德州仪器 (TI) 的多个季度收入都实现了两位数的百分比增长。这种快速增长已引起分析师和投资者的推测，部分订单反映的是客户的恐慌，他们担心自己无法获得足够的芯片供应。在过去，这种行为通常会导致市场崩溃。 ...

在充分了解GaN晶体管栅极驱动电路后，可以相对轻松地实现GaN晶体管并联配置应用。其中最大的挑战来自于具体应用的高功率和高开关频率，而这些正是许多工程师采用现有硅器件时所从未经历过的。通过遵循良好PCB布局基本规则，在栅极和开尔文源极路径中使用共模电感，并平衡不同晶体管之间的电流，有助于最大程度地减小电压振荡。 ...

宽带隙半导体技术将在功率转换和能效的未来发展中发挥巨大的作用。与同等硅产品相比，SiC 开关更小，更快，效率更高。这些技术广泛用于各种应用中，从电动汽车到光伏材料。因此，使用正确的工具测试这些技术变得非常重要，这样设计人员才能正确设计、开发及整合到最终应用中。 ...

近日，东莞市天域半导体科技有限公司发生工商变更，新增股东华为关联投资机构深圳哈勃科技投资合伙企业（有限合伙）等；注册资本由约9027万增至约9770万，增幅超8%。在第三代半导体领域的布局上，此前华为旗下的哈勃科技投资了4家第三代半导体产业链公司，除了东莞天域，还有山东天岳、天科合达、瀚天天成…… ...

宽带隙半导体是高效功率转换的助力。有多种器件可供人们选用，包括混合了硅和SiC技术的SiC FET。本文探讨了这种器件的特征，并将它与其他方法进行了对比。 ...

EE Times全球高科技CEO访谈系列 -- 此次美国创新公司Akhan Semi CEO 亚当·可汗（Adam Khan）访谈，该公司专注于半导体材料和钻石玻璃，目前开发出的Miraj系列柔性钻石玻璃有望引领面板新的革命。 ...

台湾领先的芯片材料制造商之一的董事长表示，在前所未有的全球芯片短缺的情况下，科技供应商急于扩大生产，然而一旦供应赶上需求，销售可能会遇到瓶颈。 “如果你不像同行那样扩大产能，因为你可能会失去市场份额和增长机会，”Canon Huang说。 “但如果你扩大产能，这也可能是一个问题，因为未来某个时候市场会进行调整。” ...

折叠屏手机在手机行业成为各大厂家热衷秀肌肉的技术噱头，然而，折叠屏手机最关键的技术：柔性屏，却一直未获得更大的突破。不过，最近，斯坦福大学研究出了长度小于100纳米的柔性原子薄型晶体管。这对柔性屏的发展可以说是革命性的突破，不过距离量产估计还需时日。 ...

台湾地区和日本媒体报道，台湾世界领先的半导体代工厂台积电计划在日本科学城筑波建立研发中心，与日本供应商合作开发3D IC封装材料。 ...

台积电在过去几年已成为全球最重要的半导体公司，对全球经济具有巨大影响力。它的市值约为 5500 亿美元，是全球第 11 大最有价值公司。然而，它的主导地位使世界处于弱势。随着越来越多的技术需要复杂到令人难以置信的芯片，越来越多的芯片也来自这家公司。它位于一个岛上，是美国和中国大陆之间紧张局势的焦点。 ...

芯片制造工艺的提升离不开新材料的研发，台积电宣布将工艺提升到1nm就是由于研发出了可行的新材料。而最近Applied Materials,Inc.宣布已经开发出了一种全新的材料工程解决方案，Endura Copper Barrier Seed IMS，设计了先进逻辑芯片布线的新方法，可以扩展到3纳米节点及以上。 ...

为提高电池续航，已经普及到各种电子行业特别是消费电子行业的锂电池技术的创新和革新都备受业界关注，最近，《先进能源材料》刊登了一篇论文显示科学家研究了一种用在锂电池上的纳米新材料：临界纳米碳孔膜，它可有效避免锂电池枝晶的生成，减少电池遭遇短路和故障。请看详情。 ...

台湾地区占iPad总成本的份额从1.7%飙升至18.5%。美国以 16.8% 的份额下滑至第三位，而香港和中国大陆以 7.5% 的份额位居第四。日本从第三名跌至第五名，其份额从 8.9% 降至 2.8%。 ...

