DNP与Imec的战略合作旨在开发适用于极紫外（EUV）曝光设备的高数值孔径光掩膜。这一合作的目标是实现1纳米级半导体光掩膜的制造，并计划在2030年后实现量产。
半导体光掩膜在半导体制造中扮演着至关重要的角色，特别是AI芯片的生产过程中需要使用到2.5D及3D等先进封装技术，这些技术都需要依赖于半导体掩膜版。
近日，大日本印刷公司（DNP）宣布，与比利时微电子研究机构Imec合作，成功开发了一种新型光掩膜技术，实现了1纳米级半导体光掩膜的突破。这一技术的开发标志着半导体制造领域向前迈进了一大步，特别是在推动人工智能（AI）和自动驾驶技术的进步方面具有重要意义。
据悉，DNP在2020年开发了适用于5纳米EUV工艺的光掩膜制造工艺，并在2023年完成了3纳米EUV工艺的光掩膜制造工艺。随后，DNP启动了2纳米EUV工艺的光掩膜制造工艺开发，并计划在2024年启动第二台和第三台MBMW的运行，以加速2纳米EUV工艺的光掩膜制造工艺开发。
DNP预测，到2027年，全球外部光掩模市场将扩大40%，达到26.7亿美元。此外，DNP计划在2027财年开始量产2纳米芯片用光罩，并向日本晶圆代工厂Rapidus供应。
而DNP与Imec的战略合作旨在开发适用于极紫外（EUV）曝光设备的高数值孔径光掩膜。这一合作的目标是实现1纳米级半导体光掩膜的制造，并计划在2030年后实现量产。
在与Imec的合作中，DNP通过实施先进的电子束光刻技术和材料优化，成功建立了最佳制造工艺。这些技术的应用使得DNP能够应对更细微的工艺需求，如1纳米级半导体光掩膜的制造。
DNP的这一成就不仅巩固了其在全球半导体光掩膜市场的领导地位，还为日本乃至全球的半导体产业注入了新的活力。
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