AOS推出 600V 50mohm aMOS7™超结高压 MOSFET针对超大规模数据中心、5G 整流器、EV 充电和 PV 逆变器进行了优化

日前，集设计研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体及芯片供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited （AOS, 纳斯达克代码:AOSL)推出 600V aMOS7™ 超结高压MOSFET。 aMOS7™ 是 AOS最新一代高压 MOSFET平台，旨在满足服务器、工作站、通信电源整流器、太阳能逆变器、EV 充电、电机驱动和工业电源应用等高效率和高密度电源设计需求。

当今的服务器电源需要达到钛金效率等级，这也意味着在 PFC 和 LLC的峰值效率需要高达98.5%以上。使用有源整流桥和无桥设计是当前比较容易实现钛金效率的解决方案；然而，开关和驱动损耗仍然是设计人员所面临的一大挑战，尤其在轻载条件下。 现有超结技术受限于较大的单元间距和较多的驱动电荷量，很难满足钛金等级的效率要求。

新一代超结产品在减少驱动电荷量的同时兼顾了元件的稳健性，可满足当前市场上有广泛应用需求。此外，aMOS7™具备低 Qrr 和 Trr 等特性，完美满足了LLC 和 PSFB等应用的瞬态和异常工况下的要求，正是高功率、高性能电源设计的最佳方案。

针对太阳能应用，最先进的设计常采用低导通电阻的 SMD 元件搭配 3D 结构和散热设计来进一步缩小外形尺寸。 aMOS7™ 提供齐全的 Rdson 范围以及多种SMD 封装选择，包含 DFN、TOLL 和顶部散热封装等，供设计者以优化太阳能电源设计。

对于固态继电器（Solid-State Relays）或有源整流桥（Active Bridges）等低频率的应用，MOSFET的体二极管也必须具备强壮的安全操作范围（ SOA），以承受应用时的浪涌电压和浪涌电流。 aMOS7™ 具有很低的 Rdson 温度系数以及稳健的体二极管，可适应于瞬态电压和电流的过载场景，充分满足固态继电器或有源整流桥等应用需求。

AOK050V60A7 是AOS发布的第一款aMOS7产品 ，采用行业标准TO-247 封装的600V 50mOhm器件，专为当今的高功率 AC/DC、DC/DC 和太阳能逆变器应用量身定制。 随着欧盟 ERP Lot9 法规将单个 PSU 的效率推向钛级，AOS aMOS7™ 600V 低欧姆系列为单端拓扑、交错、双升压、图腾柱和 Vienna PFC 以及其他硬开关拓扑提供理想的解决方案。 经过优化的AOK050V60A7将为客户提供出色的开关性能，具有极快的开通、关断速度，同时避免了误触发导通或上下直通的风险。 后续我们将陆续推出32mohm、40mohm、65mohm 和 105mohm 及不同封装的解决方案，以对应不同应用的需求。

AOS 产品线和全球电源业务资深总监 Richard Zhang 表示：“与我们现有的aMOS5™ 解决方案相比，aMOS7™新的电荷平衡技术可以进一步减少高达 50% 的有源面积。 总的来说，aMOS7™ 是业界领先的高压超结解决方案，可完美满足关注效率和成本的市场需求”。

技术亮点

• 具有超低开关损耗的低导通电阻器件
• 坚固的体二极管和可选带快恢复二极管（降低 Qrr），适用于更多应用场
• 坚固的 SOA 和浪涌电流能力，适用于固态继电器和有源整流桥应用
• 针对高功率和低功率SMPS、太阳能逆变器和电动汽车直流充电应用进行了优化。

报价与供应

AOK050V60A7 (600V 50mOhm TO-247) 已实现量产，交货期为 26 周。 1000个起订，AOK050V60A7的单价为 9.27 美元。

关于AOS

Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS）为集设计、开发生产与全球销售一体的功率半导体供应商，AOS提供广泛的功率半导体产品线，包括完整的 Power MOSFET, IGBT, IPM, TVS, HVIC, SiC, Power IC以及数字电源产品系列。

AOS开发了广泛的知识产权和技术知识，涵盖功率半导体行业的最新进展，使我们能够引入并创新产品，以满足先进电子产品日益复杂的功率要求。AOS的特色在于通过其先进的分立器件和IC半导体工艺制程、产品设计和先进的封装技术，来开发高性能电源管理解决方案。

其产品组合广泛应用于包括便携式计算机、平板电视、LED照明、智能手机、电池组、面向消费类和工业类电机控制以及电视、计算机、服务器和电信设备的电源。欲了解更多信息，请访问AOS官方网站http://www.aosmd.com。