在高功率器件领域，宽带隙氮化镓器件的应用正在日益增长。但通常这指的都是横向氮化镓结构。而如今，电压更高、电流更大以及开关速度更快的垂直氮化镓已经问世。关于垂直氮化镓技术的进展和应用，且听本期精英访谈中资深专家的介绍…..
本期访谈的专家是在俄亥俄州立大学获得电气工程博士学位的Robert。他的研究领域包括宽带隙光电子学和可靠性物理学，目前专注于研究宽带隙、超宽带隙材料和器件。
对于节能和紧凑型功率转换系统来说，氮化镓(GaN)功率器件是非常理想的选择。在硅功率电子器件领域，横向GaN已经取得了快速进展。近期，在功率器件领域，随着高质量GaN大基底的问世，也催生了垂直GaN技术的推广应用，该技术可以使器件实现更高的击穿电压、更大的电流和更优异的开关性能。由于基于GaN基底，垂直GaN技术可以发挥GaN材料特性的全部潜力。
Maurizio Di Paolo Emilio：
Robert，目前业界都知道横向GaN，但垂直GaN技术也开始有所进展。本期讨论主题就是垂直GaN。在开始之前，请先自我介绍一下。
Robert Kaplar：
我是桑迪亚国家实验室和新墨西哥州Albuquerque公司的经理。我的团队非常关注基于氮化物的材料和器件，例如氮化镓。我们正在研究的一个领域就是功率电子和功率器件，特别是本期将讨论的这些垂直氮化镓器件。
Maurizio Di Paolo Emilio：
横向GaN硅或碳化硅器件上的GaN结合了热膨胀系数失配的材料。此外，可以说，在典型的GaN HEMT器件中，沟道非常靠近表面，大约为几百纳米数量级，这可能会产生钝化的冷却问题。在一个横向的硅基氮化镓器件中，漏源隔离决定了器件的击穿电压，所以差别很大。你们能解决这些器件之间的技术差异吗？GaN在横向和垂直技术方面的主要技术差异是什么？
Robert Kaplar：
我们倾向于将横向器件视为已经开发的一些射频GaN器件的近亲，它基于的是异质结构，电流的传输是通过二维电子气进行的，在很大程度上它是一种面向表面的器件。
而垂直GaN器件，虽然仍是GaN，但在器件的结构和GaN的基本特性方面却有很大不同。具体表现在以下几个方面：
首先，垂直GaN器件类似于分立硅或碳化硅功率器件。如果看器件横截面草图会发现，垂直GaN具有与硅或碳化硅非常相似的特征。它通常有一个原生基底，即氮化镓基底(虽然不一定是这样，但这是首选)，这是一个区别。
其次，垂直GaN有一个很厚的漂移层，即阻挡电压的层，也叫阻流器。传输是垂直的，电场往往也是以垂直为主。
还有，它也不是表面器件，其最高电场位于器件内的PN结处。有人可能喜欢以二极管为例，实际上任何器件都有需要处理的边缘端点。如果它是一个MOSFET，会在顶部有一个电介质。
再就是材料性质有一些不同。实际上，垂直GaN在处理方面也有不同。
Maurizio Di Paolo Emilio：
上面提到了很多功能差异，但对于满足重要应用来说，哪个是最重要的考虑因素呢？为什么需要将垂直GaN与横向GaN器件相比？是由于其输出电容小，导致开关损耗非常小？还有，通过同质材料就可保持最佳传输性能，而无需用额外的层导向封装，并从器件的顶部和底部脱离框架？是这样吗？
Robert Kaplar：
是的。关键的区别可能是，电压下降是在最高场中的那个埋在器件中的厚漂移层上，所以，至少是第一阶场，允许人们根据该层的厚度来缩放垂直GaN器件的电压，而不是横向缩放电压。因此，只需横向缩放来增加器件的电流(而对于HEMT来说，电压和电流的缩放都是在横向完成的)。这样就有可能实现更高的电压。
至于所说的中压，我倾向于将其定义为1.2KV到大约20KV之间。也许会看到不同的定义，并不是说这对于HEMT是不可能的，但是要知道，横向缩放可能没有什么优势。垂直器件确实会发生雪崩击穿，至少在某些类型的器件中，这些器件已被许多人展示为二极管。这对于大功率电子器件来说很重要。
至于一些热性能，对于HEMT来说确实有很多接口。它们的材料中往往有更多的缺陷，比如错位和类似的东西，并不是说这些是禁止的，但是对于同质外延材料来说，由于器件中缺乏这些接口，并且缺乏散射中心关断缺陷和类似的东西，人们往往会采用更简单的热传输。当然有人可能会问，垂直GaN与其他一些技术(包括硅或碳化硅、以及横向GaN)比较如何？我认为GaN确实具有一些材料优势，其中一些仍在实际评估中，因为直到最近我们才接触到这种高质量的材料。所以，我们也想知道这些东西的比较情况如何，在材料、属性处理以及类似这些方面，还需要做哪些额外工作。我们确实有一些关于汽车应用以及一些与电网相关应用的想法，如避雷器和类似的东西，可能是比较适合开始切入的地方。
Maurizio Di Paolo Emilio：
对于下一代功率解决方案以及功率器件，出了需要满足性能和价值要求外，还必须考虑效率因素。在这种情况下，GaN将成为主流技术。然而，此时出现了一个问题，即对于特定应用而言，最佳解决方案是什么？比如，是硅基GaN、碳化硅基GaN，或者说，GaN基GaN。GaN的默认基底是硅或碳化硅。碳化硅在射频领域有很多应用。GaN基GaN与其他产品相比，碳化硅的导热性比GaN高很多。另外，GaN中的电子迁移率远高于碳化硅，在横向器件中，这也是二维电子气的原因。因此，如果切换到垂直器件，在这种情况下可能会失去一些优势。所以该怎么看？
