如果您是SiC领域的专业人士，对SiC器一定是 “又爱又恨”。一方面，SiC器件具有高压、高频和高效率的优势，在缩小体积的同时提高了效率，给市场带来的机遇也远远大于挑战。但另一方面，SiC在制造和应用方面又面临很高的技术要求，如何降低使用门槛成为业界热议的话题。 ...

为您回顾了今年氮化镓(GaN)的动态，包括市场分析、技术方案、深度连载三个部分共18篇文章。 ...

韩日两国11日在日内瓦世贸组织(WTO)总部举行的双边会谈上，未就日本对韩国半导体等相关材料加强管制问题上达成一致，双方同意就有关问题继续磋商。据报道，下一次磋商预计在11月10日前进行。 ...

与传统硅工艺相比，WBG半导体材料，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），可实现更优的导热性、更高的开关速率而且更小尺寸的物理器件。也因此，WBG半导体材料推动了新一代电源的出现。 ...

5G的到来将会给半导体材料带来革命性的变化，无论是硅衬底还是碳化硅衬底，氮化镓(GaN)都将获得快速发展。从2G到5G，通信频率在不断地向高频发展，因此基站及通信设备对射频器件高频性能的要求也在不断提高。在此背景下，氮化镓(GaN)必将以其独特的高频特性、超高的功率密度，以及优越的集成度成为5G技术的核心器件。 ...

GaN的理论优势正在主流设计中得以实现，尤其是在数据中心和通信机房电源两个应用领域，与硅器件相比较，GaN的优势更明显。采用GaN进行产品设计，厂家和用户都将能享受到系统成本和运营方面的好处。本文着重对使用增强型GaN与硅基器件进行大功率电源设计进行比较，发现GaN器件能实现更高效率和功率密度，且不会增加系统成本。 ...

法国Soitec半导体公司于9月16日和17日出席了第七届上海FD-SOI论坛和国际RF-SOI研讨会，探讨SOI及其它优化衬底如何助力5G及AIoT快速发展。本届由SOI国际产业联盟举办的峰会聚集了众多来自世界领先的半导体公司、研究机构、投资机构和政府部门的行业专家。 ...

氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件，能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固，因此需谨慎应用，集成正确的门极驱动对于实现最佳性能和可靠性至关重要。本文着眼于这些问题，给出一个驱动器方案，解决设计过程的风险。 ...

据韩媒《Business Korea》报导，韩国唯一的半导体硅晶圆厂 SK Siltron 于10日举行的董事会上决议，将以4.5亿美元收购美国化学大厂杜邦 (DuPont) 的碳化硅 (SiC) 晶圆业务，目标在今年完成收购手续，有助其拓展车用功率半导体市场。 ...

国产氮化镓（GaN）正迎来一波新的热潮，已有多家企业布局相关产业。近日，聚力成半导体（重庆）有限公司工厂和北京耐威科技股份有限公司，相继宣布其GaN外延材料正式投产。 ...

近期华为旗下哈勃投资（2019年4月成立）入股10%第三代半导体材料碳化硅（SiC）的制造商山东天岳。在美国对中国高科技企业不断施压的形势下，华为此举或许表明对第三代半导体材料SiC潜在的需求以及前景的认可。 ...

要说今年最火的电源议题，氮化镓（GaN）当之无愧，在输入电压为100 V或更低的应用中，已经没什么理由能让你拒绝GaN晶体管。相比传统硅晶体管，GaN可以使电源效率更高、温度更低、尺寸更小，实现大功率电源无散热片设计。在近日ASPENCORE举办的第20届电源论坛上，有三位演讲嘉宾都分享了GaN相关话题…… ...

在时间就是生命的年代，充电速度比不上用电速度，就是谋财害命。如果你曾经用过iPhone，一定被它“五福一安”（额定输出功率5V1A）的充电器深深伤害过，第三方厂商都开始推60W快充了，iPhone才刚刚传出要配18W充电器的传闻。为什么第三方厂商可以在把尺寸做小的同时，又能兼顾充电效率？因为他们更愿意尝试氮化镓（GaN）这样的新兴功率器件…… ...

《电子工程专辑》主分析师顾正书在撰写9月刊有关氮化镓(GaN)的封面专题时，书面采访了Alex Lidow，因为他及宜普公司是推动氮化镓(GaN)器件商业化发展的主要力量之一。现将采访内容汇总如下，希望为感兴趣的读者提供有价值的信息。 ...

