这一“里程碑”成绩主要得益于人工智能（AI）应用对高带宽内存（HBM）需求的爆发式增长，SK海力士在HBM细分市场的占有率超过70%。
得益于AI和数据中心领域对高性能计算内存的需求激增，SK海力士超越三星电子，成为全球最大的DRAM供应商。根据Counterpoint Research的数据，今年第一季度，SK海力士在DRAM市场的份额为36%。紧随其后的是三星的34%和美光的25%。
毫无疑问，SK海力士的崛起与其在高带宽存储器（HBM）领域的领先地位息息相关。而这一“里程碑”成绩主要得益于人工智能（AI）应用对高带宽内存（HBM）需求的爆发式增长，SK海力士在HBM细分市场的占有率超过70%。
近年来，尽管智能手机、笔记本电脑等消费电子市场增长乏力，导致消费级DRAM需求疲软，但AI技术的发展和数据中心的扩展显著推动了高性能存储需求，特别是HBM（高带宽内存）和DDR5等高端产品的需求增长。2024年HBM产品在AI领域的营收预计占全球DRAM市场的20%。
SK海力士自1984年进入半导体领域以来，通过多次技术并购与创新奠定了行业地位。重要的发展节点包括：2013年全球首款采用TSV技术的HBM研发成功；2022年量产238层4D NAND闪存；2023年推出12层堆叠的24GB HBM3 DRAM；2024年第六代10nm工艺（1c节点）的16Gb DDR5 DRAM问世，速度达8Gbps，较前代提升11%，能效提高9%。
这些技术突破使SK海力士在高端DRAM领域占据先机，尤其是HBM技术成为AI服务器和GPU的核心组件。
目前，SK海力士的HBM3和HBM3E产品因高性能和低功耗特性，成为英伟达等AI芯片厂商的首选。HBM价格是普通DRAM的6-7倍，尽管仅占SK海力士DRAM收入的15%，却贡献了主要利润。
尽管三星电子工艺成本低20%-30%，但HBM转型滞后。2025年三星电子Q1 HBM市场份额不足30%，且12层HBM3E样品交付延迟，导致DRAM产能被挤占，份额下滑至34%。
而美光科技凭借12层HBM3E的量产（容量提升50%，功耗降20%），市场份额稳定在25%，目标在HBM领域达到20%占比。但其技术迭代速度仍落后于SK海力士。
作为HBM的主力供应商，SK海力士正在向其主要客户英伟达和其他客户提供最新版本的HBM3E。该公司还开发了后续产品HBM4，并已向客户提供样品。
SK海力士首席执行官郭鲁正(Kwak Noh-Jung)最近表示，该公司今年的HBM产能已经售罄。在与客户谈判于今年上半年结束后，预计2026年的产能也将在年内售罄。
目前，HBM（高带宽内存）市场已成为DRAM行业的重要增长点。Counterpoint Research预计，SK海力士将在第二季度继续成为DRAM的最大供应商。
由于人工智能需求强劲，预计HBM市场受美国关税的影响也将小于其他行业。
关于美国“对等关税”，Counterpoint Research认为，短期内HBM细分市场不会受到冲击，长期来看可能受到国际经贸形势变化带来的结构性挑战。
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