目前良率仅20%！三星制定“Nemo”计划以获取英伟达3纳米代工订单

在芯片代工领域，尽管三星颇具实力，但似乎一直被台积电“压人一头”。5月21日消息，据韩媒报道，目前被三星寄希望于争取英伟达HBM订单的第二代3nm制程良率仅有20%，远不及台积电N3B制程已接近55%的良率。不过，三星仍在努力提高制造产量和质量，以确保能够满足英伟达的需求。

5月初，EDA大厂新思科技就曾宣布，三星采用最新3nm GAA制程的旗舰行动系统单晶片（SoC），基于新思科技的EDA工具已成功完成设计定案（tape out）。外界认为，该芯片将用于三星今年年底开始生产的Galaxy S25系列旗舰智能手机所搭载的Exynos 2500处理器。

不过，三星3纳米工艺仍难以令人满意。据爆料，谷歌即将于2025年发布的Pixel 10系列智能手机所搭载的Tensor应用处理器将改为采用台积电的3纳米制程技术。为此，谷歌最近还扩大了在中国台湾的研发中心，并积极聘用当地半导体工程师，似乎是正准备与台积电合作。

然而，过去几年，三星一直是谷歌Tensor处理器的主要代工厂商。这表明三星需要提供具有足够竞争力的制程工艺技术和良率才能够留住现有的客户，同时获得其他大客户的订单，比如英伟达。

据悉，英伟达曾于2020年将消费型GPU的GeForce RTX 30委托给三星的8nm制程技术来代工，而且至今仍在进行生产当中。不过，近年来英伟达的陆续堆出的采用先进制程的GPU和AI GPU订单，基本都是由台积电包揽。

有分析师对2024年人工智能（AI）GPU市场的销售进行了预测，英伟达将继续主导该市场，销售额将达到400亿美元，而竞争对手AMD和英特尔的销售额分别为35亿美元和5亿美元。

然而，不仅英伟达，AMD和英特尔的GPU和AI芯片订单也基本都是交给了台积电。这使得三星在AI芯片订单上远远落后于台积电。

GAA工艺被认为是FinFET的“替代技术”，特别是在下一代芯片工艺上。而三星已率先采用该工艺以量产3纳米芯片，但结果不怎么理想。GAA工艺相比FinFET技术更为复杂。FinFET技术已经在22nm及以下技术代中广泛应用，具有较好的沟道控制能力和低泄露电流等优点。而GAA工艺则需要更多的创新和优化来克服其固有的缺陷，如“肥鳍”效应

业界认为，三星电子将于2024年上半年量产第二代3nm GAA制程。这也将是三星缩小与台积电差距，赢得英伟达产品的代工订单的关键。对此，三星晶圆代工部门开始不惜一切代价，以进一步确保第二代3nm GAA制程技术的良率。

据悉，为了缩小与台积电的差距，三星电子的晶圆代工部门已经在内部制定了“Nemo”计划，首要目标是2024年赢得英伟达3nm制程的代工订单。

最近，有媒体报道，三星HBM3E尚未通过英伟达的测试，仍需要进一步验证。而为了获得英伟达HBM订单，负责三星电子HBM业务的內存业务部门副总裁兼DRAM开发主管最近正在与英伟达洽谈第五代产品HBM3E的供货事宜。

尽管有韩国市场分析师认为台积电面临着地震、地缘政治等不稳定等因素，将帮助三星成为全球內存和代工供应链多元化的优先选择，但其第二代3nm制程20%的良率，是难以争取到包括英伟达在内的代工订单的。