2024 年，5 纳米及以下节点的前沿产能预计将增长 13%，主要驱动力是用于数据中心训练、推理和前沿设备的生成式人工智能（AI）。为了提高处理能效，包括英特尔、三星和台积电在内的芯片制造商准备开始生产2nm全栅极（GAA）芯片，这将使2025年的前沿总产能增长17%。
电子工程专辑讯 SEMI 最新的《世界晶圆厂预测》季度报告显示，为了跟上芯片需求持续增长的步伐，全球半导体制造业的产能预计将在 2024 年提高 6%，2025 年提高 7%，达到每月 3370 万片晶圆（wpm：8 英寸当量）的历史最高产能。
2024 年，5 纳米及以下节点的前沿产能预计将增长 13%，主要驱动力是用于数据中心训练、推理和前沿设备的生成式人工智能（AI）。为了提高处理能效，包括英特尔、三星和台积电在内的芯片制造商准备开始生产2nm全栅极（GAA）芯片，这将使2025年的前沿总产能增长17%。
SEMI总裁兼首席执行官Ajit Manocha表示："从云计算到边缘设备，人工智能处理的普及正在推动高性能芯片的开发竞赛，并推动全球半导体制造产能的强劲扩张。"这创造了一个良性循环： 人工智能将推动半导体内容在各种应用领域的增长，而这反过来又会鼓励进一步的投资。"
各国家/地区的产能扩张情况
中国大陆芯片制造商的产能预计将保持两位数增长，继2024年增长15%至885万片（wpm：8 英寸当量）之后，2025年将增长14%至1010万片（wpm：8 英寸当量），接近行业总产能的三分之一。尽管存在超额增长的潜在风险，但该地区仍在继续积极投资扩大产能，部分原因是为了减轻近期出口管制的影响。包括华虹集团、力晶、西安集成、中芯国际和 DRAM 制造商 CXMT 在内的主要晶圆代工供应商都在大力投资，以提高该地区的半导体制造能力。
预计到 2025 年，大多数其他主要芯片制造地区的产能增长将不超过 5%。预计 2025 年中国台湾的产能将达到 580 万 wpm，增长率为 4%，位居第二；而韩国预计明年将位居第三，在 2024 年首次突破 500 万 wpm 大关后，产能将扩大 7%，达到 540 万 wpm。日本、美洲、欧洲和中东以及东南亚的半导体生产能力预计将分别增长 470 万 wpm（同比增长 3%）、320 万 wpm（同比增长 5%）、270 万 wpm（同比增长 4%）和 180 万 wpm（同比增长 4%）。
晶圆代工、HBM迎来产能扩张
主要受英特尔建立代工业务和中国产能扩张的推动，代工领域的产能预计将在 2024 年和 2025 年分别增长 11% 和 10%，到 2026 年达到 1270 万 wpm。
为满足人工智能服务器对更快处理器不断增长的需求，高带宽内存（HBM）得到迅速采用，这推动了内存领域前所未有的产能增长。人工智能应用的爆炸式增长推动了对更密集的 HBM 堆栈需求的增长。作为回应，领先的 DRAM 制造商正在增加对 HBM/DRAM 的投资。预计 2024 年和 2025 年 DRAM 容量都将增长 9%。
相比之下，3D NAND 市场复苏依然缓慢，预计 2024 年产能不会增长，2025 年预计增长 5%。
边缘设备中人工智能应用的兴起预计将使主流智能手机的 DRAM 容量从 8GB 增加到 12GB，而使用人工智能助手的笔记本电脑将至少需要 16GB 的 DRAM。人工智能向边缘设备的扩展也将刺激对 DRAM 的需求。
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