台积电在美4纳米芯片量产，美国本土先进制程首次突破

当地时间1月10日，美国商务部长吉娜·雷蒙多宣布，台积电已经在亚利桑那州的Fab 21工厂开始生产4纳米芯片。

据悉，该工厂位于凤凰城附近的Fab 21，是台积电在美国的首个晶圆厂。台积电此前计划在2025年上半年实现4纳米芯片的大规模量产，预计每月产量约为10,000片晶圆，但实际进展比预期更快，已经提前开始生产。

台积电美国分部总裁Rick Cassidy此前也披露，位于亚利桑那州的第一座芯片工厂的良率超越了中国台湾的同类工厂，领先达4个百分点。

目前，台积电已经同意在美国亚利桑那州建设三座晶圆厂，总投资额从最初的120亿美元增加至650亿美元，分别采用4纳米、3纳米/2纳米和更先进的工艺。

尽管4纳米芯片工厂成本预计比在中国台湾本土生产高出30%，但台积电计划继续加速在美国的扩张，第二期工厂建设已完成，预计2028年开始投产最先进的2nm工艺。

2024年11月，根据《芯片与科学法案》，美国政府同意向台积电提供了最高66亿美元的直接补助，以支持台积电美国分公司在亚利桑那州凤凰城生产芯片。

如今，台积电在美国的4纳米芯片量产标志着美国首次在本土实现先进制程技术的突破，这将显著提升美国在全球半导体供应链中的地位。此前，美国在高端芯片制造领域主要依赖进口，而此次量产意味着美国能够更好地控制供应链，减少对外部市场的依赖，从而提高供应链的安全性和稳定性。

而且，苹果、英伟达、AMD等美国科技巨头将是首批受益者。这些公司将能够就近利用先进的4纳米芯片技术，进一步提升其产品的竞争力。

不过，尽管美国政府提供了补贴和税收优惠等激励措施，但台积电在美国的建厂成本仍然高于中国台湾本土。此外，人才短缺、劳动力竞争激烈以及关键技术外流也是台积电面临的重大挑战。

更值得关注的是，中国台湾业界一直存在台积电赴美建厂有被掏空的担忧。特别是随着新当选总统特朗普上台，其或可能取消补贴或课以重税，迫使台积电将更多先进制程转移到美国。此前，台积电赴海外投资一直保持制程差距二代以上的规定，未来或将被打破。