EUV光刻机向1nm进军

光刻机的发货和配置过程都是很漫长的过程，需要两年的时间，0.55NA的大规模应用要等到2025~2026年了，主要的服务应该是台积电2nm甚至1nm等工艺。EUV光刻机预计2021年年底，3600D将开始交付，30mJ/cm2下的晶圆通量是160片，比3400C的效率提高了18%，机器之间的匹配也增加了，预计未来会是台积电、三星3nm制程的主要依托。在3600D之后，EUV规划的光刻机分别是NEXT、EXT:5000和EXE:5200,其中EXE：5000开始，数值孔径提高到0.55，但要等待2022年晚些时候发货了。

光刻机中的主要部件硅片、曝光洁净室逼近物理极限，也是一个很大的挑战，现如今，5nm/7nm光刻机需要10多万的零件，大约需要40个集装箱，而1nm的光刻机要比3nm的还大一倍，所需的器件可想而知了。随着芯片的尺寸越来越小，所需要的工序也越来越多。

半导体工艺生成比较复杂，半导体装备至少也有20几种，光刻机不过只是其中一个而已。“一代设备，一代芯片”，除了光刻机之外，其他的设备也都需要达到足够先进的水平才能满足高级制程工艺芯片生产的需要。

在中美贸易战的影响下，如果半导体装备也不能够及时的创新，改进生产工艺，那么国内的芯片加工厂就一日没办法生产更先进的芯片。

ASML现在主力出货的EUV光刻机分别是NXE：3400B和3400C，它们的数值孔径（NA）均为0.33，3400C目前的可用性已经达到90%左右。下一步正式向1nm进军，研发高端芯片产品。

（图源：凤凰网，侵删）

责编：Gavin