此次英诺赛科在中国提起诉讼，被视为对英飞凌此前行动的有力反击。
氮化镓作为一种第三代半导体材料，具有高功率密度、高频率和高效率等优势，广泛应用于5G通信、新能源汽车、数据中心等领域。近日，国产氮化镓（GaN）芯片制造商英诺赛科（InnoSciences）与全球半导体巨头英飞凌（Infineon）之间的专利纠纷进一步升级。
2025年1月16日，英诺赛科及其全资附属公司英诺赛科（苏州）半导体有限公司向中国江苏省苏州市中级人民法院提起诉讼，指控英飞凌科技（中国）有限公司、英飞凌科技（无锡）有限公司及苏州芯沃科电子科技有限公司侵犯其两项专利，涉及金额和法律影响引发行业关注。
涉案专利与纠纷背景
此次诉讼涉及的两项专利分别为202311774650.7号和202211387983.X号专利。这两项专利均与氮化镓（GaN）功率器件及其制备方法相关，是英诺赛科在氮化镓领域的重要技术成果。
根据起诉状，英飞凌科技（无锡）有限公司作为英飞凌科技（中国）有限公司的全资控股子公司，在其中文网站上展示、宣传并许诺销售多种型号的氮化镓半导体器件。这些产品被英诺赛科指控为侵权产品。同时，英飞凌科技（中国）有限公司作为侵权产品的进口商和总经销商，苏州芯沃科电子科技有限公司作为其增值分销商，均被卷入此次专利侵权纠纷。
英诺赛科的反击
英诺赛科在公告中表示，经过技术比对，涉案侵权产品落入其专利保护范围。三被告未经允许实施了许诺销售、销售和进口侵权产品的行为，严重侵犯了英诺赛科的专利权。因此，英诺赛科要求三被告停止侵权行为，并承担相应的法律责任和赔偿责任。
此次诉讼并非双方首次在专利问题上交锋。2024年3月，英飞凌曾在美国加利福尼亚州中区法院起诉英诺赛科，声称其氮化镓技术侵犯了英飞凌的美国专利，并寻求禁令救济，强调该专利对其 GaN 功率半导体可靠性和性能的关键涵盖。
随后同年 6 月，英飞凌又在德国慕尼黑地方法院提起诉讼，并于 6 月 12 日获得了初步禁令，禁止英诺赛科在PCIM Europe 2024展会上展示相关产品。此次英诺赛科在中国提起诉讼，被视为对英飞凌此前行动的有力反击。
英诺赛科的立场
英诺赛科官方表示，作为一家专注于宽禁带半导体材料研发和生产的高新技术企业，公司一直致力于自主创新和技术突破。“公司自成立以来就高度重视知识产权管理工作，建立了完善的内部管理制度，确保每一项产品和服务都能够合法合规地推向市场。”
针对此次争议，英诺赛科强调自身拥有独立完整的知识产权体系，并积极采取措施维护合法权益不受侵害。
此外，英诺赛科还透露，早在2023年就已经开始布局海外市场的专利申请工作，目前在多个国家和地区拥有了相当数量的有效授权专利。这些成果为公司在国际市场上赢得了更多的话语权和发展空间。对于英飞凌提出的质疑，英诺赛科认为这是一种试图打压新兴竞争对手、保持市场份额的行为，并呼吁行业内外共同关注和支持本土企业的健康发展。
英飞凌的观点
从英飞凌的角度来看，保护自身的核心技术和商业秘密是企业生存发展的关键所在。作为全球领先的功率半导体供应商之一，英飞凌在过去几十年间投入了大量的资源用于研发创新，积累了丰富的专利组合。因此，当发现市场上出现疑似抄袭或模仿自家产品的现象时，该公司选择通过法律途径来捍卫自己的利益也就不足为奇了。
英飞凌方面指出，其所持有的专利涵盖了从基础理论研究到具体应用实践等多个层面的内容，具有很高的含金量。“而英诺赛科所涉及的产品线中确实存在一些与英飞凌现有技术相似之处，尤其是在某些特定领域内。基于此，英飞凌坚持认为有必要对涉嫌侵权行为进行严肃处理，以防止不正当竞争损害整个行业的健康发展。”
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