目前英特尔采取了“产能匹配”策略，即需确保“投资节奏与市场需求一致”，避免过度投入导致产能闲置。这番说辞或意味着英特尔面对巨大财务压力作出了不得已的战略调整。
在业绩承压、技术落地等多重因素的影响下，芯片大厂英特尔曾经许下的“千亿美元”投资承诺再次延宕。
2月28日，英特尔宣布，将推迟在美国俄亥俄州投建芯片制造综合体Ohio One的计划。根据最新消息，该计划的核心项目——俄亥俄州晶圆厂建设已两次延期：原定2025年投产，后推迟至2027年，最新计划显示首座工厂2030年投产，第二座延至2032年。
对于延期计划，英特尔代工制造副总裁兼全球运营官Naga Chandrasekaran表示，“随着我们继续在美国工厂进行投资，我认为重要的是，要使我们晶圆厂的投产与我们的业务需求和更广泛的市场需求保持一致。这是我们一贯的做法，因为它使我们能够负责任地管理我们的资本，并适应客户的需求。”
作为曾经的全球芯片霸主，英特尔在美国半导体制造回流计划中被寄予厚望。此前，美国政府通过《芯片与科学法案》为其提供85亿美元直接资金和110亿美元贷款，以撬动千亿级投资。然而，因在俄亥俄州的芯片工厂建设进度推迟以及公司面临的财务困境，英特尔此前被授予的补贴金额被削减至不足80亿美元。
伴随英特尔再次推迟投建计划，以及特朗普政府或将对芯片法案作一些调整，英特尔未来先进芯片制造之路，将面临更大的挑战和不确定性。
“千亿美元”芯片制造计划数次延期
实际上，10nm芯片工艺的多次延期，就给英特尔在芯片制造领域逐渐落后埋下了伏笔。
英特尔在2015年宣布了10nm工艺技术，但量产时间从2017年一再推迟，最终于2019年才实现量产。这一延期不仅导致英特尔在制程技术上的落后，还使其在市场竞争中处于不利地位。
此外，英特尔在10nm节点上采用了多项先进技术，但这些技术的应用反而降低了芯片的良率。而台积电和三星等竞争对手却在先进制程技术上取得了显著突破。其中，台积电早在2017年就已进入7nm工艺，更在2021年风险量产3nm工艺。
由于技术滞后和市场份额流失，英特尔的市值也受到了影响。例如，AMD在2019年率先采用10nm工艺，而英特尔直到2021年才推出服务器版Ice Lake处理器。这种差距使得英特尔在高端市场的竞争力下降，进一步削弱了其市场地位。
2022年1月，在疫情期间芯片短缺以及美国芯片制造回流计划的影响下，英特尔宣布了1000亿美元的大规模芯片制造投资计划。这家芯片巨头希望在恢复芯片领域的领导地位的同时，进一步减少美国对亚洲芯片工厂的依赖。
根据计划，英特尔将在美国四个州（亚利桑那州、新墨西哥州、俄亥俄州和俄勒冈州）投入1000亿美元，用于建设和扩建工厂，并寻求额外250亿美元的税收减免，最终形成8家工厂的规模。这些工厂将占地约1000英亩，预计将在2025年投入运营，初期将创造3000个英特尔工作岗位和7000个建筑工作岗位。新工厂将采用先进的RibbonFET和PowerVia技术，开启半导体的埃米时代。
这一“千亿美元”芯片制造计划，与前任英特尔CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）提出的IDM 2.0战略相辅相成。该战略旨在通过内部生产、扩大第三方代工合作以及投资打造世界级的代工业务，重新确立英特尔在芯片制造领域的技术领先地位。
根据该战略目标，英特尔计划通过这些工厂，包括在海外的芯片制造工厂，提升其在全球芯片代工市场的竞争力，目标是在2030年成为全球第二大代工厂。
不过，在巨大的财务压力以及台积电、三星等的竞争下，英特尔的“宏伟目标”——“千亿美元”投资计划不断被修正时间。2024年3月，英特尔曾表示第一座工厂和第二座工厂均计划于2026年至2027年完工，并于约一年后正式投运。但英特尔最新的公布的信息是，至少再次推迟四年时间。
多重因素导致芯片制造落后
从过去十年的发展进程来看，英特尔芯片制造落后的原因要归咎于技术选择、战略失误、市场竞争以及内部管理等多重因素。
首先，英特尔在技术转型过程中出现了重大失误，尤其是在10纳米和7纳米工艺的研发上多次延期。英特尔原计划在2017年推出10纳米工艺，但因技术问题和产能不足，最终晚于竞争对手台积电两年半才推出，导致其在先进制程上的领先地位被削弱。此外，英特尔在7纳米工艺的研发中也面临失败，部分芯片生产被外包给台积电，进一步暴露了其技术能力的不足。