硅晶体管已经在计算机行业中存在了几十年，但正如摩尔定律所预测的，硅性能正达到一个临界点。碳纳米管被认为是替代硅材料首选，他有着优异的力学和电学性能，但存在一系列设计、制造和功能上的问题令科学家们头疼。如今这些问题被麻省理工的团队攻破，他们利用14000多个碳纳米管晶体管，采用了 RISC-V 架构，制造出了16位微处理器…… ...

2019年8月23日，法国Soitec半导体公司公布了2020财年第一季度财报（截止至2019年6月30日）。2020财年第一季度收入1.19亿欧元，与2019财年第一季度相比增长30%，200-mm晶圆销售量以固定汇率计相比上一财年同季度增长了12%，300-mm晶圆销售量以固定汇率计相比上年同期增长了32%…… ...

宽带隙（WBG）半导体正被应用于包括电动汽车在内的各类功率转换器中。其承诺的更高效率和更快转换速率将节省成本、尺寸和能源，它通常被运用在充电器和辅助转换器中，但尚未在牵引逆变器中大量取代IGBT。本文将介绍最新一代SiC FET，因其提供低于IGBT的损耗以及在高温和多重应力下被证实的短路鲁棒性，而成为新型逆变器设计的绝佳选择。 ...

日本与韩国之间的半导体材料战争，近期愈发扑簌迷离。日本在两日之内，先把韩国从白名单中删除，又恢复部分材料出口，有媒体分析称，是因为三星已找到替代货源，此时紧咬光刻胶不放已不能对韩国造成太大影响。再看看日韩各家企业近期动作，都在为了减少贸易战带来的影响费尽心思，其中一条路就是通过中国这个第三方国家进行贸易。但韩媒此时却有着其他担心…… ...

随着日本出口管制对半导体生产造成影响的可能性不断增大，三星计划在生产过程中，将220余种日本原材料和化学药品全部替换为本国产品或其他国家产品，不再使用日本生产的材料。而就在推出这一决策后一天，据日经新闻8日报道，日本政府又决定恢复向韩国出口一些半导体制造材料…… ...

8月2日，日本政府决定，把韩国移出在安全保障出口管理上设置了优惠待遇的“白名单国家”。 随后，韩国总统府对此“深表遗憾”，并表示以坚决的态度，严厉应对日本的不当举措。韩国财长洪楠基称，将把日本从其白名单中剔除。 ...

日本宣布对韩加强出口管制，集中在适用于制造OLED所必须的氟聚酰亚胺、制造半导体的核心材料光刻胶和用于半导体清洗等的高纯度氟化氢。由于前两种材料日本公司处于垄断地位，韩国选择在氟化氢上突破，目前已经开始着手对非日本产氟化氢进行质量试验，其中大部分来自中国。电子级氟化氢在半导体制造中扮演什么角色？近期的NAND、DRAM涨价传闻是否与此有关？ ...

SiC在天然环境下非常罕见，最早是人们在太阳系刚诞生的46亿年前的陨石中，发现了少量这种物质，所以它又被称为“经历46亿年时光之旅的半导体材料”。与传统硅器件相比，SiC可以实现低导通电阻、高速开关和耐高温高压工作，在击穿场强、禁带宽度、电子饱和速度、熔点以及热导率方面都有优势。相对Si功率器件，SiC二极管和晶体管的优势在于…… ...

为提高性能，无线通信和雷达系统对天线架构的需求不断增长。只有那些功耗低于传统机械操纵碟形天线的天线才能实现许多新的应用。除了这些要求以外，还需要针对新的威胁或新的用户快速重新定位，传输多个数据流，并以超低的成本，延长工作寿命。有些应用需要抵消输入阻塞信号的作用，降低拦截概率。正在席卷整个行业的相控天线设计为这些挑战提供了解决办法。 ...

SiC的价值已经被说得很多了，相比Si，有着三倍的热导率、宽三倍的禁带，至多低1000倍的导通电阻，两倍开关速度，所以场景就更加适合高压应用了，比如电源、太阳能逆变器、电动汽车领域等。SiC市场尤其在这两年的发展是十分火热的。 ...

英特尔在今年才正式进入到10nm时代，将在后年转入7nm，而这比原定计划最少也要晚了2年。而且权威的国际半导体机构已经不认为摩尔定律的缩小可以继续下去了，摩尔定律这位“花甲老人”真的走不动了吗？可是笔者看到另一番景象，目前三星和台积电等厂商异常活跃...... ...