近期，三星电子的半导体部门采取了暂时关闭代工生产线的措施，包括平泽2厂（P2）和3厂（P3）的4nm、5nm与7nm晶圆代工生产线关闭超过30%，并预计到年底将停产范围扩大至50%左右......
近日，三星电子公布了2024年第三季度的财报，财报显示，尽管三星电子的营收有所增长，但半导体业务的获利能力却又大幅下滑，而且业绩表现不及市场预期。
从财报来看，三星电子在第三季度的合并营收为79.1万亿韩元，较上一季度增长了7%，同比增长了17%；营业利润为9.18万亿韩元，较上一季度减少了12%。
三星电子主要在存储和晶圆代工方面受到了主要冲击。
移动业务（MX）和网络业务得益于新款智能手机、平板电脑和可穿戴产品的推出，合并收入为30.52万亿韩元，同比增长2%，营业利润为2.82万亿韩元。
显像和数字家电业务（SDC）部门三季度的合并收入为8万亿韩元，同比下滑3%，营业利润为1.51万亿韩元。
芯片部门（DS）在2023年第三季度的营收利润亏损3.75万亿韩元，至2024年第三季度营收利润增长至3.86万亿韩元，较上个季度的6.45万亿韩元，环比下降了40%。虽然DS业务的营收达到了29.27万亿韩元，同比增长了 78%，环比增长了3%，并不及市场预期营收为30.53万亿韩元。
影响存储业绩，三星HBM完成英伟达质检？
对于存储市场的营收利润下滑，该公司解释称，这与库存估值收益减少、激励措施拨备和外汇汇率等一次性因素有关，以及美元疲软带来的汇率影响的负面影响。尽管三星电子没有提供成本的详细数字，有分析师估计这笔费用约为 1 万亿韩元。
三星电子在芯片设计和代工等非存储业务也遭受重创。该公司在报告中指出，这些业务的业绩因一次性成本而下滑。市场预计这些业务的损失在 1 万亿至 2 万亿韩元之间。
三星在HBM领域起步较晚，自2016年开始量产HBM2，并逐步推出HBM2E和HBM3产品。然而，由于技术误判，三星在2019年解散了HBM研发团队，导致其在HBM3的研发上落后于竞争对手SK海力士。
直到2023年下半年，三星重新启动了HBM3的研发，并计划在2024年逐步量产。三星在2024年初成立了新的HBM团队，专注于HBM3E和HBM4的研发。三星电子未能获得英伟达HBM的订单，没能赶上AI浪潮对存储市场的爆发式增长需求。
美光、SK海力士和三星分别于2023年7月底、8月中旬、10月初向英伟达（NVIDIA）送去了HBM3E样品以供验证，在2024年初，美光和SK海力士分别通过了英伟达的验证，并获得订单。
SK海力士在HBM市场占据主导地位，给整体营收和利润带到可观的收益。2024年第三季度，SK海力士的HBM销售额同比暴涨330%，合计营收为17.5731万亿韩元，同比大增94%，创下历史新高。
在10月31日发表业绩当天，三星 DS 部门执行副总裁金在俊（Kim Jae-june）表示，“已经完成了主要客户公司质量测试的主要阶段。预计第四季度（10~12月）销量将有所扩大。”业界认为，这个主要客户是英伟达，给三星电子带来积极的信号。
金在俊表示：“与上一季度相比，HBM 的收入增长了 70%，我们目前正在量产和销售 8 层和 12 层 HBM3e 芯片。”HBM3e 是第五代 HBM，12 层 HBM3e 芯片有望成为明年上市的 AI 处理器的主流。
“HBM3e 在公司整体 HBM 销售额中所占比例低于 10%，但第四季度这一比例可能会攀升至 50%。”
有消息称，三星电子的HBM未能通过英伟达的测试，主要原因与台积电有关，因为英伟达的AI芯片和采购的HBM芯片是交由台积电进行封装的，而台积电在检测中采用了基于SK海力士HBM3E产品设定的检测标准，导致三星的产品未能通过测试。三星HBM3E芯片存在运行过热问题，这也是其无法通过英伟达验证的原因之一。
不过英伟达对HBM芯片的供应追求多元化，英伟达首席执行官黄仁勋在多个场合表示，英伟达正在对三星的HBM芯片进行资格认证，并计划在未来使用它们。
有报道称三星计划从明年1月开始向英伟达供应HBM3，将用于英伟达的图形处理单元（GPU）上。
虽然对于三星电子来说，HBM未能有效商业化，错失AI需要在存储市场所带来的业绩增长，想要达到预期的业绩增长还需要一段时间。展望2024年第一季度以及2025年，三星电子将加强以利润为中心的业务竞争力，计划扩大 HBM 的产能与销售；加快向 1b （DDR5第五代10纳米级DRAM） 过渡，以满足基于 32Gb DDR5 的高密度服务器需求；通过进一步扩大基于 V8 （第8代V-NAND）的 PCIe 5.0 的销售和高密度 QLC 大规模产品的销售，巩固市场竞争力。
因订单量不足，三星暂时关闭代工生产线超30%左右
三星电子在晶圆代工领域的营收表现不及预期，这跟其晶圆代工的良率和效能问题，以及未能获得主要客户的订单有关。
在美国新工厂，三星电子未能获得大客户订单，一直推迟交付ASML 芯片设备。
近期，三星电子的半导体部门采取了暂时关闭代工生产线的措施，包括平泽2厂（P2）和3厂（P3）的4nm、5nm与7nm晶圆代工生产线关闭超过30%，并预计到年底将停产范围扩大至50%左右。
由于订单不足和亏损不断增加，迫使公司实施节约成本的措施。虽然三星对外表示设施会保持开启，只是降低利用率，但实际上正逐步关闭生产线，计划到年底将运营降至约50%。
分析人士估计，三星的代工业务在第三季度损失约1万亿韩元。关闭低产能的生产线并减少电力成本被认为是更为划算的选择。
报告中，三星则表示，将继续开发 2nm GAA 技术，专注于工艺/内部开发，以确保移动/高性能计算客户的安全。2025年，尽管存在库存问题，但在先进节点需求的推动下，市场仍将实现两位数增长。通过成功的 2 纳米量产确保主要客户，并通过与存储器业务合作，重点确保 HBM 缓冲器芯片解决方案的新客户。
此外，在S.LSI（System LSI）业务上，三星电子表示， 2025年，智能手机增长有限，但对高规格设备上人工智能组件的需求稳固，将最大限度地提高下一代 SoC 的供应量；促进 HDR/变焦传感器产品的发展；增强 DDI 中的集成 PDDI 和 TCON。
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