其次，英特尔采用的是集成设计制造（IDM）模式，即同时负责芯片的设计和制造。这种模式虽然曾是其优势，但在高端制程领域逐渐显现劣势。由于设计和制造部门缺乏充分的竞争压力，导致效率低下，技术和成本控制能力不足。相比之下，专注于代工生产的台积电等公司能够更高效地投入资源进行技术研发。
另外，英特尔在移动互联网和高性能计算市场的竞争中错失良机。其中，英特尔在移动平台上的落后使其市场份额大幅缩水。此外，英特尔未能及时调整战略，继续依赖过去的成就，未能有效应对AMD和英伟达等竞争对手的崛起。
还有，英特尔的垂直整合模式虽然曾是其核心竞争力，但在高端制程领域却成为拖累。其内部缺乏充分的竞争和激励机制，导致设计和制造部门难以快速迭代技术。同时，高昂的研发和生产成本也进一步加剧了其财务压力。
尽管英特尔在IDM 2.0战略下投入了大量资源，包括扩建生产线、研发先进工艺以及与外部代工厂合作，但其工艺水平提升的速度并未达到预期，特别是对代工业务的投入未能迅速转化为市场份额的提升。
最新工艺进展是，英特尔18A工艺预计将于2025年上半年开始试生产，并计划在下半年进入量产阶段。英特尔也已为多个客户项目做好准备，包括爱立信的5G SoC芯片和面向移动平台的AI PC芯片。
但值得一提的是，英特尔还计划将部分18A产品的生产外包给台积电，以确保市场需求的满足。这至少在一定程度上说明英特尔在先进芯片工艺产能上的不足，也意味着其试图通过IDM 2.0战略和EUV技术的应用来改善其制程工艺，以及弥补过去的差距仍需时间验证。
特朗普对芯片法案的态度至关重要
相对雄心勃勃的“千亿美元”投资计划，英特尔反而在削减资本开支，或可能动摇市场对其长期战略和财务能力的信心。
根据最新财报数据，2024全年，英特尔营收531亿美元，同比下降2%；归属于英特尔的净利润由盈转亏，亏损额高达188亿美元，相比上一年的17亿美元，下降了约1205.88%。其中，2024年英特尔代工业务毛利率为负，营业亏损超过130亿美元，预计在2027年底前实现收支平衡的目标。
延续2024年削减资本支出的做法，2025年，英特尔总资本投入将达到约200亿美元，低于预估的200亿-230亿美金，其中，净资本支出为80亿至110亿美元。主要是对俄亥俄州和爱尔兰厂的进一步产能调整，以及剩余资本投入抵消预计来自政府激励措施和税收抵免、合作伙伴支持等。
目前，英特尔已推迟德国、波兰及马来西亚的工厂建设，集中资源保障美国项目，但其在美国本土工厂建设仍然依赖于美国《芯片与科学法》提供的补贴支持。
据悉，目前英特尔已与美国商务部签署了最终协议，根据美国《芯片与科学法案》，该协议将为英特尔提供高达78.6亿美元的直接资助。该公司在2024年第四季度、2025年1月均获得11亿美元，将推进英特尔亚利桑那州新厂建设。
然而，美国总统特朗普对《芯片与科学法案》的态度可能会对英特尔的芯片制造计划产生重要影响。
特朗普多次公开批评《芯片与科学法案》，认为其是“糟糕的计划”，并主张通过增加关税而非直接补贴来振兴美国半导体产业。他甚至威胁要废除该法案，并提出用高关税取代补贴，以迫使外国企业在美国建厂。这种政策立场表明，特朗普政府可能会减少或取消对半导体企业的财政支持，包括英特尔在内的企业可能无法获得预期的补贴资金。
但实际上，英特尔的“千亿美元”投资计划还曾希望“芯片法案2.0”版本的出现。这进一步凸显了英特尔芯片制造计划严重依赖于美国政府的政策补贴。
目前，英特尔的“风险点”和“机会点”均在于18A技术：若芯片需求不及预期或18A技术量产延期，可能引发资金链断裂风险；若成功实现18A技术领先，可重塑代工市场格局。但即使如此，未来3-5年是关键窗口期，英特尔需在财务紧缩与技术突破间找到平衡，同时全球半导体产业的周期性波动与地缘政治博弈将进一步影响其投资计划的最终落地。
目前英特尔采取了“产能匹配”策略，即需确保“投资节奏与市场需求一致”，避免过度投入导致产能闲置。这番说辞或意味着英特尔面对巨大财务压力作出了不得已的战略调整。
然而，根据美国本土化政策，美国政府要求2030年前将先进芯片产能占比提升至20%。作为美国实现这一目标的“核心角色”，英特尔放缓投建计划，无疑又是一个“戏剧性的转变”（美国前商务部长吉娜·雷蒙多曾表示，实现这一目标，对美国来说将是一个戏剧性的转变）。
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