中科院微电子所28nm 嵌入式RRAM IP赋能先进显示芯片在京量产

当前，Flash遇到制程微缩瓶颈，大规模量产停滞在40nm。中科院微电子所刘明院士团队推出创新突破性的28nm嵌入式RRAM IP，成功应用于全球首款28nm先进显示芯片并实现量产。

近日，北京经济技术开发区（北京亦庄）显示高技术企业宣布全球首款应用28nm RRAM IP 的28nm先进工艺SoC高端显示芯片在京完成量产，并成功应用于国内头部客户的Mini LED（次毫米发光二极管）高端系列电视中。该款芯片内置RRAM（Resistive Random Access Memory，阻变存储器）存储模块，其存储核心技术和RRAM IP由中国科学院微电子研究所研发，画质调节算法由亦庄企业研制。此产品的量产标志着世界上首次采用28nm嵌入式RRAM IP的先进商用TCON（Timing Controller）画质调节芯片的诞生，显示类芯片由此进入到一个新的半导体工艺高度。

刘明院士表示，“微电子所研究团队在半导体存储领域，特别是在RRAM领域进行了超过二十年的系统性研究，创建了从材料、工艺、器件、电路到芯片与系统的全流程完整自主知识产权体系”。该款28nm显示芯片由微电子所团队与亦庄企业合作研发完成，具有完全自主知识产权，是国内显示芯片产品的破局之作。同时该芯片在京量产打造了又一个产学研用的成功范例，为"国家队"先进集成电路技术开展大规模产业化应用走出了一条新路径。