截止2019年底我国12英寸晶圆制造厂装机产能约90万片，较2018年增长50%；8英寸晶圆制造厂装机产能约100万片，较2018年增长10%；6英寸晶圆制造厂装机产能约230万片，较2018年增长15%；5英寸晶圆制造厂装机产能约80万片，较2018年下降11%；4英寸晶圆制造厂装机产能约260万片，较2018年增长30%；3英寸晶圆制造厂装机产能约40万片，较2018年下降20%。为了让大家对我国新的晶圆制造线的最新情况有个了解，本文对2019年度有关中国晶圆生产线的最新情况进行盘点，现将调研情况梳理如下。 ...

2020是如此科幻的年份，步入2020年，仿佛回到久违的未来。科技浪潮新十年开启，蓄势已久的智能革命将迎来颠覆性的技术变局。1月2日，阿里达摩院再度重磅向业界发布《2020十大科技趋势》，对AI、芯片、云计算、区块链、量子计算以及工业互联网等科技领域的未来发展做了重要预测。 ...

PCRAM被业界誉为值得关注的三大新型存储器之一，很大程度上是因为被Intel的Optane SSD 和DIMM采用。但是3D Xpoint之外的PCRAM又怎么样呢？ ...

第八次中日韩领导人会议于周二（24日）在中国成都举行之际，日本经济产业省对韩国半导体材料的相关出口管制政策进行了调整。日本经济产业省表示，将通过简化最近受到限制的三种产品之一的相关程序，部分放松对韩国的出口限制。但韩方表示，这还不够……（首图自韩联社新闻截图） ...

半导体材料目前经历了三个发展阶段，第一代的硅（Si）、锗（Ge）；第二代开始由2种以上元素组成化合物半导体，如砷化镓（GaAs）、磷化铟 (InP)；以及第三代的碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带材料。由于宽禁带半导体材料可实现更优的导热性、更高的开关速率、更低导通电阻以及更小的器件物理尺寸，传统巨头近年纷纷加码该领域，而有的公司却在20年前就开始布局…… ...

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在数字网络能力支持下，宽带半导体技术和快速充电站将有助于加快电动汽车的普及。随着全球对电动汽车需求不断增长，充电基础设施的支持需求也将增加。电动汽车的创新充电技术可以成为变革的催化剂，有助于促进电动出行的普及，并为实现减少碳排放的目标做出了很多贡献。 ...

目前，移动设备并不像我们想象的那样具有移动性。每个移动设备都需要定期重新连接AC适配器，为其锂离子电池充电。根据TechInsights对三个主要产品的分析，有效的大功率、紧凑型AC适配器可以采用碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和硅超结这三种材料来设计制造。究竟哪种AC适配器性能最优呢？ ...

如果您是SiC领域的专业人士，对SiC器一定是 “又爱又恨”。一方面，SiC器件具有高压、高频和高效率的优势，在缩小体积的同时提高了效率，给市场带来的机遇也远远大于挑战。但另一方面，SiC在制造和应用方面又面临很高的技术要求，如何降低使用门槛成为业界热议的话题。 ...

为您回顾了今年氮化镓(GaN)的动态，包括市场分析、技术方案、深度连载三个部分共18篇文章。 ...

韩日两国11日在日内瓦世贸组织(WTO)总部举行的双边会谈上，未就日本对韩国半导体等相关材料加强管制问题上达成一致，双方同意就有关问题继续磋商。据报道，下一次磋商预计在11月10日前进行。 ...

与传统硅工艺相比，WBG半导体材料，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），可实现更优的导热性、更高的开关速率而且更小尺寸的物理器件。也因此，WBG半导体材料推动了新一代电源的出现。 ...

5G的到来将会给半导体材料带来革命性的变化，无论是硅衬底还是碳化硅衬底，氮化镓(GaN)都将获得快速发展。从2G到5G，通信频率在不断地向高频发展，因此基站及通信设备对射频器件高频性能的要求也在不断提高。在此背景下，氮化镓(GaN)必将以其独特的高频特性、超高的功率密度，以及优越的集成度成为5G技术的核心器件。 ...

