与目前第8代的218层产品相比， 新一代3D闪存实现了33%的NAND接口速度提升，达到4.8Gb/s。
当前，3D NAND技术正在迅速发展，多家厂商正在加速推进300层以上的堆叠技术。
2月20日，日本铠侠控股（Kioxia Holdings）宣布，与闪迪联合开发的第10代BiCS 3D NAND闪存，无论堆叠层数、存储密度、接口速率性能，都达到了新的高度。
据悉，铠侠新闪存采用CBA双晶圆键合技术，分别制造CMOS控制电路、NAND存储阵列，然后键合在一起，类似长江存储的Xtacking晶栈架构。
在堆叠层数上，铠侠（Kioxia）第10代BiCS FLASH™ 3D NAND闪存层数达到332层，对比第8代的218层增加了多达38％，也超过了SK海力士的321层、三星的290层、美光的276层、西数的218层。
同时，该NAND闪存存储密度提升59％，算下来约为每平方毫米36.4Gb，同样远远领先友商，西数也只做到了每平方毫米22.9Gb，SK海力士更是不过每平方毫米20Gb。
此外，与目前第8代的218层产品相比， 新一代3D闪存实现了33%的NAND接口速度提升，达到4.8Gb/s。此外，该技术也显著提升了数据输入/输出的能效，输入功耗降低10%，输出功耗降低34%，成功实现了高性能与低功耗的最优平衡。
铠侠首席技术官宫岛英史表示：“随着人工智能技术的普及，预计产生的数据量将显著增加，同时现代数据中心对能效提升的需求也在增长。铠侠深信，这项新技术将实现更大容量、更高速度和更低功耗的产品，包括用于未来存储解决方案的SSD产品，并为人工智能的发展奠定基础。”
责编：Jimmy.zhang
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