美光科技21.7亿美元扩建弗吉尼亚工厂，提升美国特种DRAM产能

1月1日消息，美光科技计划投资21.7亿美元扩建其位于弗吉尼亚州马纳萨斯的半导体工厂，以提升美国特种DRAM产能。此次扩建将主要用于生产用于工业、汽车、航空航天和国防市场的特种DRAM存储器。

此次扩建工程预计将创造340个新就业岗位，并可能带来950个建筑工作岗位。尽管特种DRAM产品属于长生命周期产品，产量不大，但不需要最先进的半导体工艺，因此资金投入相对较小。此外，美光可能还会获得弗吉尼亚州MEI委员会高达7000万美元的特别资金，但需经过弗吉尼亚州议会的批准。

通过此次扩建，美光不仅能够增强其在美国本土的内存制造能力，还能进一步巩固其在全球特种DRAM市场的地位，满足不同行业对高性能、长寿命存储器的需求。

据悉，作为全球第三大DRAM公司和第四大NAND Flash公司，美光科技未来几年将配合美国半导体制造回流计划，在美国本土投建多个储存芯片工厂。

目前，美国商务部已经宣布将向美光科技提供61.65亿美元补贴，支持美光科技在纽约州投资约1000亿美元，在爱达荷州投资250亿美元，帮助美国在先进存储制造领域的份额从目前的不到2%提高到2035年的约10%。

此外，美国商务部与美光签署了一份不具约束力的初步条款备忘录 (PMT)，拟拨款2.75亿美元，用于扩建和现代化位于弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂，且计划将面向汽车行业的DRAM生产线从中国台湾地区迁回美国本土。

对于本次新的投资计划，美光总裁兼首席执行官桑杰・梅赫罗特拉表示：“作为美国唯一一家内存制造商，美光拥有独特的优势，能够将先进的内存制造技术带回美国，从而巩固国家的技术领导地位并促进创新。美光非常感谢州长格伦・杨金和州议会一直以来的支持，我们将努力在弗吉尼亚州生产长寿命的 DRAM 产品，以满足美国国防、航空航天、汽车和工业客户未来的内存需求。”