GaN的理论优势正在主流设计中得以实现，尤其是在数据中心和通信机房电源两个应用领域，与硅器件相比较，GaN的优势更明显。采用GaN进行产品设计，厂家和用户都将能享受到系统成本和运营方面的好处。本文着重对使用增强型GaN与硅基器件进行大功率电源设计进行比较，发现GaN器件能实现更高效率和功率密度，且不会增加系统成本。 ...

法国Soitec半导体公司于9月16日和17日出席了第七届上海FD-SOI论坛和国际RF-SOI研讨会，探讨SOI及其它优化衬底如何助力5G及AIoT快速发展。本届由SOI国际产业联盟举办的峰会聚集了众多来自世界领先的半导体公司、研究机构、投资机构和政府部门的行业专家。 ...

氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件，能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固，因此需谨慎应用，集成正确的门极驱动对于实现最佳性能和可靠性至关重要。本文着眼于这些问题，给出一个驱动器方案，解决设计过程的风险。 ...

据韩媒《Business Korea》报导，韩国唯一的半导体硅晶圆厂 SK Siltron 于10日举行的董事会上决议，将以4.5亿美元收购美国化学大厂杜邦 (DuPont) 的碳化硅 (SiC) 晶圆业务，目标在今年完成收购手续，有助其拓展车用功率半导体市场。 ...

国产氮化镓（GaN）正迎来一波新的热潮，已有多家企业布局相关产业。近日，聚力成半导体（重庆）有限公司工厂和北京耐威科技股份有限公司，相继宣布其GaN外延材料正式投产。 ...

近期华为旗下哈勃投资（2019年4月成立）入股10%第三代半导体材料碳化硅（SiC）的制造商山东天岳。在美国对中国高科技企业不断施压的形势下，华为此举或许表明对第三代半导体材料SiC潜在的需求以及前景的认可。 ...

要说今年最火的电源议题，氮化镓（GaN）当之无愧，在输入电压为100 V或更低的应用中，已经没什么理由能让你拒绝GaN晶体管。相比传统硅晶体管，GaN可以使电源效率更高、温度更低、尺寸更小，实现大功率电源无散热片设计。在近日ASPENCORE举办的第20届电源论坛上，有三位演讲嘉宾都分享了GaN相关话题…… ...

在时间就是生命的年代，充电速度比不上用电速度，就是谋财害命。如果你曾经用过iPhone，一定被它“五福一安”（额定输出功率5V1A）的充电器深深伤害过，第三方厂商都开始推60W快充了，iPhone才刚刚传出要配18W充电器的传闻。为什么第三方厂商可以在把尺寸做小的同时，又能兼顾充电效率？因为他们更愿意尝试氮化镓（GaN）这样的新兴功率器件…… ...

《电子工程专辑》主分析师顾正书在撰写9月刊有关氮化镓(GaN)的封面专题时，书面采访了Alex Lidow，因为他及宜普公司是推动氮化镓(GaN)器件商业化发展的主要力量之一。现将采访内容汇总如下，希望为感兴趣的读者提供有价值的信息。 ...

硅晶体管已经在计算机行业中存在了几十年，但正如摩尔定律所预测的，硅性能正达到一个临界点。碳纳米管被认为是替代硅材料首选，他有着优异的力学和电学性能，但存在一系列设计、制造和功能上的问题令科学家们头疼。如今这些问题被麻省理工的团队攻破，他们利用14000多个碳纳米管晶体管，采用了 RISC-V 架构，制造出了16位微处理器…… ...

2019年8月23日，法国Soitec半导体公司公布了2020财年第一季度财报（截止至2019年6月30日）。2020财年第一季度收入1.19亿欧元，与2019财年第一季度相比增长30%，200-mm晶圆销售量以固定汇率计相比上一财年同季度增长了12%，300-mm晶圆销售量以固定汇率计相比上年同期增长了32%…… ...

宽带隙（WBG）半导体正被应用于包括电动汽车在内的各类功率转换器中。其承诺的更高效率和更快转换速率将节省成本、尺寸和能源，它通常被运用在充电器和辅助转换器中，但尚未在牵引逆变器中大量取代IGBT。本文将介绍最新一代SiC FET，因其提供低于IGBT的损耗以及在高温和多重应力下被证实的短路鲁棒性，而成为新型逆变器设计的绝佳选择。 ...