近几年，随着自驾游、户外露营以及应急电源等需求的增长，便携式储能正迎来新的发展风口。胡宗波介绍，便携式储能核心装置是双向逆变器，他也表示，便携式储能正呈现逆变器和充电器合二为一的发展趋势，即双向逆变器PCS，其不仅节省了成本、空间和重量，而且充电功率更大，进一步提升了用户体验。 ...

Qorvo与半导体晶圆制造商SK Siltron CSS今日宣布，双方已签署一份多年期的碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供应协议。 ...

碳化硅解决方案支持以更小、更轻和更高效的电气方案取代飞机的气动和液压系统，为机载交流发电机、执行机构和辅助动力装置（APU）供电。这类解决方案还可以减少这些系统的维护需求。但是…… ...

为了不在供应链和核心技术上受制于人，不少车企开始了自研芯片。据研究公司Gartner预测，到2025年，全球前10名车企中将有50%设计自己的芯片。然而就国内而言，汽车芯片产业创新战略联盟的数据显示，2019年，国内车用芯片的自研率仅有10%，而进口率却超过90%。长城汽车也在近期加入了这波自研潮…… ...

实现更高功率密度的障碍是什么？实际上，热性能是电源管理集成电路 (IC) 在电气方面的附加特性，既无法忽略也不能使用系统级过滤元件“优化”。要缓解系统过热问题，需要在开发过程的每个步骤中进行关键的微调，以便设计能够满足给定尺寸约束下的系统要求。 ...

第三代宽禁带半导体（如碳化硅）已日趋成熟和大规模商业化，并且在几乎所有电力电子领域都以其高效率等卓越性能而正逐步全面取代基于体硅的功率器件。这些超越传统体硅IGBT能力的电力电子应用的重要性体现在两个主要方面：其一，在高功率密度应用中，功率器件本身的发热所导致的温升，使得器件耐温能力的选择和热管理系统的设计尤显重要；其二…… ...

无论是对于 150 mm晶圆还是 200 mm晶圆而言，SmartSiC™ 都是一种更环保、更高效、更出色的技术解决方案，有望成为 SiC 市场的行业标准之一。 ...

iPhone 14 Pro Max的零件成本较去年开卖的iPhone 13 Pro Max暴增逾60美元至501美元。零件成本总额、增加幅度皆为2018年以来最高，制造成本的上涨，意味着苹果的利润率可能下滑。另根据最新公布的苹果2021会计年度供应名单，新增大陆供应商七家，剔除六家；新增台湾厂商三家，剔除7家…… ...

路维光电募投项目会进一步将半导体掩膜版量产能力提升至130nm制程节点，并立足于自主研发、突破半导体掩膜版制造中的精度控制、缺陷控制等关键技术，将半导体掩膜版制作技术进一步推进至110nm/90nm/65nm等制程节点。 ...

成都氮矽科技有限公司(以下简称氮矽科技)成立于2019年，位于成都市高新区，是国内首批成立的氮化镓设计公司，致力于打造属于中国的氮化镓国际一流品牌。氮矽科技主要研发基于第三代半导体材料氮化镓（GaN）的芯片，专注于氮化镓功率器件及其驱动芯片的设计研发、销售及方案提供，并通过国内首款独立研发与制作的GaN Power IC实现氮化镓在电力电子领域的革命。 ...

今年的Silicon100包括了2013年至2020年间成立的公司，但其中50%的公司成立时间在2016年或2017年——那两年半导体新创公司成立势头最为强劲。中国新入榜的有6家公司，包括2家总部在上海、1家在深圳和1家在成都的Fabless；以及两家拥有生产线的公司，分别位于珠海和合肥…… ...

2023 财年第一季度收入达到 2.03 亿欧元，与基于报告期账面财务数据相比增长 12%，按固定汇率及固定周期计算增长 6%。这得益于移动通信业务的持续增长以及汽车和工业业务强劲增长的推动。2023 财年指导预测确认：按固定汇率和固定周期计算，收入预计增长约 20%，EBITDA[1]利润率[2]预计增长约 36%…… ...

RF-SOI之所以能够取得如此巨大的成功，主要是由于RF-SOI衬底具备极优的表面均匀性(surface uniformity）、极高的耐久性(high ruggedness)、可靠的高电阻率以及无缺陷性(defect free) ...

Soitec 采用 KLA 检测设备为 SOI 晶圆取得了卓越的成果。基于此，Soitec 进一步拓展与 KLA 的合作，在其 SmartSiC™ 晶圆上采用了 KLA 的 Surfscan® SP A2 无图案晶圆检测系统。 ...

