三星半导体DS部门人事异动

电子工程专辑讯 近日，三星半导体部门调整新的人事任命，让全永铉(Young Hyun Jun) 接替庆桂显(Kyung Kye-hyun)领导三星最重要的“半导体事业暨装置解决方案部门” (Device Solutions, DS)。三星表示，全永铉将会是该公司半导体存储和电池业务提升到全球顶尖水准的关键人物。

据悉，全永铉（Jun Young-hyun）是三星电子的一位高管，最早于2000年加入三星的内存芯片业务团队，在2014至2017年期间担任DRAM和内存芯片开发业务负责人，之后，他转任三星电池制造商三星SDI的首席执行官，负责电池业务。

庆桂显（Kye Hyun Kyung）则将接手三星先进技术研究院和未来业务团队的负责人。

分析师表示，先前三星大多数的人事变动通常发生在年初，这次在年中才出现如此大动作的高层异动较为不寻常。

三星DS部门主要负责存储、系统、晶圆代工的半导体相关业务，存储业务涵盖DRAM内存和NAND闪存的开发、制造和战略营销；系统LSI业务包括系统级芯片的设计、制造和销售；晶圆代工业务提供晶圆代工服务，为其他公司制造半导体芯片。这个部门在三星电子的半导体业务中扮演着关键角色，致力于推动技术创新和业务发展。

此次三星半导体的人事变动，彭博认为，三星在内存核心业务的关键增长领域落后SK海力士，是为了试图赶上SK海力士做的调整。

SK Hynix 在高带宽内存或 HBM 芯片领域处于领先地位，这种芯片因用于训练人工智能模型而实现了爆炸式增长。

三星和SK海力士预测，由于人工智能应用对高性能芯片的需求不断增长，2024年DRAM和高带宽内存（HBM）价格将保持坚挺。为满足市场需求，他们已将超过20%的DRAM生产线转为HBM生产线。这一举措将导致DRAM产量减少，而HBM芯片的产能增加。

SK海力士在HBM领域取得了一定的领先地位。

4月，SK海力士计划投资约146亿美元在韩国清州市建立一座先进的存储芯片工厂，以应对全球AI发展中对半导体需求的快速增长。新厂预计将于4月底启动新工厂的建设，在2025年11月完工。该公司在声明中表示，这个新工厂的建设和装备总投资将超过20万亿韩元（约合146亿美元）。

这一投资表明SK海力士正在全球范围内与其他科技公司竞争，为AI服务提供关键的硬件和组件。作为高带宽存储器（HBM）芯片的领导者，SK海力士正在努力维持其优势，目前SK海力士在HBM市场的供应已领先于三星电子，而且公司提供的芯片与英伟达设计的加速器配合良好。然而，三星已经承诺将集中其强大的资源，以追赶高端存储器市场。