AOS推出面向高功率 USB PD 3.1 EPR 应用的新型XSPairFET™ 升降压 MOSFET
时间：2024-07-01 08:52:43
作者：AOS供稿
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日前，集设计、研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体、芯片及数字电源产品供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS，纳斯达克代码：AOSL）推出了新型XSPairFET™ MOSFET，AONZ66412，专为 USB PD 3.1 扩展功率范围 (EPR) 应用中的升降压转换器而设计。USB PD 3.1 EPR 将 USB-C 端口的功率传输能力提高至 240W。而 AONZ66412 是一款40V对称双通道N 沟道 MOSFET半桥功率模块，集成于5mmx6mm XSPairFET™ 单体封装中，支持最常见的功率范围，在28V工作电压时传输能力高达 140W。
AONZ66412可以取代两个DFN5x6封装MOSFET，在提高能效的同时，减少元器件数量并简化4顆开关升降压架构的设计布局，是Type-C USB 3.1 EPR 应用中（包括笔记本电脑、USB 集线器和移动电源设备）升降压转换器的理想选择。
AONZ66412 采用最新的倒装（bottom source）封装技术，是AOS XSPairFET™系列的扩展。由于降低驱动及功率回路的寄生电感，AONZ66412具有较低的开关节点振铃。采用DFN5x6 XSPairFET™ 封装，AONZ66412集成了高侧和低侧功率 MOSFET（最大导通电阻为 3.8mOhms），低侧MOSFET源极直接连接到PCB上的裸露焊盘，以增强其散热性能。改进的封装寄生参数，使1MHz开关频率运行成为可能，进而有利于减小电感器的尺寸。经过测试，在28V输入电压、17.6V 输出和典型 USB PD 3.1 EPR 1MHz开关频率，8A 负载条件下，AONZ66412可实现高达 97%的效率。
“AOS 专门设计了 AONZ66412 来满足Type C PD 扩展功率范围应用需求，减少电路板占位空间并提高功率密度，帮助设计人员为广泛采用USB-PD Type C 应用实现设定的高效性能目标。 AOS 仍然是升降压架构解决方案的领先创新者。”AOS MOSFET 产品线市场总监 Rack Tsai 表示。
| Part Number | Package | VIN (V) | VGS (±V) | RDS(ON) (mΩ max) at VGS= | VGS (±V)(max V) | Ciss (pF) | Coss (pF) | Crss (pF) | Qg (nC) | Qgd (nC) | ||
| 10V | 4.5V | |||||||||||
| AONZ66412 | DFN 5x6 | High Side (Q1) | 40 | 20 | 2.4 | 3.8 | 2.3 | 3100 | 560 | 45 | 18 | 2.8 |
| Low Side (Q2) | 40 | 20 | 2.4 | 3.8 | 2.3 | 3100 | 560 | 45 | 18 | 2.8 |
AONZ66412 可立即批量供货，大宗订货交货期为 16 周。 1,000 件起购，单价为 1.56 美元。
Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS）为集设计、开发生产与全球销售一体的功率半导体供应商。AOS提供广泛的功率半导体产品线，包括完整的 Power MOSFET, SiC, IGBT, IPM, TVS, Gate Drivers, Power IC以及数字电源产品系列。AOS开发了广泛的知识产权和技术知识，涵盖功率半导体行业的最新进展，使我们能够引入并创新产品，以满足先进电子产品日益复杂的功率要求。AOS的特色在于通过其先进的分立器件和IC半导体工艺制程、产品设计和先进的封装技术，来开发高性能电源管理解决方案。其产品组合广泛应用于包括便携式计算机、平板电视、LED照明、智能手机、电池组、面向消费类和工业类电机控制以及电视、计算机、服务器和电信设备的电源。欲了解更多信息，请访问AOS官方网站www.aosmd.com。
本文由AOS供稿，电子工程专辑对文中陈述、观点保持中立
