上海微电子公开“极紫外辐射发生装置及光刻设备”的发明专利

9月10日，上海微电子装备（集团）股份有限公司公开了一项名为“极紫外辐射发生装置及光刻设备”的发明专利。该专利的申请日期为2023年3月9日，涵盖了极紫外辐射发生装置及其在光刻设备中的应用。

根据公开信息，这项专利申请号为CN202310226636.7，发明人为王伟伟、付辉、卢嘉玺、张洪博、蔡万宠、张子辰。

该专利提供了一种极紫外辐射发生装置及光刻设备，极紫外辐射发生装置包括腔体；靶材发生器；激光发生器，用于向靶材发射激光并产生带电粒子及极紫外光；设于腔体内的收集器镜，用于沿收集器镜的光轴收集并反射极紫外光；设于腔体内的若干电极板，相邻电极板之间形成有电场，利用电场约束带电粒子及利用电极板收集不同极性的带电粒子；以及气控部件，用于产生氢自由基，其经过电极板与带电粒子反应形成气体并排出。

极紫外光刻技术（EUV lithography）是一种使用波长为13.5纳米的极紫外光作为光源的下一代光刻技术，广泛应用于半导体制造中，是面向7nm及以下节点的主流光刻技术。

由于极紫外光被几乎所有光学材料强烈吸收，因此EUV光刻机的光学系统必须采用全反射光学系统。此外，极紫外光刻技术的关键在于高功率激光击打金属锡，产生等离子体，从而辐射出极紫外光。不过，如果采用激光轰击锡滴产生极紫外光，被轰击所产生的锡碎屑(带电粒子)向周围扩散，极易污染收集器镜，严重影响收集器镜的使用寿命。

而上海微电子的发明的目的在于提供一种极紫外辐射发生装置及光刻设备，用于高效且简便地收集带电粒子以提高收集器镜的使用寿命。