美印签署协议，在印共同建设芯片工厂

电子工程专辑讯 美国与印度签署协议，将在印度共同建设一家新的半导体制造厂，美国白宫发布了《美国和印度继续扩大全面和全球战略伙伴关系》声明，国总统拜登和印度总理莫迪在该声明中承诺加强定期接触，以改善人工智能、量子、生物技术和清洁能源等领域的合作势头。

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彭博社报道，根据白宫发布的声明，美国总统拜登与莫迪星期六（9月21日）在特拉华州会晤后达成协议，计划建设的工厂将专注生产红外、氮化镓和碳化硅半导体。

据悉，这座制造厂名为Shakti，工厂预计将于2025年建成，并得到印度国防公司Bharat Electronics、初创公司3rdiTech以及美国太空部队的战略技术合作支持。该工厂将专注于生产红外、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）芯片，这些技术主要用于国家安全、下一代电信和绿色能源应用。

美印两国在半导体领域的合作正在不断深化，2023年6月24日，美国总统拜登与印度总理莫迪会晤时宣布了加强半导体供应链的合作，并有多家美国公司如美光、应用材料等宣布扩大在印度的投资。美国商务部部长雷蒙多与印度商业和工业部部长Piyush Goyal签署了关于建立半导体供应链和创新合作的谅解备忘录。

美印半导体合作不仅有助于推动印度制造业的发展，也为全球半导体供应链带来了新的活力。国际科技巨头也将会把业务加大转移至印度。