电子工程专辑讯 为了满足对高效功率半导体日益增长的长期需求,近日,安世半导体宣布计划在德国汉堡市(Hamburg)投资 2 亿美元(约 1.84 亿欧元)研发碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等下一代宽禁带半导体(WBG),并在汉堡工厂建立生产基础设施,同时,还将提高硅(Si)二极管和晶体管的晶圆厂产能。公告表示,从2024年6月起,安世半导体的SiC、GaN和Si这三种技术都将在德国开发和生产。
该项投资是在该工厂成立100周年之际,与汉堡经济部长Melanie Leonhard博士共同宣布的。
安世半导体在德国汉堡的工厂是当地历史最悠久、规模最大的晶圆厂,也是汉堡唯一的一座晶圆厂。
1920年,Mullard Radio Valve公司在英国伦敦成立,随后1924年RRF GmbH于德国汉堡成立,后来更名为Valvo,1927年Mullard和Valvo均被飞利浦收购。1975年,飞利浦收购并整合硅谷逻辑器件制造商Signetics。2006年,飞利浦出售其半导体业务,飞利浦半导体(即飞利浦半导体事业部)变更为恩智浦半导体。2017年,恩智浦半导体的标准产品事业部正式独立为安世半导体,该事业部包括德国汉堡晶圆厂在内的相关资产亦转移至安世半导体。
2019年,闻泰科技以53亿美元(约合338亿元人民币)的价格收购安世半导体的100%股权。
“这项投资巩固了我们作为节能半导体领先供应商的地位,使我们能够更负责任地利用可用电能,”安世半导体德国公司首席运营官兼总经理 Achim Kempe表示,"未来,我们的汉堡工厂将生产全系列的宽禁带半导体产品,同时也是生产小信号二极管和晶体管的最大工厂。我们将继续致力于为标准应用和功率密集型应用生产高质量、高性价比半导体的战略,同时应对我们这一代人面临的最大挑战之一:满足日益增长的能源需求,同时减少对环境的影响。"
6月,安世半导体的第一条高压GaN d-mode晶体管和SiC二极管生产线投产。安世半导体称,下一个里程碑将是SiC MOSFET 和低压GaN HEMT 8英寸现代化高性价比生产线,这些生产线将在汉堡工厂未来两年内建成。
该投资将有助于安世半导体在德国汉堡工厂的基础设施上实现进一步自动化,扩大硅生产能力。还将扩大无尘室的面积,新建研发实验室,以确保从研究到生产的无缝过渡。同时,也将刺激当地的经济发展,提高欧盟在半导体的自给率。安世半导体还将与当地大学和研究机构进行密切合作。
“计划投资使我们能够将 WBG 芯片设计和生产带到汉堡。然而,SiC 和 GaN 绝不是 Nexperia 的新领域。自 2019 年以来,GaN FET 一直是我们产品组合的一部分,并在 2023 年扩大了我们的产品范围包括 SiC 二极管和 SiC MOSFET,后者与三菱电机合作,是少数提供全面半导体技术的供应商之一,其中包括 e-mode和 d-mode的 Si、SiC 和 GaN。这意味着,我们为客户提供一站式服务,满足他们的所有半导体需求”,Nexperia 德国首席财务官兼董事总经理 Stefan Tilger 解释道。
近年来,安世半导体在汉堡的投资显著增加。2021年2月,安世半导体宣布将在2021年度大幅增加制造能力和研发方面的全球投资,其中包括在汉堡晶圆厂实行全新的200mm技术,并增加对宽带隙半导体制造新技术的投资。
芯谋研究发布报告显示,安世半导体已连续三年排名中国功率分立器件公司榜首,在全球排名中的位置则不断攀升,2020年该公司位列全球第九名,2021年上升至全球第六名,2022年上升至全球第五名。
市场研究机构Omdia发布了2021年功率半导体领域主要厂商营收排名,安世半导体2021年的功率半导体营收为6.72亿美元(约合人民币44.86亿人民币),排名第八。前十大企业榜单分别有英飞凌、安森美、意法半导体、三菱电机、富士电机、东芝(第6)、瑞萨、ROHM、东芝、Vishay等。