氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性：氮化镓晶体管的极小寄生参数，极快开关速度使其特别适合高频应用。碳化硅MOSFET的易驱动，高可靠等特性使其适合于高性能开关电源中。本文基于英飞凌科技有限公司的氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET产品，对他们的结构，特性，两者的应用差异等方面进行了详细的介绍。 ...

采用分立式氮化镓器件或分立式MOSFET器件的设计工程师，现在可以改用GaN集成电路以节省时间、占板面积及提升他们的系统性能，从而实现具备更高的功率密度、更高的效率及更具成本效益的先进设计。当氮化镓集成电路开始集成多个驱动器、保护电路、控制电路及功率晶体管于单个芯片上时，设计师会逐渐减少分立式晶体管的使用。这是分立式晶体管走向尽头的开始。 ...

在4月8日晚间的华为春季新品发布会上，期待已久的华为P40系列国行版终于发布，与此同时，华为还带来了一款充电器新品，功率65W。这款充电器属于 GaN（氮化镓）类型，支持双口超级快充（Type-A和Type-C）模式，能给手机和平板进行快速充电，或将引发GaN热潮... ...

不久前，人们认为SiC和GaN器件的应用相当困难。但2018年，这些技术的优势开始应用到现实生活中。SiC和GaN被称为“宽带隙半导体”（WBG），WBG器件作为一种新型工具解决了功率器件设计师在这个以“效率”为口号的时代所面临的问题，这将直接给市场带来巨大冲击。 ...

氮化镓(GaN)器件以其独特的高开关频率、高功率密度和高转换效率等优势在移动设备PD充电器市场找到了用武之地。但能否成为传统硅器件的理想替代方案而快速普及，还要看其面临的设计、制造和应用问题能否得到有效解决。 ...

近日，GT Advanced Technologies（GTAT）和安森美半导体（ON Semiconductor），宣布执行一项为期五年的协议，总价值可达5,000万美元。 ...

纪念CCD问世50年。1969年，沃勒德‧保尔(Willard Boyle)与乔治‧艾沃德‧史密斯(George E. Smith)于美国电报电话公司的贝尔实验室(AT&T Bell Labs)发明了电荷耦合组件(Charge Coupled Device，CCD)。CCD是一个具有极高灵敏度的光子传感器。 ...

未来十年，人们对汽车电源和服务器电源的思考方式将发生变化。iPhone于2007年问世，这仅发生在12年前，而现在已没人能够想象生活中没有这台设备了。整个汽车行业在未来十年将发生相同的事情—人们将无法想象还开着燃油车的样子，而会看到向电动汽车和自动驾驶的重大转变。 ...

在所有电力电子应用中，功率密度是关键指标之一，这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限，设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓（GaN）来提供方案。 ...

从Google TensorFlow、APU、NPU到BPU等专为AI而生的新型处理器，到小芯片以及多芯片封装，甚至是量子运算，在日前于ISSCC上揭露的先进芯片技术，无论对于电路设计还是AI都同样重要... ...

法国Soitec公司首席执行官Paul Boudre最近在接受EE Times采访时表示，越来越多的RF芯片设计公司正在寻找“新材料来解决他们的问题”。RF半导体设计者都在挖空心思为5G系统寻找新材料和新设计/架构。但是为什么会这样呢？ ...

当中国疫情防控出现好转势头的同时，新冠肺炎疫情却在全球迅速蔓延，韩国、日本、伊朗和意大利是最为严重的四个国家。而与中国贸易最紧密，对全球电子产业影响最大的日本和韩国，其疫情的发展对中国乃至世界电子行业会产生什么影响？ ...

2月初《电子工程专辑》曾报道，康佳披露其控股子公司首款存储主控芯片已实现量产，并要争取在2020年实现销售1亿颗的目标。在这之后，深康佳A股价连续涨停。2月23日晚间，近15个交易日9次涨停，累计上涨122.6%的深康佳A收到深交所《关注函》，要求解释“如此短时间研发出的芯片要1年卖1亿颗，是否属于夸大、误导市场行为”…… ...

