近日，国内首次验证了3D硅基光电芯粒架构，实现了单片最高达8×256Gb/s的单向互连带宽。
近日，国家信息光电子创新中心宣布，和鹏城实验室的光电融合联合团队完成了2Tb/s硅光互连芯粒（chiplet）的研制和功能验证，在国内首次验证了3D硅基光电芯粒架构，实现了单片最高达8×256Gb/s的单向互连带宽。
2Tb / s 硅基 3D 集成光发射芯粒 图源：NOEIC
据介绍，团队在2021年1.6T硅光互连芯片的基础上，进一步突破了光电协同设计仿真方法，研制出硅光配套的单路超200G driver和TIA芯片。
同时还攻克了硅基光电三维堆叠封装工艺技术，形成了一整套基于硅光芯片的3D芯粒集成方案。
接收芯粒
经系统传输测试，8个通道在下一代光模块标准的224Gb/s PAM4光信号速率下，TDECQ均在2dB以内。
8×224Gb / s 硅基光发射芯粒输出眼图
通过进一步链路均衡，最高可支持速率达8×256Gb/s，单片单向互连带宽高达2Tb/s。
硅光互连芯粒的侧向显微镜结构
目前在芯片技术的发展过程中，随着芯片制程的逐步缩小，互连线引起的各种效应成为影响芯片性能的重要因素。
而硅光子技术可以将电换成传输速度更快的光，实现更快的传输速率、更远的传输距离以及更低的功耗和延迟。
据悉，华为、台积电、英特尔、IBM、Oracle等巨头都在推进硅光的产业化。
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