英诺赛科反对，在美被判侵权EPC氮化镓相关专利可能被禁

电子工程专辑讯 近日，关于英诺赛科（Innoscience）与宜普公司（EPC）的两项包括氮化镓技术在内的专利侵权案有了最终判决。美国国际贸易委员会（U.S. International Trade Commission, ITC）的裁定结果是，英诺赛科侵权宜普公司的其中一项专利。 

不过英诺赛科并不同意该判决，判决中提到的英诺赛科侵权EPC的294专利 ，英诺赛科认为，EPC的294专利是无效的。

2023年5月， EPC对美国联邦法院与美国国际贸易委员会(ITC)提出诉讼，控告英诺赛科侵犯其四项基础专利。

2024年7月8日，宜普公司发布公告称，美国国际贸易委员会 (ITC) 裁定 EPC 的两项关键专利有效，判定英诺赛科（珠海）科技有限公司及其子公司英诺赛科美国公司侵犯了宜普公司其中一项专利（294专利）。对于宜普公司的另一项专利（508专利），英诺赛科在ITC的初裁中成功驳回了所有诉讼请求，裁定不存在侵权行为。

宜普公司的公告称，“ITC的初步裁决认定宜普公司对Innoscience公司主张的两项美国专利均有效。它还认定"（Innoscience）侵犯了美国专利第8,350,294号"，该专利是EPC的基础专利，广泛应用于多个行业。EPC的第二项专利，即第8,404,508号美国专利被认定有效，但Innoscience没有侵权。委员会的最终裁定预计将于2024年11月5日发布。”

宜普公司表示，ITC 的初步裁定巩固了 EPC 在宽禁带半导体领域领导地位的重要里程碑，并可能导致美国在今年晚些时候禁止进口英诺赛科的侵权产品。

此前英诺赛科向中国国家知识产权局提出申诉，主张宜普公司包括氮化镓在内的两项核心技术专利无效，但中国国家知识产权局确认了宜普公司在中国的两项对应专利的有效性，这两项专利名分别为“补偿门极MISFET及其制造方法”的专利（中国专利号ZL201080015425.X）、“增强型氮化镓高电子迁移率晶体管器件及其制备方法”的专利（中国专利号ZL201080015388.2）。

对于ITC在 294专利的初步裁定，英诺赛科将在7月19日前向ITC复审委员会提出上诉。美国国际贸易委员会的最终裁定预计在美国当地时间2024年11月5日公布。

据悉，过去15年里，宜普公司开发了200多项与氮化镓相关的专利和150多种产品，其中包括快速增长的集成电路系列、符合汽车标准的器件和抗辐射器件。

半导体芯片可分为逻辑芯片、存储芯片、模拟芯片和光电子/传感器/分立器件。模拟类中有电源管理芯片，用于转换、控制和分配电力。通用模拟芯片的最大市场是电源管理。碳化硅和氮化镓等宽带隙半导体产品，与传统的硅基器件相比，这些器件能够在更高的温度和电压下工作，效率和可靠性更高。

氮化镓器件具有更高的效率、更快的开关速度、更小的尺寸和更低的成本，是一次重大飞跃。氮化镓功率器件是自动驾驶汽车、医疗和通信设备、下一代快速充电器、无人机、卫星、数据中心、电动自行车、太阳能发电系统和仿人机器人等众多应用不可或缺的组成部分。

宜普公司在这其中扮演着一个重要的角色，将为推动人工智能革命提供助力。

英诺赛科回应侵权案

英诺赛科始终坚持认为ITC初步判决的EPC的294专利属于无效专利，并将向美国专利商标局提供更新的补充信息及材料，美国商标局将根据这些补充信息及材料，在 2025 年 3 月 26 日之前做出专利是否无效的最终裁定。

英诺赛科称，有信心在与EPC的争议中取得彻底胜利。

在公告中，英诺赛科表示，“英诺赛科在 ITC的初裁中彻底驳回了 宜普（EPC） 公司基于其508专利的所有诉讼请求。判决裁定英诺赛科在508专利的权利请求（主张的唯一权利请求）中不存在侵权行为。这是英诺赛科在美国国际贸易委员会（ITC）与EPC的争议中取得的巨大成功。

根据 ITC的初步裁定，首席行政法官认为英诺赛科对EPC的508 专利不存在侵权行为，该专利涉及增强型 GaN 晶体管的形成方法。这意味着英诺赛科完全成功地战胜了EPC基于其 508 专利提出的主张。

ITC法官裁定英诺赛科对EPC的294专利存在侵权行为。英诺赛科不同意行政法官的意见，原因是EPC的294专利是无效的。事实上，美国专利商标局（“USPTAB”）发起了一项针对294专利的多方复审程序，以四个不同的理由质疑 294专利的所有权利要求，并同意英诺赛科的无效论点。美国专利商标局针对294专利的多方复审无效决定将于 2025 年 3 月发布。

