AMD将采用三星4nm工艺技术生产 I/O 芯片

由于受到台积电（TSMC）4nm工艺产能不足的影响，AMD正在推进使用三星电子的4nm工艺晶圆代工技术。

最初有报道称，AMD计划使用台积电3nm级别的工艺技术来制造其下一代“Zen 6”核心芯片（CCDs），并且为服务器和客户端设备开发新的I/O芯片（分别称为cIOD和sIOD）。

当时的消息指出，这些新一代I/O芯片将采用4nm级别的工艺技术制造，具体来说，很可能是台积电的N4P工艺，该工艺也被用于从当前的“Strix Point”移动处理器到未来的“Zen 5”核心芯片等产品的生产上。

The bell的报道证实了AMD正在考虑使用三星电子的4nm工艺来生产其下一代服务器用中央处理器（CPU）的I/O芯片，并为此制作了样品。不过，I/O芯片的大规模生产尚未确定。一位代工业界人士表示：“确实，AMD正在通过三星代工厂进行产品开发，但据我所知，还没有签订大规模生产合同。”他补充说，“单独由三星进行大规模生产的可能性较低，预计会与台积电分担订单。”

业界预计，最快在今年下半年，三星代工厂将开始为AMD生产I/O芯片，因为AMD正在准备明年推出第六代EPYC服务器CPU。

AMD一直通过三星代工厂生产各种产品，目前确认正在生产的包括Xilinx的可编程半导体（FPGA）Spartan系列。

AMD在其服务器CPU产品线EPYC中应用了Chiplet技术，Chiplet技术是将多个芯片（如CPU、GPU、I/O等）连接起来形成一个整体的技术，是克服最近超精细工艺技术瓶颈的一种替代技术。相比单片结构，它可以改善半导体的生产成本和良率。

此次，AMD与三星讨论的产品主要就是I/O芯片，I/O芯片负责半导体的输入输出功能。

4nm工艺的稳定性也是AMD选择三星代工厂的一个原因。近年来AI成为热门趋势，台积电的4nm工艺主要用于生产NVIDIA和AMD的人工智能芯片。

据TechPowerUp报道指出， 三星的4nm工艺节点很可能是三星的4LPP（Low Power Plus）工艺，也称为SF4，该工艺自2022年以来已经大规模生产。图表中比较了三星的SF4、台积电的N4P以及Intel 4这三种工艺。三星的SF4在这三者之间达到了一种平衡。“我们还添加了台积电N5节点的值，N4P工艺就是从N5衍生而来的，你可以看到SF4提供了与N5相当的计算晶体管密度，并且相较于AMD目前用于其sIOD和cIOD当前一代的TSMC N6工艺，在晶体管密度上有显著的提升。”

来源The Bell, Jukanlosreve (Twitter)

三星SF4工艺技术将为AMD减少I/O芯片的热设计功耗（TDP），实施新的电源管理方案，更重要的是，对于新型I/O芯片的需求是由更新内存控制器的需求驱动的，这些内存控制器支持更高的DDR5速度，并且兼容新型DIMM（双列直插内存模块），例如CUDIMMs（一致性升级DIMM）、带有寄存器（RCDs）的RDIMMs等。

目前，4nm工艺是三星的主要工艺，已经用于生产自家的应用处理器（AP）Exynos系列产品和百度的AI芯片。预计今年下半年开始将量产高带宽内存HBM 4芯片，据称不同应用场景下大约保持70%左右的良率。

如果三星能在先进工艺上获得AMD这样的大客户，可以利用这个案例争取更多客户订单。