英诺赛科对英飞凌提起的专利侵权指控做出回应，强调自身在氮化镓领域的全球领先地位和自主知识产权，认为对方的诉讼是竞争手段。
据8月2日《英飞凌对英诺赛科发起337调查，寻求永久禁令》一文报道，半导体巨头英飞凌科技（Infineon）已向美国国际贸易委员会（ITC）提出337调查申请，指控中国氮化镓（GaN）芯片制造商英诺赛科（Innoscience）侵犯了其专利权。英飞凌寻求在美国市场禁止进口和销售英诺赛科的相关产品。据称，该指控是基于在美国销售的特定半导体器件及其下游产品侵犯了英飞凌的专利权，包括涉及诉讼的四项专利的法律索赔。此外，英飞凌还扩大了之前在加州北区地方法院审理的诉讼，增加了对英诺赛科及其附属公司的索赔，指控其侵犯了英飞凌拥有的另外三项涉及氮化镓技术的专利。
8月3日，英诺赛科对英飞凌提起的专利侵权指控做出了回应，强调自身在氮化镓领域的全球领先地位和自主知识产权，认为对方的诉讼是竞争手段。公司已采取法律措施进行应对，并相信通过法律手段可以使对方专利无效。英诺赛科表示坚决反对不正当竞争手段，将继续加大研发投入，确保产品市场竞争优势，同时推崇合作共赢，助力全球氮化镓产业繁荣发展。
以下为回应内容。
英诺赛科针对英飞凌在境外对英诺赛科提起诉讼的回应
英诺赛科（苏州）科技股份有限公司及其部分子公司（以下简称“英诺赛科”）近期收到英飞凌在境外提起的一系列专利侵权指控，英诺赛科对此高度重视，并对涉案产品及专利进行了专业且全面的检索、分析和评估。英诺赛科认为英飞凌的相关指控缺乏依据，其涉案专利不具备有效性，因此，相关诉讼不会对英诺赛科的现有产品销售和正常经营产生影响，具体回应如下：
作为全球首家大规模量产8英寸氮化镓的公司，英诺赛科在全球氮化镓功率半导体领域处于绝对领先地位，并在氮化镓芯片出货量及市场份额上遥遥领先于英飞凌。英诺赛科非常重视知识产权的开发和布局，所有产品均拥有完全自主知识产权。我们认为，英飞凌此次提起的专利诉讼是其应对市场竞争的手段，其主要目的是通过诉讼扰乱市场，阻碍英诺赛科及氮化镓产业的发展，尝试通过非常规手段保住英飞凌在功率半导体领域的市场地位。
就此，英诺赛科已采取相关法律措施应对英飞凌提起的无端指控，委托具有丰富经验的法律团队积极应诉，并将就其所有涉案专利提出专利无效申请，就英飞凌的US 9,899,481号专利，英诺赛科已于今年六月向美国专利及商标局提起无效请求（IPR），英诺赛科有信心可以通过法律手段最终将其专利全部无效。
我们认为，英飞凌提起的诉讼恰恰证明了英诺赛科在氮化镓领域的领导地位，及其对氮化镓的快速发展感到恐惧，认为氮化镓将对其市场定位产生威胁。英诺赛科坚决反对任何正常竞争手段，并有信心在本次诉讼中取得胜利。
英诺赛科凭借雄厚的技术实力，稳居氮化镓功率半导体行业前列，赢得了合作伙伴的深厚信赖。英诺赛科将持续加大研发投入，加速技术革新的步伐，确保产品在市场竞争中始终占据优势地位。英诺赛科推崇以合作与互惠为核心，共同促进全球氮化镓产业的繁荣。
我们深知，节能、高效的氮化镓行业有着广阔的发展前景。在竞争中合作，在合作中成长，我们愿意与各方道，推动这一行业不断进步，为降低碳排放、促进社会进步贡献出我们的力量，共同开创一个更加绿色、美好的未来！
（来源：英诺赛科）
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