事实上，EPC 主张的508专利 和294专利目前都正在接受美国专利商标局的无效审查。294 专利的权利要求 1至12 和 508 专利的权利要求 1至5 被高度质疑来自于公开且被业界熟知的现有技术。英诺赛科 还向 美国专利商标局质疑了另外两项 EPC的 专利，EPC 此前已向 ITC 主张这些专利，但后来决定撤回其主张。虽然 EPC 从 ITC 撤回了该两项专利主张，但英诺赛科仍在美国专利商标局继续对这些专利提出无效质疑。对于 EPC 最初主张的所有四项 EPC 专利，美国专利商标局认为：“ 英诺赛科很有可能在其针对EPC专利的无效请求中获得胜诉”。通过初步决定，英诺赛科在美国专利商标局的多方复审无效程序中取得了 4：4 全胜的完美战绩。

ITC 及USPTAB的初步裁定进一步证实了 EPC 对英诺赛科的诉讼是错误及荒谬的。EPC在对英诺赛科的无理攻击中逐渐陷入被动局面。在针对其所有四项专利的无效立案审查中，美国专利商标局的三名法官一致同意英诺赛科的观点。在所有四项诉讼中，英诺赛科都阐明了 EPC 专利无效的多种原因及可证实其无效性的充分论点，对此，美国专利商标局完全认可并同意英诺赛科的观点。后续，英诺赛科将向美国专利商标局提供更新的补充信息及材料，美国商标局将根据这些补充信息及材料，在 2025 年 3 月 26 日之前做出专利是否无效的最终裁定。

对于ITC在 294专利的初步裁定，英诺赛科将在7月19日前向ITC复审委员会提出上诉。本次调查的最终裁定日期为 2024 年 11 月 5 日。

英诺赛科有信心在与EPC的争议中取得彻底胜利。“

英诺赛科与宜普公司的侵权案始末

英诺赛科与宜普公司之间的侵权案始于2023年5月25日，宜普公司向美国联邦法院和美国国际贸易委员会提起诉讼，指控英诺赛科（珠海）科技有限公司及其子公司侵犯其氮化镓（GaN）技术专利。宜普公司主张其基础专利组合中的四项专利受到英诺赛科的侵犯，并要求禁售英诺赛科的相关产品。

在诉讼过程中，宜普公司还指控英诺赛科招聘了两名宜普公司的员工，并利用这些员工的技术知识推出了与宜普公司明显相同的产品。宜普公司认为这些产品的关键性能指标与宜普公司的产品几乎相同，甚至宣称其产品与市场上现有产品“完全兼容”。

作为回应，英诺赛科公司针对这两项宜普公司的中国专利向中国国家知识产权局提起了无效请求。

2024年4月2日，中国国家知识产权局确认宜普公司的名为“增强型氮化镓高电子迁移率晶体管器件及其制备方法”的专利（中国专利号ZL201080015388.2）的核心权利维持有效。

2024年4月30日，中国国家知识产权局确认“补偿门极MISFET及其制造方法”的专利（中国专利号ZL201080015425.X）有效。

2024年7月8日，美国国际贸易委员会 (ITC) 裁定 EPC 的两项关键专利有效，判定英诺赛科侵犯了宜普公司的294专利，508专利不存在侵权行为。

2024年7月9日，英诺赛科回应仍将坚持维护权益，英诺赛科不同意行政法官的意见，原因是EPC的294专利是无效的。

英诺赛科IPO之际，诉讼缠身

英诺赛科拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，截至2023年12月31日，产能达到每月10000片晶圆，实现了产业规模的商业化。截至2023年12月31日，晶圆良率超过95%。

据英诺赛科的招股说明书披露，英诺赛科以折算氮化镓分立器件计，在2023年全球氮化镓分立器件出货量排名第一，市占率高达42.4%。截至2023年12月31日，英诺赛科以折算氮化镓分立器件计的累计出货量已突破5亿颗，确立了其在全球氮化镓出货量中的领先地位。

在营收上，英诺赛科从2021年的6821.5万元人民币增加至2023年的5.92亿元人民币，收入复合年增长率高达194.8%。2023年，英诺赛科实现了近6亿元的营收，同比增长335.26%。

不过，英诺赛科仍处于亏损状态，2021年至2023年期间，英诺赛科净亏损分别为33.99亿元、22.05亿元、11.01亿元。经调整净亏损（非香港财务报告准则计量）分别为10.8亿元、12.76亿元、10.15亿元。

英诺赛科表示，公司持续亏损原因在于生产设备大幅折旧、大额研发开支、销售及营销开支的不断增加。

英诺赛科于2024年6月12日正式向中国香港证券交易所递交了IPO上市申请，联席保荐人为中金公司和招银国际。此次IPO的目的是为了募集资金，用于扩大氮化镓晶圆的生产能力等项目。

募集资金的50%将用于扩大8英寸氮化镓晶圆的生产能力，计划从截至2023年12月31日的每月1万片晶圆提升至未来五年内每月7万片晶圆；募资资金的15%将投入于氮化镓产品组合的研发与扩展，旨在进一步提升氮化镓产品在终端市场的渗透率。

目前，英诺赛科在IPO之际，面临EPC和英飞凌的知识产权侵权案的纠纷中。

英飞凌于2024年3月14日发布公告称，在美国加利福尼亚州北区地方法院对英诺赛科提起一项关于氮化镓（GaN）技术有关的专利侵权诉讼。

若英诺赛科面临不利判决，可能会面临禁止生产或销售侵权产品的风险，或需支付相应的金钱赔偿。