在先进芯片工艺竞争中,先进光刻机设备不可或缺。然而,即使财大气粗的台积电也对ASML新一代的High-NA EUV的价格“望而生畏”。
近日,台积电业务开发资深副总裁张晓强在阿姆斯特丹举行的一个技术研讨会上特别谈到,ASML新一代的High-NA EUV曝光机性能虽好,但价格太高。他表示,“我喜欢High-NA EUV的性能,但我不喜欢它的价格,成本非常高。”
据悉,ASML High-NA EUV可以用厚度仅为8纳米的线压印半导体,比上一代机器小1.7倍。但每台设备的成本为3.5亿欧元(3.8亿美元),重量相当于两架空客A320飞机。
张晓强还表示,台积电虽暂无意采购,但其A16先进制程节点(预定2026年稍晚量产)不一定需要使用ASML的High NA EUV设备,而且可以继续依靠台积电已有的较旧款EUV设备,“我认为目前,我们现有的EUV能力应该有办法支持了”。
不过,相对台积电的保守立场,另一大芯片巨头英特尔则激进得多。这主要缘于英特尔曾在先进芯片工艺决策上的失误,导致其在首款极紫外光刻设备使用上要晚于台积电、三星等竞争对手。
这使得英特尔在最先进芯片工艺产能上要落后于台积电、三星,甚至不得不将约30%的晶圆生产外包给了其他代工厂,其中包括其最大竞争对手之一台积电。目前,英特尔也意识到了这个严重的失误。
同时,英特尔从2021年开始决定重新进入芯片代工市场,也作为重要的企业发展战略重点推进。但2023年英特尔芯片代工业务亏损70亿美元,甚至在2023年第四季度跌出了全球晶圆代工排名前十。
此外,英特尔最近也获得了美国政府提供的85亿美元政策补贴和110亿美元贷款,有底气进行大规模的产能扩张。
因此,在最新一代EUV光刻设备采购上,目前英特尔最为积极,决心通过最新EUV设备导入,实现晶圆代工业务“翻盘”。
今年4月,英特尔宣布,已开始组装阿斯麦(ASML)的高数值孔径(High-NA)极紫外(EUV)光刻机。
截至2025上半年,英特尔已获得ASML生产的大部分高数值孔径极紫外(EUV)设备。目前英特尔正在俄勒冈州工厂启动并运行第一台高数值孔径机器,但预计要到2025年才能全面投入运行。
相对而言,尽管韩国三星和SK海力士也在犹豫,但预计将在2025年下半年的某个时候获得最新光刻设备。
而张晓强拒绝评论台积电何时开始从ASML订购高数值孔径机器。他同时指出,使用新的ASML技术将取决于它在哪里最具有经济意义以及“我们可以实现的技术平衡”。他认为,工厂的运营成本,包括建筑、工具、电力和原材料等成本“不断上升”,“这对整个行业来说是一个集体挑战”。
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