香港正建设首条第三代半导体氮化镓外延片中试线

香港曾经在半导体产业兴起之初抓住机会，诞生了万力半导体、晶门科技等芯片企业，而后受到土地资源限制，加上香港后来偏重于发展金融行业，对半导体行业采取了“不干预”政策，使得香港一度错失了半导体产业的良机。当下，基于氮化镓的第三代半导体芯片产业，对香港来说，是一个实现弯道超车的机会。

7月30日，香港科技园公司（HKSTP）与麻省光子技术（MassPhoton）联合举办了香港首条超高真空“第三代半导体氮化镓（GaN）外延片中试线启动礼”。这一事件不仅标志着香港在微电子产业领域迈出了坚实的步伐，也象征着香港在新型工业化进程中取得了新的里程碑。

（图自：香港特别行政区政府新闻公报，下同）

双方背景

资料显示，香港科技园公司作为香港最大的创科旗舰，一直致力于推动科技创新和产业发展。科技园公司提供了一流的基础设施和庞大的合作伙伴网络，为微电子产业的研发和产业化提供了强有力的支持。目前，科技园已经聚集了超过200家从事微电子行业的公司，形成了一个充满活力的微电子生态圈。

麻省光子技术是一家专注于氮化镓外延技术的高科技企业，公司由在GaN外延和深层紫外线LED装置等领域拥有逾40项专利技术的专家廖翊韬博士创立，创始团队为资深海归技术人员。据公司网站介绍，该公司总部位于深圳，在香港建立分支机构，同时在徐州建立生产基地，并在美国波士顿大学建有光科学及消杀技术实验室。

麻省光子技术掌握全球领先的第三代半导体核心工艺，其产品广泛应用于LED、激光器、太阳能电池、无线通讯、快充、工业和汽车等领域。这次落户香港，确切回应了政府的发展战略，当局会继续引入更多优秀的科技企业来港发展和投资，发挥协同效应，让微电子及其他科技产业在香港做大做强。

此次启动的超高真空“第三代半导体氮化镓外延片中试线”是香港首条8英寸GaN外延片生产线，预计将投资至少2亿港元。预计2027年项目完成后，将实现年产1万片8吋氮化镓晶圆的产能，为全球市场提供高质量的外延片产品。此外，麻省光子技术还计划在香港科学园设立全球研发中心，并与香港高等院校和其他合作伙伴展开前沿第三代半导体研发项目。

此举有望为香港创造超过250个微电子相关领域的就业机会，涵盖外延片设计、设备设计和生产流程发展等多个方面，因此香港特区政府对这一项目给予了高度重视和支持。

香港为何发力第三代半导体？

近年来，香港将第三代半导体作为重点发展的科技领域。

去年10月，香港科技园与上海芯片公司杰平方半导体（J2 Semiconductor）签署了一份谅解备忘录，目标是建立香港首个碳化硅（SiC） 8英寸晶圆厂和新的第三代半导体研发中心。杰平方半导体承诺为该项目投资69亿港元，并计划到2028年实现年产24万片晶圆的产能。

元朗创新园微电子中心（图自：香港科技园公司官网）

2024年5月，香港立法会财务委员会批准一项重大投资，即28.3亿港元，用于建立“香港微电子研发中心”，专注于第三代半导体。这项计划包括建立一条试验生产线，配备I线光刻设备、光刻胶显影工具、高温离子注入机、高温退火炉和薄膜工具等必要工具。香港科技园公司7月26日表示，计划在元朗创新园设立的微电子中心预计将于今年投入运营。

香港创新科技及工业局局长孙东表示，全球半导体产业正急速发展，规模预计在2030年可超过一万亿美元，潜力无限。

香港创新科技及工业局局长孙东

“选择聚焦第三代半导体，部分原因在于制造这些材料的设备限制较少，易于获得关键生产设备，这对于在全球供应链面临挑战的背景下尤为重要。” 孙东在谈到香港为何选择专注于第三代半导体的原因时说道，特区政府正积极推进微电子产业的发展，并将通过设立微电子研发院和碳化硅、氮化镓两条中试线，以支持初创企业和中小企业的产品试制、测试和认证，促进产学研在第三代半导体核心技术上的合作。

香港科技园公司行政总裁黄克强

香港科技园公司行政总裁黄克强强调，科技园公司一直与政府紧密合作，致力于微电子产业的发展。科学园内已有超过200家公司从事微电子行业，形成了一流的微电子硬件基础设施和实验室环境。元朗创新园的微电子中心预计将于今年开始运营，进一步加强香港在微电子产业链中的地位。

麻省光子技术的入驻，不仅带来了资金和技术，还将与香港的学术界和产业界产生协同效应，推动香港微电子生态圈的蓬勃发展。公司行政总裁廖翊韬博士（Eason Liao）指出，作为首家进驻香港的氮化镓外延技术公司，麻省光子技术将致力于推动高阶第三代半导体晶圆技术的研发和量产，利用香港的国际化市场地位，参与全球半导体竞争，为香港半导体制造产业链提供关键技术支撑。

麻省光子技术(香港)有限公司行政总裁廖翊韬博士

廖翊韬表示，麻省光子的目标是将其氮化镓晶圆应用于显示技术、汽车和数据中心等领域。另外，他们还计划在今年年底前再筹集1亿港元的资金。

关于第三代半导体

第三代半导体材料，如氮化镓和碳化硅，因其在能源效率、体积和工作温度范围上的显著优势，成为了全球半导体行业的研究热点。氮化镓作为第三代半导体的主要代表材料之一，具有宽禁带、高频率、低损耗、抗辐射强以及卓越的击穿电场等特性。与传统的硅基半导体相比，氮化镓具有更高的能源效率和更小的体积，适用于高速、高功率和高频应用，如无线通讯、快充、工业和汽车领域。

预计到2026年，全球氮化镓功率元件市场规模将达到13.3亿美金，复合增长率达到65%。香港通过建设首条GaN外延片中试线，不仅能够提升自身的科技创新能力，也将在全球半导体供应链中占据重要地位。