继美光、三星、Kioxia，SK Hynix计划减少NAND闪存产量10%

韩国存储器制造商SK Hynix计划在上半年将其NAND闪存产量减少10%， TheElec报道指出，由于供应过剩，NAND闪存价格已经连续四个月下跌，SK Hynix的减产举措是由于市场供应过剩所致。SK Hynix的NAND闪存总生产能力为每月30万片晶圆。

据集邦咨询数据显示，针对存储卡和U盘等通用用途的NAND闪存（128Gb 16Gx8 MLC）的固定价格在8月份时为4.9美元，但现在已经下跌至2.08美元，并且每个月都在下降。

上个月，美国存储器制造商美光科技（Micron）是第一家宣布调整生产产量的公司。美光科技表示，它已经减少了原本计划在NAND设备上的投资，并且放慢了技术节点的迁移速度。该公司称，其产量减少了大约10%左右。

三星也决定调整其在韩国的NAND闪存产量以及在中国西安的芯片工厂的运营率。包括日本的Kioxia也预计会做出类似的调整。

这一价格下跌主要受智能手机和笔记本电脑需求减少的影响，而针对人工智能数据中心的固态硬盘（eSSD）价格相对稳定，但其未来趋势尚不明朗。美光科技上个月表示，它观察到针对人工智能数据中心的eSSD的短期需求有所下降。

SK Hynix减产措施反映了对当前市场环境的应对策略，旨在通过减少供应来缓解市场上的库存压力，并稳定NAND闪存的价格，这是市场环境的一种策略性调整。

在HBM领域，SK Hynix在韩国龙仁市的新Fab厂和业务设施建设，部分目的是为了应对面向AI的半导体存储器需求，这包括HBM产品。该项目的投资约为9.4万亿韩元，预计于2027年5月竣工。

SK Hynix也在韩国忠清北道的清州建造M15X晶圆厂，作为新的DRAM存储芯片大型生产基地。虽然这个项目主要关注DRAM，但HBM作为高端存储解决方案，也是重点关注方向。