。据介绍，共有212项技术在北京冬奥会上落地应用，涉及60多个细分应用场景，其中有4项技术是全球首次推出…… ...

激光雷达主要是由激光发射器、接收器、处理器以及激光操控模组这四个模块构成。使用激光雷达测距，多用飞行时间法(TOF)。简单来说，就是发射器发射出激光，操控模组控制射出方向，激光会照射到目标物体表面，并瞬间产生反射，反射光束被接收器接收，处理器计算出这束光往返的时间，就能得到这个点的精确距离。当发出无数道光线之后，就可以用无数个点来勾勒物体。 ...

天眼查显示，常州承芯半导体有限公司于1月19日发生工商变更，新增股东包括湖北小米长江产业基金合伙企业（有限合伙）、中国互联网投资基金（有限合伙）等，并且注册资本增至约6.53亿元，增幅约48.98%。 ...

成都岷山功率半导体技术研究院由台积电前高管张帅博士牵头，团队成员包括原IBM半导体微电子部副总裁及前软银资本投资副总裁白杰先、功率半导体国际著名专家张波等，具备将工艺技术、器件结构、版图设计、器件模型开发、产品设计和系统应用完美结合的能力，依托四川省功率半导体技术工程研究中心…… ...