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新材料
中科院微电子所在新型氧化物薄膜晶体管研究方面取得进展
研究人员通过材料表征,对其进行了迁移率和可靠性测试,证明了该材料体系可以大大提升器件的可靠性,同时不过度损失In2O3的本征迁移率…… ...
中科院微电子所
2024-08-27
新材料
功率电子
DIY/黑科技
新材料
Pulsiv发布了效率超高的65W USB-C设计,可将温度降低30%,采用集成半有源桥,效率高达96%
PSV-RDAD-65USB参考设计将Pulsiv OSMIUM技术与行业标准的准谐振反激变换器和高度优化、超紧凑的磁性组件相结合。它能大幅降低工作温度、尽量减小损耗并缩小尺寸,引领了一系列突破功率转换现有边界的设计,旨在打造一个可持续的USB-C标准平台…… ...
Pulsiv
2024-08-22
功率电子
分立器件
新材料
功率电子
能量采集和电机控制是可持续未来的希望
能量采集是低功耗电子设备供电技术发展的基本支柱,为实现对环境影响最小的可持续技术的未来铺平了道路。 ...
Giovanni Di Maria
2024-08-21
功率电子
新材料
电源管理
功率电子
哈佛大学对三星提起专利侵权诉讼:涉及Galaxy S22等旗舰机型
哈佛大学的代理律师在诉状中指出,三星明知故犯,在其芯片、智能手机以及半导体设备中擅自使用了这些专利技术。 ...
综合报道
2024-08-13
知识产权/专利
EDA/IP/IC设计
处理器/DSP
知识产权/专利
北京大学电子学院在碳基集成电路领域取得重要进展
高能效计算芯片的发展正遭遇芯片架构、晶体管性能两个重大瓶颈:传统的冯诺依曼架构已经无法满足高速、高带宽的数据搬运和处理需求,未来的高能效运算芯片必须在硬件架构上进行革新,以适用于神经网络等模型的张量数据运算。 ...
北京大学电子学院
2024-08-13
新材料
EDA/IP/IC设计
中国IC设计
新材料
英飞凌新晶圆厂在马来西亚启用,为全球最大200mm碳化硅功率半导体厂
英飞凌科技(Infineon Technologies)在马来西亚居林(Kulim)的新工厂(3号工厂)一期项目正式开业,标志着全球最大的200毫米碳化硅功率半导体晶圆厂的诞生。 ...
综合报道
2024-08-09
功率电子
制造/封装
新材料
功率电子
中国科学院开发出面向新型芯片的绝缘材料,助力突破物理极限
人造蓝宝石绝缘材料在阻止电流泄漏方面的机理主要归因于其独特的单晶结构和高电子迁移率。这种材料的单晶结构确保了电子在传输过程中的稳定性,即使在仅有1纳米厚度的情况下,依然能够有效阻止电流的泄漏。 ...
综合报道
2024-08-08
制造/封装
新材料
制造/封装
英诺赛科回应英飞凌的专利侵权指控
英诺赛科对英飞凌提起的专利侵权指控做出回应,强调自身在氮化镓领域的全球领先地位和自主知识产权,认为对方的诉讼是竞争手段。 ...
EETimes China
2024-08-06
功率电子
新材料
业界新闻
功率电子
英飞凌对英诺赛科发起337调查,寻求永久禁令
英飞凌科技对英诺赛科发起了337调查申请,指控英诺赛科侵犯了其多项专利权,并寻求在美国市场永久禁止进口和销售英诺赛科的相关产品。 ...
EETimes China
2024-08-02
功率电子
知识产权/专利
新材料
功率电子
欧洲氮化镓汽车半导体代工厂BelGaN申请破产
BelGaN,这家曾雄心勃勃的欧洲氮化镓汽车半导体代工厂,却在近期申请了破产。拥有30多年历史的公司,曾是汽车半导体生产领域的佼佼者,如今却面临财务困境,不得不寻求破产保护,令人唏嘘。 ...
刘于苇
2024-08-02
新材料
制造/封装
功率电子
新材料
香港正建设首条第三代半导体氮化镓外延片中试线
伴随香港第三代半导体氮化镓GaN外延片中试线的启动,香港科技园公司与麻省光子技术的合作标志着香港在微电子产业和新型工业化道路上的重要进展。这一视觉呈现象征着香港在半导体领域的雄心与未来潜力,展现了科技创新与产业升级的愿景。 ...
刘于苇
2024-08-01
功率电子
新材料
制造/封装
功率电子
中科院微电子所在光刻胶模型校准研究方面取得进展
针对当前光刻胶模型校准难题,团队通过深入的理论和实验研究,结合具体工艺条件,开发了基于机器学习的光刻胶模型校准贝叶斯优化方法。 ...
