三星DRAM工艺面临挑战：1c nm开发延迟，1b nm重新设计

近期，三星电子在 DRAM 领域的动态备受关注。据韩媒 ETNews 报道，三星电子为应对其 12nm 级 DRAM 内存产品在良率和性能方面的双重挑战，已决定在改进现有 1b nm 工艺的同时，从头设计新版 1b nm DRAM，该项目被命名为 D1B-P。同时他们还调整了第六代10纳米级（1C）DRAM的开发计划。

重新设计1b nm DRAM以应对良率和性能困局

三星在 2022 年和 2023 年先后宣布其 12nm 级 DDR5 DRAM 完成开发与批量生产。然而，此工艺在 LPDDR5x 等关键领域未能取得预期成功，致使三星 DS 部门失去了 Galaxy S25 系列手机初期内存一供的地位。

目前，现有 12nm 级 DRAM 工艺的良率仅为 60% 左右，远低于业界大规模量产所需的 80%~90%。为加速 D1B-P 项目的进展，三星电子已于 2024 年底紧急订购了必需设备，预计该制程将于 2025 年内量产，最早可能在今年 2 至 3 季度推出。

1C DRAM制程开发进度出现延迟

另一方面，三星电子的第六代 10 纳米级 1c DRAM 制程开发进度出现延迟。原本计划在 2024 年 12 月将 1c nm 制程 DRAM 的良率提升至 70%，达到结束开发工作、进入量产阶段所需的水平，但实际情况是，尽管三星在 2023 年末成功制得 1c nm DRAM 的良品晶粒，整体良率却无法满足要求。据市场人士透露，三星计划在未来六个月内将良率提升至约 70%。

三星上代 1b nm 内存于 2022 年 10 月完成开发、2023 年 5 月量产，若按新计划，1c DRAM 开发结束时间定于 2025 年中，量产则可能延后到 2025 年底，两代 DRAM 工艺间的间隔会来到约 2.5 年，这明显长于 1.5 年的业界一般开发周期。

在三星电子的竞争对手中，SK 海力士已于 2024 年 8 月底宣布完成 1c DRAM 开发，并计划在 2025 年 2 月开始量产 1c nm DRAM 芯片，成为全球首家运用 1c nm 工艺生产 DRAM 芯片的存储器供应商；美光则计划在 2025 年 4 月达成开发目标。这意味着三星很可能成为最后一家官宣 1c nm DRAM 的三大原厂。

1c nm DRAM 本身的推迟不仅影响了其核心产品 DDR5 内存的量产时间，也波及了高带宽存储器（HBM）的开发，因为HBM4的开发高度依赖1c nm DRAM技术。三星此前计划在 2025 年内量产基于 1c nm DRAM 和 4nm 逻辑芯片的 HBM4，以领先制程赢得竞争优势，此次延迟无疑将影响 HBM4 的整个市场布局。

应对策略和技术调整

为应对这一挑战，三星电子正在对 1c nm DRAM 的设计进行调整，并尽可能地加快开发时间。业内消息人士表示，能否在预定时间内实现量产仍存在不确定性。

在这场 DRAM 工艺的竞赛中，三星电子面临着良率和性能提升的双重压力，以及竞争对手的挑战。其后续的发展动态将受到业界的密切关注，而三星如何在竞争中把握机遇，将直接影响其未来的市场表现。