传HBM3e通过英伟达测试？三星否认

韩国媒体NewDaily报道称，三星电子的HBM3e芯片通过了英伟达的产品测试，预计将很快大规模生产HBM并供应给英伟达。不过，三星电子对这一信息予以否认。

今年3月，英伟达CEO黄仁勋表示已经开始验证三星的HBM内存芯片。

此前，有传闻称，三星的HBM3E内存由于散热和功耗问题，尚未通过英伟达的测试认证。

今年5月，三星电子发布声明否认了相关传闻，该公司声称他们正在与多家全球合作伙伴“顺利进行 HBM 芯片测试过程”，同时强调“他们正与其他商业伙伴持续合作，以确保产品质量和可靠性”。

据NewDaily报道，最近三星电子收到了来自英伟达的HBM3e质量测试PRA（产品准备批准）通知。

经过近10年的发展，目前HBM存储器技术已经迭代至HBM3E。从原厂来看，HBM3E市场的竞争主要集中在美光（Micron）、SK海力士、及三星。据悉，上述三大厂商已分别于2023年7月底、8月中、10月初提供8hi（24GB）样品。

根据TrendForce的预测，2023年SK海力士在HBM3产品方面领先其他原厂，成为英伟达GPU的主要供应商，其在制造技术上被认为优于三星电子和美光科技等竞争对手。

从市场份额来看，2022年全球HBM市场被三大原厂占据，其中SK海力士份额领先，占据HBM市场主导地位，市占率为50%，三星为40%，美光为10%。高盛也认为，SK海力士在未来2-3年内将保持其50%以上的市场份额。

不过，三星电子HBM3E测试通过的传闻，还是对SK海力士造成了一定的影响。在HBM3E产品测试通过信息被曝出之后，三星电子股价7月4日上涨3.6%，达到4月12日以来的最高点。而SK海力士股价下跌4.7%，创6月24日以来最大跌幅。