中科院微电子所
2024-07-22
新材料
制造/封装
光电及显示
新材料
新型薄膜半导体问世,电子迁移速度是传统硅半导体7倍
美国麻省理工学院和加拿大渥太华大学的科学家们联合研发出一种新型超薄晶体薄膜半导体,其电子迁移速度达到传统半导体的7倍,为电子设备性能的飞跃提供了可能。 ...
综合报道
2024-07-22
新材料
可穿戴设备
放大/调整/转换
新材料
镍氧化物能不能体超导?复旦大学新型高温超导体研究成果给出了答案!
复旦大学物理学系赵俊教授团队则利用高压光学浮区技术,成功生长了三层镍氧化物La4Ni3O10高质量单晶样品,并证实了这种材料在压力诱导下具有体超导电性(bulk superconductivity),其超导体积分数达到86%。 ...
综合报道
2024-07-18
新材料
量子计算
通信
新材料
英诺赛科反对,在美被判侵权EPC氮化镓相关专利可能被禁
关于英诺赛科与宜普公司的两项包括氮化镓技术在内的专利侵权案有了最终判决。美国国际贸易委员会的裁定结果是,英诺赛科侵权宜普公司的其中一项专利。 不过英诺赛科并不同意该判决,判决中提到的英诺赛科侵权EPC的294专利 ,英诺赛科认为,EPC的294专利是无效的。 ...
综合报道
2024-07-10
业界新闻
新材料
电源管理
业界新闻
格芯宣布收购Tagore氮化镓技术
格芯此次收购Tagore的氮化镓技术及IP,正是瞄准了市场对高效能源管理不断增长的需求。 ...
综合报道
2024-07-04
电源管理
新材料
功率电子
电源管理
中国发布《稀土管理条例》,明确稀土资源属于国家
稀土元素因其在高科技产品中的关键作用而被视为战略资源。《条例》共32条,明确了稀土管理工作应遵循的原则…… ...
综合报道
2024-07-01
新材料
基础材料
业界新闻
新材料
欧盟发布2024版《欧盟科学、研究和创新绩效报告》,强调绿色和数字双重转型
对关键数字和绿色领域的投资对于所有欧盟地区的企业业绩都至关重要。此外,在绿色和数字双重转型时代,欧洲经济调整和转型的灵活性不仅取决于对这些领域的投资强度,还取决于运营环境的效率。 ...
综合报道
2024-06-28
人工智能
新能源
新材料
人工智能
CGD新型ICeGaN GaN功率IC使数据中心、逆变器和工业开关电源的实现超高效率
采用新型热阻增强封装的P2系列表现出超高的电气性能,支持具有挑战性的高功率应用,坚固可靠 ...
CGD
2024-06-11
功率电子
新材料
工业电子
功率电子
CGD为电机控制带来GaN优势
评估套件具有 Qorvo 的高性能无刷直流/永磁同步电机控制器/驱动器和 CGD 易于使用的 ICeGaN GaN 功率 IC 的性能 ...
CGD
2024-06-07
功率电子
新材料
接口/总线/驱动
功率电子
CGD为数据中心、逆变器等更多应用推出新款低热阻GaN功率IC封装
新封装提供了更高的功率输出、便于光学检查、节省了系统成本,并提高了可靠性…… ...
CGD
2024-06-04
制造/封装
功率电子
电源管理
制造/封装
中国或投入约60亿鼓励全固态电池研发,部分产业链企业确认获支持
据《中国日报》报道,中国或将投入约60亿元人民币用于全固态电池研发,包括宁德时代、比亚迪、一汽、上汽、卫蓝新能源和吉利共六家企业或获得政府基础研发支持。 ...
综合报道
2024-05-30
电池技术
汽车电子
新能源
电池技术
CGD与中国台湾工业技术研究院签署GaN电源开发谅解备忘录
为电动汽车、电动工具、笔记本电脑和手机应用开发功率密度超过30 W/in3的140-240 W USB-PD适配器…… ...
Cambridge GaN Devices
2024-05-30
功率电子
电源管理
新材料
功率电子
美国商务部将向SKC子公司Absolix提供7500万美元补贴,加大生产玻璃基板
玻璃基板是Absolix在世界上首次面临商业化的产品。SKC计划以此次领取补助金为契机,进一步加快成为人工智能(AI)半导体生态界游戏改变者的玻璃基板业务。 ...
综合报道
2024-05-24
制造/封装
新材料
数据中心/服务器
制造/封装
引领TGV技术创新,国内激光企业领航先进封装新风向
与有机基板相比,玻璃基板凭借其卓越的平整度、绝缘性、热性能和光学性质,为需要密集、高性能互连的新兴应用提供了传统基板的有吸引力的替代方案,开始在先进封装领域受到关注。去年来,英特尔、三星等先后宣布了在玻璃基板技术上的投资和布局,英伟达、AMD、苹果等大厂也均表示将导入或探索玻璃基板芯片封装,使得该技术一跃成为半导体市场最受关注的焦点。 ...
2024-05-23
制造/封装
新材料
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制造/封装
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