长鑫存储DDR5量产成功，DRAM价格有望进一步下调

此前只有三星、SK海力士、美光等少数DRAM厂商能够生产DDR5芯片。但是近期，DRAM制造商长鑫存储（CXMT）宣布实现了DDR5内存芯片的量产，标志着中国在全球DRAM市场上的竞争力显著提升。

据韩国媒体ZDNet Korea报道，一位半导体行业相关人士表示，长鑫存储的DDR5生产采用了先进的G3工艺（线宽17.5纳米），正在与客户接洽，其所公布的良品率已经达到了约80%，与国际头部厂商如三星、SK海力士和美光等企业的良品率相近。

这一成就不仅反映了长鑫存储在技术上的快速进步，也为国内乃至全球DRAM市场带来了新的活力。

国产模组厂已经推出相关内存条产品

随着长鑫存储DDR5芯片的成功量产，多家中国存储模组品牌厂商如金百达（King Bank）、光威（Gloway）等已经开始通过在线平台销售标注为“国产DDR5”的32GB DDR5 DRAM模组。虽然他们并未说明其DRR5芯片的来源，但是业界认为这些产品的DDR5芯片是由长鑫存储制造的。

网友“WittmanARC”迅速购得金百达内存并对其进行了拆解。内存上印有金百达的品牌标志，显示该内存系其自行封装。通过底部编号观察，其规格与长鑫DDR4相近。据此推测，金百达虽未直接生产芯片，却可能选用长鑫的DDR5芯片来自行封装。

经过“WittmanARC”的评测，金百达与光威的国产DDR5内存产品在多个方面表现出高度一致性。两款内存的单条容量均为16GB，工作频率均为6000MHz。它们均支持Intel和AMD的主流平台，且售价均为499元每套。

不过，金百达的产品在时序和电压方面表现更优，具体参数为CL36-36-36-80和1.35V。相比之下，光威的产品参数为CL36-40-40-96和1.4V。光威的产品未锁定频率的PMIC电源管理单元，以及更佳的散热硅脂和马甲，可能赋予了其更大的超频潜力，轻松实现6400MHz或更高的频率。

这些产品的推出，不仅满足了国内市场对高性能内存的需求，也预示着DDR5内存价格有望进一步下调，使得更多消费者能够享受到新一代内存技术带来的性能提升。

有国外机构表示将马上进行分析

除了在DDR5领域的突破，长鑫存储还在其他领域取得了显著进展。例如，在移动终端市场上，长鑫存储已在去年11月成功将LPDDR5系列DRAM产品推向市场，并与小米、传音等国产手机品牌进行了上机验证，取得了良好的反馈。

在接受ZDNet Korea的书面采访时，TechInsights 的 Jeongdong Choi 博士说：“我们很快就会对该DDR5 进行分析，我们需要密切关注它对市场的影响。”

Jeongdong Choi 博士表示：“虽然长鑫存储尚未正式向外界透露其开发 DDR5 的计划，但我知道 DDR5 的开发是使用 G3 工艺（线宽 17.5 纳米）进行的。“DDR4 已经作为 G1 （22nm） 商业化，LPDDR4X 正在基于 G1 和 G3 生产。”

成立于2016年的长鑫存储，专注于动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售。公司总部位于安徽合肥，在国内外拥有多个研发中心和分支机构。长鑫存储的技术团队拥有丰富的技术研发经验和创新能力，已推出多款DRAM商用产品，广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。经过短短几年的发展，长鑫存储已经成为中国最大的DRAM厂商。公司主要产品包括采用19nm工艺制造的DDR4/LPDDR4/LPDDR4X芯片，这些产品得到了众多存储品牌厂商的认可。