小米10系列发布会上，雷军宣布了小米旗下第一款采用GaN氮化镓材料的充电器，最大功率65W。 采用氮化镓材料后，小米充电器USB-C 65W的体积比小米笔记本标配的适配器缩小了48％，携带更方便，搭配小米10 Pro可提供最高50W充电功率，45分钟即可充入100％。 ...

由维也纳工业大学(TU Wien)固态物理研究所合成的一种新型材料，因具有强大的塞贝克(Seebeck)效应，可能颠覆热能收集技术。 ...

去年12月26日凌晨，南京邮电大学材料学院实验楼发生火灾，很多学生都不知道，火灾中，2017级研三学生谭某丧生。有死者同学爆料，谭某生前曾长期遭受其导师张某梅谩骂侮辱，并被威胁不能毕业，导致重度抑郁，最终选择自杀……（首图自大众网） ...

SiC的性能潜力无可争议。目前要应对的主要挑战是确定哪种设计方法在应用中获得最大的成功。CoolSiC MOSFET在开关操作和损耗方面拥有出色性能。其中一个亮点是能够利用零栅偏压关断器件，这使得碳化硅晶体管设计概念成为目前唯一真正的“正常关断”器件。 ...

截止2019年底我国12英寸晶圆制造厂装机产能约90万片，较2018年增长50%；8英寸晶圆制造厂装机产能约100万片，较2018年增长10%；6英寸晶圆制造厂装机产能约230万片，较2018年增长15%；5英寸晶圆制造厂装机产能约80万片，较2018年下降11%；4英寸晶圆制造厂装机产能约260万片，较2018年增长30%；3英寸晶圆制造厂装机产能约40万片，较2018年下降20%。为了让大家对我国新的晶圆制造线的最新情况有个了解，本文对2019年度有关中国晶圆生产线的最新情况进行盘点，现将调研情况梳理如下。 ...

2020是如此科幻的年份，步入2020年，仿佛回到久违的未来。科技浪潮新十年开启，蓄势已久的智能革命将迎来颠覆性的技术变局。1月2日，阿里达摩院再度重磅向业界发布《2020十大科技趋势》，对AI、芯片、云计算、区块链、量子计算以及工业互联网等科技领域的未来发展做了重要预测。 ...

PCRAM被业界誉为值得关注的三大新型存储器之一，很大程度上是因为被Intel的Optane SSD 和DIMM采用。但是3D Xpoint之外的PCRAM又怎么样呢？ ...

第八次中日韩领导人会议于周二（24日）在中国成都举行之际，日本经济产业省对韩国半导体材料的相关出口管制政策进行了调整。日本经济产业省表示，将通过简化最近受到限制的三种产品之一的相关程序，部分放松对韩国的出口限制。但韩方表示，这还不够……（首图自韩联社新闻截图） ...

半导体材料目前经历了三个发展阶段，第一代的硅（Si）、锗（Ge）；第二代开始由2种以上元素组成化合物半导体，如砷化镓（GaAs）、磷化铟 (InP)；以及第三代的碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带材料。由于宽禁带半导体材料可实现更优的导热性、更高的开关速率、更低导通电阻以及更小的器件物理尺寸，传统巨头近年纷纷加码该领域，而有的公司却在20年前就开始布局…… ...

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在数字网络能力支持下，宽带半导体技术和快速充电站将有助于加快电动汽车的普及。随着全球对电动汽车需求不断增长，充电基础设施的支持需求也将增加。电动汽车的创新充电技术可以成为变革的催化剂，有助于促进电动出行的普及，并为实现减少碳排放的目标做出了很多贡献。 ...

目前，移动设备并不像我们想象的那样具有移动性。每个移动设备都需要定期重新连接AC适配器，为其锂离子电池充电。根据TechInsights对三个主要产品的分析，有效的大功率、紧凑型AC适配器可以采用碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和硅超结这三种材料来设计制造。究竟哪种AC适配器性能最优呢？ ...