如何从稻杆、稻壳等原料中低温、便捷地大规模合成纳米碳化硅，并控制其尺寸形态，是技术上的难点。 ...

英国国防部指出，有数种军事平台使用这类半导体，包括包括为英国皇家空军的“台风”战斗机提供雷达功率放大器。 ...

行业普遍认为玻璃基板仍处于开发的早期阶段，量产可能要等到2027-2028年，而且新技术的生产成本和成品率是否可以接受还有待观察。那么对于玻璃材料供应商而言，如何根据客户需求提供定制化的服务，则成为当前面临的主要挑战。 ...

根据报告内容，2023年韩国六种半导体关键原材料中有五种对中国进口的依赖度有所增加。六大核心原材料中，仅有一项对华进口依赖度下降，即氢氟酸的关键原料萤石的产量同期略有下降，从49.9%下降到47.5%。 ...

被誉为“纳米发电机之父”的顶尖华裔科学家王中林结束了在美国佐治亚理工学院长达30年的职业生涯，选择回到中国，全职加入中国科学院北京纳米能源与系统研究所...... ...

要实现三折屏其科技含量一点都不低，比如关键组件柔性屏、三折叠铰链的背后，是中国强大的工业基础和设计能力来支撑的。那么，在华为这款三折叠手机的引领下，中国哪些产业链厂商将受益？ ...

东芝的IEGT本质上可以理解为一种增强型的IGBT。因为1993年东芝基于注入增强（Injection Enhanced）结构IGBT注册了IEGT这个专利名称，所以此后东芝此类型的IGBT产品都称为IEGT…… ...

根据第三方机构Yole Group报告，电动汽车中牵引逆变器对功率的要求最高，其中用到的碳化硅、IGBT晶圆数也最大，如果对电动车的功率器件进行细分，可以看到全碳化硅模块占比高达90%以上…… ...

氮化镓半导体市场正在快速发展，预计到2030年将在半导体市场中占据主导地位。然而，氮化镓技术的成熟度推进缓慢，成本与技术仍是关键突破点。尽管BelGaN在氮化镓技术上取得了显著进展，但由于需要大量投资以支持转型，公司在寻找额外投资时未能成功，最终导致破产。 ...

研究人员通过材料表征，对其进行了迁移率和可靠性测试，证明了该材料体系可以大大提升器件的可靠性，同时不过度损失In2O3的本征迁移率…… ...

PSV-RDAD-65USB参考设计将Pulsiv OSMIUM技术与行业标准的准谐振反激变换器和高度优化、超紧凑的磁性组件相结合。它能大幅降低工作温度、尽量减小损耗并缩小尺寸，引领了一系列突破功率转换现有边界的设计，旨在打造一个可持续的USB-C标准平台…… ...

能量采集是低功耗电子设备供电技术发展的基本支柱，为实现对环境影响最小的可持续技术的未来铺平了道路。 ...

哈佛大学的代理律师在诉状中指出，三星明知故犯，在其芯片、智能手机以及半导体设备中擅自使用了这些专利技术。 ...

高能效计算芯片的发展正遭遇芯片架构、晶体管性能两个重大瓶颈：传统的冯诺依曼架构已经无法满足高速、高带宽的数据搬运和处理需求，未来的高能效运算芯片必须在硬件架构上进行革新，以适用于神经网络等模型的张量数据运算。 ...

英飞凌科技（Infineon Technologies）在马来西亚居林（Kulim）的新工厂（3号工厂）一期项目正式开业，标志着全球最大的200毫米碳化硅功率半导体晶圆厂的诞生。 ...

人造蓝宝石绝缘材料在阻止电流泄漏方面的机理主要归因于其独特的单晶结构和高电子迁移率。这种材料的单晶结构确保了电子在传输过程中的稳定性，即使在仅有1纳米厚度的情况下，依然能够有效阻止电流的泄漏。 ...

英诺赛科对英飞凌提起的专利侵权指控做出回应，强调自身在氮化镓领域的全球领先地位和自主知识产权，认为对方的诉讼是竞争手段。 ...

英飞凌科技对英诺赛科发起了337调查申请，指控英诺赛科侵犯了其多项专利权，并寻求在美国市场永久禁止进口和销售英诺赛科的相关产品。 ...

BelGaN，这家曾雄心勃勃的欧洲氮化镓汽车半导体代工厂，却在近期申请了破产。拥有30多年历史的公司，曾是汽车半导体生产领域的佼佼者，如今却面临财务困境，不得不寻求破产保护，令人唏嘘。 ...

伴随香港第三代半导体氮化镓GaN外延片中试线的启动，香港科技园公司与麻省光子技术的合作标志着香港在微电子产业和新型工业化道路上的重要进展。这一视觉呈现象征着香港在半导体领域的雄心与未来潜力，展现了科技创新与产业升级的愿景。 ...

针对当前光刻胶模型校准难题，团队通过深入的理论和实验研究，结合具体工艺条件，开发了基于机器学习的光刻胶模型校准贝叶斯优化方法。 ...

美国麻省理工学院和加拿大渥太华大学的科学家们联合研发出一种新型超薄晶体薄膜半导体，其电子迁移速度达到传统半导体的7倍，为电子设备性能的飞跃提供了可能。 ...

复旦大学物理学系赵俊教授团队则利用高压光学浮区技术，成功生长了三层镍氧化物La4Ni3O10高质量单晶样品，并证实了这种材料在压力诱导下具有体超导电性（bulk superconductivity），其超导体积分数达到86%。 ...

关于英诺赛科与宜普公司的两项包括氮化镓技术在内的专利侵权案有了最终判决。美国国际贸易委员会的裁定结果是，英诺赛科侵权宜普公司的其中一项专利。 不过英诺赛科并不同意该判决，判决中提到的英诺赛科侵权EPC的294专利 ，英诺赛科认为，EPC的294专利是无效的。 ...

格芯此次收购Tagore的氮化镓技术及IP，正是瞄准了市场对高效能源管理不断增长的需求。 ...