三星首款3nm芯片开始量产，Galaxy S25有望首发

据外媒报道，三星电子首款3nm Gate All Around（GAA）工艺的片上系统（SoC）即将量产，预计该芯片预计将用于Galaxy S25系列。

三星自 2022 年底以来一直少量生产 3nm 芯片，但那些芯片主要用于加密货币挖矿，相对简单。而此次量产的芯片则代表了三星 Foundry 在高性能移动芯片领域的重大突破。 

与新思科技深度合作

据悉，这款高性能移动芯片包括CPU、GPU和新思科技（Synopsys）的多个IP块。据报道，三星使用Synopsys.ai EDA软件来对整个芯片制造过程进行微调，提高了芯片性能、产量和良率。

早在2021年三星宣布3nm GAA流片成功时，《电子工程专辑》就曾撰文分析其与新思科技的合作。参考阅读：《三星3nm GAA芯片流片成功，性能优于台积电的3nm？》

此外，工程师还使用Synopsys Fusion Compiler（电子设计自动化工具）来实现更高的性能、更低的功耗并优化芯片面积（PPA）。

三星和新思科技声称，后者的设计自动化工具有助于将芯片的频率提高300MHz，同时将功耗降低10%。

这些工具包括设计分区优化、多源时钟树综合（MSCTS）、智能线优化和更简单的分层方法。

三星系统 LSI 部门副总裁 Kijoon Hong 表示：“我们与 Synopsys 的长期合作一直引领着 SoC 设计的前沿。此次合作成功实现了最先进的移动 CPU 内核和 SoC 设计的最高性能、功耗和面积优化，这是一个了不起的里程碑。我们不仅证明了 AI 驱动的解决方案可以帮助我们在最先进的 GAA 工艺技术上实现 PPA 目标，而且通过此次合作，我们还建立了一个超高生产力的设计系统，并持续取得令人印象深刻的成果。”

或采用第二代GAA工艺

三星以前生产的芯片在持续使用情况下，常常会出现耗电量大和性能下降的问题，如今三星推出的GAA技术，有望解决这类问题。

GAA设计被称为MCBFET，即多信道桥式FET。三星称，与传统3nm芯片相比，自家3nm GAA设计的产品功率损耗可降低50%，性能也将得到改善，与之前的4nm FinFET工艺相比，能效和密度有着20%至30%的提升。

目前尚不清楚该芯片具体采用的是三星 Foundry 的第一代 (SF3E) 还是第二代 (SF3) 3nm GAA 工艺。考虑到智能手机芯片的复杂性，推测很可能是采用更适合复杂芯片的第二代工艺。

按照计划，三星接下来会大规模生产下一代Soc，这颗芯片应该是传闻中的Exynos 2500，Galaxy S25系列将会首发搭载，其性能对标高通骁龙8 Gen4以及联发科天玑9400，后两款芯片则是采用台积电3nm工艺。

除了旗舰手机，三星自家的Galaxy Watch 7系列智能手表也有可能会搭载3nm芯片。