在分立GaN HEMT器件的广泛可用性之外，领先的GaN制造商还提出了集成GaN解决方案，这些集成解决方案在GaN的固有优势的基础上，有可能提供更好的性能。 ...

Diodes公司推出三款全新霍尔效应开关——AH1899A/B/S，在低供电电压与极低静态电流下工作，可延长移动设备与便携设备的电池使用寿命。 ...

2024年4月9日至10日，欢迎莅临中国北京EDI Con2024 Pickering展位，展位号i5 …… ...

珠海镓未来科技有限公司（GaNext）CTO兼IEEE Fellow吴毅锋发表了“氮化镓功率器件应用的大跨度拓展——从PD快充到户外储能”的主题演讲。 ...

Pickering Electronics宣布推出最新的大功率舌簧继电器，额定功率高达 80w，以0.25英寸间距可紧密排布，称为144系列。 ...

Molex莫仕首席执行官Joe Nelligan在接受《EE Times》独家专访时表示：“我们已将一些通常用于移动设备的技术应用到汽车领域，这是前所未见的状况。” ...

DCFC 集成了多种器件，包括用于辅助电源、感测、电源管理、连接和通信的器件。另外，为了满足各种电动汽车不断发展的充电需求，必须采用灵活的制造方法，这也使设计变得更加复杂。 ...

清洁能源+储能系统的模式对于推动可再生能源的发展及其广泛部署至关重要。清洁能源包括太阳能和风能等可再生能源，通常因其间歇性而受到关注：太阳辐照度和风速都不是恒定不变 ...

本文想要分享一个为维修和测量脉冲转换器而制作的设计。 ...

我又从Aliexpress购买到一款手电筒。与之前购买的其他款式的产品相比，这次的设计稍微好一些。手电筒造型独特，看起来像个荧光灯。 ...

据时代全芯存储技术股份有限公司官微发布通告，日前，经江苏省淮安市淮阴区人民法院裁定，江苏时代芯存半导体有限公司（简称AMS）予以重组。北京时代全芯存储技术股份有限公司（以下简称AMT）不再持有AMS股权，不再承担AMS的运营和责任。 ...

由于资通讯产业成长趋缓，村田、三星近期公布去年第四季财报，营收、获利均下滑，显示市场仍处于供过于求，供应商面对价格压力难以纾解，持续进行产能管控。 ...

各类直流电机与人们的现代生活息息相关，然而电机功率驱动却一直面临着各式各样的挑战，涉及到高效率、高负载功率以及低成本等各个方面。本文介绍一款微型家用玩具类电机的低成本驱动解决方案。为降低成本，作者采用了模拟分立元器件，提供了一种另类的低成本设计思路。 ...

在微电子所开发的A-Si TFT工艺PDK套件中，除薄膜晶体管、电容等常规器件，还包括电极、焊盘和通孔等定制单元。其它功能模块包含…… ...

机器人可以说是目前最炙手可热的话题，人形机器人和通用人工智能可以说是未来科技行业的制高点，也就在今年10月，工业和信息化部印发《人形机器人创新发展指导意见》，将人形机器人 ...

规划投资2亿元的四川洪芯微，也是是四川遂宁现代产业高端突围项目之一，曾被看作打破了遂宁无“芯”的历史。 ...

在先进集成电路制造工艺中, 纳米环栅器件（GAA）正取代FinFET成为集成电路中的核心器件。 ...

由于全球经济环境充满变量，OEM及ODM均保守看待市况，预估2024年MLCC需求量将微幅上升3%，约43,310亿颗。 ...

由于电子器件的频率和性能不断提高，要求与之匹配的二极管必须具备恢复时间短，反向恢复电流小和软恢复等特点。而快恢复二极管(FRD)因具备上述特点而被广泛应用。本文简要介绍快恢复二极管的反向恢复过程，及基于TCAD软件工具采取一系列方法优化恢复二极管的反向恢复，使其能够实现快速而软的恢复。 ...

由于光耦合器本身存在的限制，TI（德州仪器）最近宣布推出光耦仿真器，基于二氧化硅的隔离势垒，避免了传统光耦基于LED结构的诸多问题，据说寿命超过了40年... ...

本文为大家介绍氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势，以及如何权衡利弊。主要权衡因素之一是开关损耗，开关损耗会被高di/dt和dv/dt放大，造成电路噪声。为了减少电路噪声，需要认真考虑栅极电阻的选择，从而不必延长死区时间而造成功率损耗。本文介绍选择栅极电阻时的考虑因素，如脉冲功率、脉冲时间和温度、稳定性、寄生电感等。同时，将和大家探讨不同类型的栅极电阻及其在该应用中的优缺点。 ...

在不断发展的汽车、可再生能源和工业应用中，工程师将能够借助 SiC 器件的特性，解决功率密度和散热方面的诸多挑战。凭借 1700V 系列 SiC MOSFET 和二极管，安森美满足了市场对具有更高击穿电压的器件的需求。此外，安森美还为新兴的太阳能、固态变压器和固态断路器应用开发了 2000V SiC MOSFET 技术。 ...

罗姆在最近的PCIM Asia展会上，展示了最新的碳化硅与氮化镓新品，尤其是EcoGaN品牌的GaN HEMT器件，以及前不久才发布的Power Stage IC——后者有可能会成为市场爆款。 ...

该系列先期推出的两款产品SGT120R65AL 和 SGT65R65AL都是工业级650V常关G-HEMT™ 晶体管，采用PowerFLAT 5x6 HV贴装封装，额定电流分别为15A和25A，在25°C时的典型导通电阻(RDS(on))分别为75mΩ和49mΩ。此外，3nC和5.4nC的总栅极电荷和低寄生电容确保晶体管具有最小的导通/关断能量损耗。 ...

虽说市场仍处在下行期，但在前不久慕展的TDK展位上，我们和现场工作人员聊了聊，看到了一些新的市场热点…… ...