Robert Kaplar：
射频领域中有一种标准的GaN器件，即GaN HEMTon碳化硅。GaN的导热系数更高，这与硅有些相似。当然，正如之前提到的那样，它确实取决于材料中的缺陷，它可能取决于掺杂、几何形状等等。据我了解，碳化硅器件上的GaN仍然受到热限制。也确实存在界面效应，以及其他诸如此类的东西。对于GaN基GaN而言，可能在射频以及一些垂直器件中有一些应用。
我们的团队目前更多地关注功率开关领域，也会讨论前面所提到的一些热问题。但是，这不仅与热导率有关，而且与迁移率也有关，还有人们已经测量过的载流子寿命的其他材料特性等，这些都可能会影响这些器件(例如，单极与双极器件。)的行为方式。对于单极器件来说，迁移性是关键。关于这点，目前仍存在争论。实际上垂直GaN中的迁移率究竟是多少？对此有各种不同报道。请记住，这是一个整体迁移率，其主要电流方向是沿z轴、是垂直的。这在物理上与今天的迁移率有很大不同。其中一些报告说，其迁移性与目前的HEMT的迁移性相当。所以，对于垂直GaN来说，这实际上可能是一个非常好的情况，特别是在高质量的同质外延型材料方面以及相关领域，确实还有许多工作要做。
Maurizio Di Paolo Emilio：
垂直GaN器件的工作频率更高，并能在更高的电压下工作，这应该会产生新一代更高效的功率器件。目前存在哪些方面的挑战？相对于横向GaN，制造方面存在的问题是什么，再利用成本方面又有什么问题？这也很重要，我们是仅在学术上讨论垂直GaN，还是可以在市场上找到具体应用？
Robert Kaplar：
关键的挑战之一是基底。就所见过的基底尺寸而言，两者都达到了四英寸。有些公司声称的尺寸更大。而且，就各种类型的缺陷而言，包括这些基底的质量，以及它们的均匀性和再现性。所以这是非常关键的一门课程，一切都需要从基底开始。但就器件本身而言，漂移层当然要提供更高的电压，必须做得那么厚，并进行低掺杂。所以这方面会有一些挑战。这取决于生长技术，但是，诸如补偿缺陷之类的东西，往往会抵消刻意的掺杂作用。同样，这指向了这些非常厚的层上的基本生长和缺陷研究。所以这些都很关键。
在处理之前提到的器件方面，如果看一下垂直GaN、PN二极管或MOSFET的横截面，会发现它类似于在硅或碳化硅中看到的，但材料同样是有区别的。这将导致处理方面的显著差异。
最大的挑战之一是实现选择性区域掺杂，因此要交换P型和N型掺杂区域。对于一些更先进的器件架构，例如JBS二极管或双A MOSFET，需要这样做。因此，不同的工程团队在用不同的方法来实现高质量的接口，即这些PN结。这方面的进展很大，但是，仍有大量工作要做。
另一个领域与电介质、栅极电介质、钝化素有关。这些都是存在根本问题的要素，需要将所有这些要素代入标准流程，并且需要一个制造型的环境。这也是我们团队一直正在努力的事情。目前很多这方面的工作仍然是学术性的，有些仍在实验室里，我知道至少有一家公司、也许有几家公司正在从事这方面的研究。我们的团队一直在尝试使技术成熟起来，以形成具有高良率的可重复工艺等。
Maurizio Di Paolo Emilio：
最后一个问题是……全球视野。市场正在继续竞相寻求更大的功率器件。在功率应用方面，尤其是在电力市场中，碳化硅和氮化镓半导体比硅半导体更具优势。然而，在设计基底晶圆方面，使用这些宽带隙半导体的设计人员不得不面临一些真正的挑战。那么，你对下一代有何期待？相比而言，GaN和碳化硅的未来会怎样，尤其是对垂直和横向GaN技术而言？未来在哪些领域会有重大的技术发展机会？
Robert Kaplar：
我认为所有这些技术都有一席之地。电动汽车市场也确实在迅速扩张，碳化硅在那里找到了一个很好的用武之地。这会推动这项技术的成熟，甚至更进一步。我们正在研究垂直GaN在车辆传动系统领域的潜在应用，且认为GaN会有一些优势。横向GaN往往适合于低功率、低电压、开关频率非常高的应用。所以，横向GaN会在那个领域继续发展。除了汽车、地面车辆之外的其他交通领域，总体而言都在推进电气化，这真的很令人兴奋，而航空、铁路、海洋，这些往往会更多地步入中压应用。例如航空领域，需要通过提高电压来减少一些电缆重量。所以这些中压型器件可以在那里得到应用，因而垂直GaN也可以在那里找到归宿。另一个大领域当然是电网，特别是可再生能源存储领域。这个领域的重点是弹性、固态变电站和变压器，诸如此类。
在上述这些领域中，碳化硅和垂直GaN也可以找到用武之地。我们一直在研究垂直GaN在电网、避雷器等相关领域中的一些特殊应用。这也是我们团队一直关注的一个领域。显而易见，上述所有领域里的应用都在扩大。
最后，我还想告诉读者，未来还有更加新型的材料即将问世，比如其他一些超宽带隙材料。这些材料包括氮化物、铝、氮化硼……氧化镓则是另一种，还有金刚石，还有其他一些材料。不过目前这些还都处于早期阶段，我们的团队也一直在研究其中的一部分，也有很多其他小组都在研究。这也是读者需要关注的新研究领域。
本文为《电子工程专辑》2022年6月刊杂志文章，版权所有，禁止转载。点击申请免费杂志订
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