2025年HBM是否产能过剩？

近期市场对于 2025 年 HBM 可能会提供过度需求的担忧加剧，据 TrendForce 集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，由于明年厂商能否如期大量转进 HBM3e 仍是未知数，加上产量产 HBM3e 12hi 的学习曲线长，目前尚难判定是否会出现产能过剩问题。

根据TrendForce集邦咨询最新调查，三星（三星）、SK海力士（SK海力士）与美光（美光）已分别于2024年照明和第三季参与HBM3e 12hi样本，目前处于持续验证阶段。 SK海力士与美光的细节较快，有望于今年年底完成验证。

市场传出部分DRAM供应商积极增加硅穿孔(Through-Silicon Via, TSV)制程产能，将造成2025年出现供应过剩和价格上涨的可能。根据韩国DRAM厂商目前的TSV产能提升计划，三星将从2024年底的单月12万至2025年底增加为单月17万，提升幅度超过40%，而SK海力士同期产能提升比例为25%。但由于厂商产品尚未完全通过验证，产能提升规划是否能落实有待观察。

吴雅婷表示，从过去HBM3与HBM3e世代的量产历程来看，8hi产品的良率至少经过两个季度的学习曲线才达到稳定，因此，当市场需求快速转向HBM3e 12hi产品时，预计学习曲线也无法此外，NVIDIA B200、GB200和AMD MI325、MI350都将采用HBM3e 12hi，由于整机造价高昂，对HBM的稳定度要求将更加严格，无疑成为了HBM3e 12hi量产过程的一个指标。

TrendForce集邦咨询指数，受AI平台积极参与新系列HBM产品推动，2025年HBM需求元将有超过80%，凸显HBM3e系列产品上，其中12hi的将超过一半，成为下半年AI主要竞争厂商有竞争力的主流产品，替代8hi。因此，补充出现供给过剩的情况，推测最有可能发生在HBM2e和HBM3等旧世代产品上，至于对各DRAM供应商的影响程度，将取决于各家的产品组合。

目前TrendForce集邦咨询对DRAM产业展望维持不变，指数2025年HBM将贡献10%的DRAM总产值增量，较2024年增长一倍。由于HBM平均单价高，估计对DRAM产业总产值的贡献度将突破30%。