如今新能源汽车市场已成为宽禁带功率器件市场兴奋的源泉，被认为是重塑碳化硅和氮化镓(GaN)等新型功率半导体的关键。不过，当前碳化硅或氮化镓等第三代半导体功率器件虽然在车载充电器(OBC)中已经得到了广泛应用，在电驱中也逐步有车厂开始大规模采用，但还未能大规模普及。原因主要有碳化硅衬底制造难度大、器件成本相对较高以及产品的稳定性和可靠性待验证…… ...

针对平面结构IGZO-DRAM的密度问题，中科院微电子所重点实验室刘明院士团队与华为海思团队联合在2021年IEDM国际大会报道的垂直环形沟道结构（Channel-All-Around, CAA）IGZO FET 的基础上，再次成功将器件的关键尺寸（CD）微缩至50 nm。 ...

6月30日，蓉矽半导体以“线下发布会+线上同步直播”的形式，举办了“芯见未来”产品发布会，发布了他们自主开发的NovuSiC® EJBS™和理想硅基MCR®二极管系列，充分展示了蓉矽独立自主研发能力和产品实力。 ...

梁骏吾院士从事半导体材料科学研究工作六十多年，是我国早期半导体硅材料的奠基人。他先后从事高纯区熔硅单晶、砷化镓液相外延、硅气相外延、SiO2隔离膜生长和多晶硅生长的研究，大规模集成电路用硅单晶、掺氮中子嬗变硅单晶、超高速电路用外延技术、MOCVD AlGaAs/GaAs量子阱材料及半导体中杂质与缺陷的行为，SiC外延生长和GaN基材料的生长…… ...

在6月23日Aspencore于西安举办的射频与微波技术及应用研讨会上，来自国内外射频领域的数十家厂商的嘉宾针对通信、物联网、航空航天、汽车电子等相关市场，分享了各自最新的射频技术/产品，以及先进的测试测量技术方案，与来自企业、研究所、高校等与会观众们进行了热烈的探讨。 ...

该功率堆栈结合了CISSOID的1200V SiC智能功率模块和Advanced Conversion的6组低ESR/ESL直流支撑（DC-Link）电容器，可进一步与控制器板和液体冷却器集成，为电机驱动器的高功率密度和高效率SiC逆变器…… ...

● 2022 财年收入首次突破 10 亿美元，合 8.63 亿欧元，较 2021 财年增长 50%（按汇率不变计） ● 2022 财年 EBITDA[1]利润率[2]为 35.8%，较去年上涨 5.1% ● 营业收入较 2021 财年增长逾一倍，达 1.95 亿欧元 ● 运营现金流较 2021 财年相比增长 46%，达 2.55 亿欧元 ● 在增加投资扩充产能的同时，正自由现金流达 4,200 万欧元 ● 2023 财年收入预计增长约 20%（按汇率不变计），EBITDA[1]利润率[2]预计约 36%。 ...

氧化镓是一种新型超宽禁带半导体材料，与碳化硅3.25eV、氮化镓3.4eV的带隙相比，氧化镓分为α、β、γ、δ和ε五种结晶形态，其中最为稳定的是β-氧化镓，其次是ε和α，目前大部分研究和开发也是针对禁带宽度在4.7eV和4.9eV之间的β-氧化镓进行。而且β-氧化镓的生长速率快于碳化硅和氮化镓，衬底工艺也相对较简单。 ...

稀土永磁电机是70年代初期才出现的一种永磁电机，具有体积小、重量轻、效率高、特性好等一系列优点，目前大部分汽车企业都在采用。其内部关键材料是钕铁硼磁铁，钕元素属于稀土，中国占据了绝大部分产能，有分析认为中国能够以此卡住全球永磁电机，乃至新能源汽车行业的脖子。事实真的如此吗？ ...

Soitec 近日发布了其首款基于独家专利技术 SmartSiC™ 打造的200mm 碳化硅 SmartSiC™ 晶圆，助力提升电力电子设备的性能与电动汽车的能效，这标志着 Soitec 公司的碳化硅产品组合已拓展至 150mm 以上…… ...

截止2024年，全球MEMS器件将达到约200亿颗，这对主攻150mm和200mm晶圆的代工厂来说意味着巨大的商机。在这个活跃的市场中，SOI（绝缘体上硅）晶圆为MEMS技术提供了一种智能解决方案，助力提升器件的工艺效率、良率及稳定性。 ...