对制程和工艺的不断推陈出新是台积电与三星竞争自翻身以来致胜的法宝，因此，台积电一直在不断的强健着这“两条腿”。最近的2021研讨会上，台积电宣布了面向汽车和通信产品的N6A、N5RF新工艺，并霸气表示无惧任何竞争对手。 ...

以快充充电器为主打先锋的便携式消费类电源产品已经成为GaN市场的主要驱动力，PI和纳微等GaN器件开发商也迎来了快速增长。ASPENCORE《电子工程专辑》分析师团队从国内外众多GaN器件厂商中挑选10家公司的主打产品，为电源设计工程师朋友提供选型参考，大家可以在文末通过投票评选出最喜欢的GaN器件。 ...

自从芯片短缺以来，包括美国、欧洲、中国、韩国等全球区域都在想办法解决这个问题，同时，都开始了自主研发或者芯片生产的本土化。最近有报道说日本将支付370亿日元(3.37亿美元) 研究设施费用的一半与台积电在日本共同开发芯片制造技术。 ...

5月31日，小米在官方微博正式发布“Hyper Charge”充电技术，宣布在充电领域创下两项新纪录，首发200W有线快充以及120W无线快充。为实现这两项技术，小米在充电架构、芯片、电池技术等方面进行了魔改…… ...

相比其它半导体，GaN 是一种相对较新的技术，但它已然成为某些高射频、大功率应用的技术之选。虽然LDMOS技术目前仍在射频基站领域占有最大市场份额，但预计GaN将在5G大规模MIMO部署中逐渐取代LDMOS。 ...

对性能、微型化和更高频率运行的推动正在挑战无线系统的两个关键天线连接元器件的限制：功率放大器(PA) 和低噪声放大器(LNA)。使5G 成为现实的努力，以及PA 和LNA 在VSAT 端子、微波无线电链路和相控阵雷达系统中的使用促成了这种转变。这些应用的要求包括较低噪声（对于LNA）和较高能效（对于PA）以及在高达或高于10 GHz 的较高频率下的运行。为了满足这些日益增长的需求，LNA 和PA 制造商正在从传统的全硅工艺转向用于LNA 的砷化镓(GaAs) 和用于PA 的氮化镓(GaN)。 ...

最近，关于制程的竞争似乎再次白热化，尽管Intel还在10nm徘徊，但其架构与模式不同，就在台积电针对三星的3nm进行反击之时，IBM推出了2nm制程芯片，于是匆忙之下，台积电又推出1nm制程工艺，那么，是什么支撑了台积电的新工艺呢？ ...

随着新一代分立式器件的推出，eGaN技术正在迅速发展，这已成为新一代高效、小尺寸和低成本集成电路的平台。 GaN集成电路可使产品更小、更快、更高效，且更易于设计。 GaN的崛起正在重新定义电源转换，而这项伟大的新技术将对集成电路产生巨大的影响！ ...

高频开关等宽带隙半导体能帮助实现更高功率转换效率。SiC FET就是一个例子，它由一个SiC JFET和一个硅MOSFET以共源共栅方式构成。本文追溯了SiC FET的起源和发展，直至最新一代产品，并将其性能与替代技术进行了比较。 ...

以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体市场正在蓬勃发展。随着5G、电动汽车等新兴市场出现，SiC和GaN不可替代的优势使得相关产品的研发与应用加速；随着制备技术的进步，SiC与GaN器件与模块在需求拉动下，叠加成本降低，SiC和GaN将迎来高光时代。 ...

量子计算与量子信息近年的发展受到国际上的普遍关注，以量子信息科学为代表的量子科技正在不断形成新的科学前沿、激发革命性的科技创新、孕育对人类社会产生巨大影响的颠覆性技术。日前，中国科大中科院量子信息与量子科技创新研究院团队宣布，成功研制62比特可编程超导量子计算原型机“祖冲之号”，并在此基础上实现了可编程的二维量子行走。 ...

SiC MOSFET除了因材料天然特性的关系有较高的崩溃电场，另一个优于Si MOSFET是高速且低开关损耗，其关键因素在于低的导通电阻，因此如何了解信道的离子布植分布状况以降低表面电阻是获得低导通电阻相当重要的一环。 ...