台积电计划于2026年量产1.6纳米芯片，或最先用于AI

4月24日，台积电在美国加州圣克拉拉举行的北美技术论坛上，发表一种名为TSMC A16（相当于1.6纳米）的新型芯片制造技术，预计于2026年量产。

据悉，台积电在论坛上披露其最新的制程技术、先进封装技术、以及三维集成电路（3D IC）技术，凭借此领先的半导体技术来驱动下一代人工智能（AI）的创新。

其中，台积电A16技术结合领先的纳米片晶体管及创新的背面供电（backside power rail）解决方案，可以大幅提升逻辑密度及性能。台积电表示，相较于N2P制程，A16在相同Vdd（工作电压）下，速度增快8-10%，在相同速度下，功耗降低15-20%，芯片密度提升高达1.10倍，以支持数据中心产品。

因AI技术对算力需求的增长，台积电开发新的A16芯片制造工艺的速度比预期更快。这意味着人工智能(A)芯片制造商可能是A16芯片技术的第一批采用者，而不是智能手机制造商。

对此，台积电执行副总经理暨共同营运长米玉杰在论坛上表示，该技术将从晶圆背面向运算芯片输送电力，有助于加快人工智能（AI）芯片的速度。

值得一提的是，尽管英特尔将第一个获得ASML的新型High NA(高数值孔径)EUV光刻机，但台积电无需采用该设备即可实现A16芯片量产。

此外，台积电也推出系统级晶圆(TSMC-SoW)技术，此创新解决方案带来革命性的晶圆级效能优势，满足超大规模资料中心未来对AI的要求。

目前，台积电的芯片工艺规划涵盖了从当前的3nm技术到未来的1nm技术的发展路径，包括A16、N2、N2P、A10等多个技术节点，旨在不断提升芯片的性能和效能，同时满足不同领域客户的需求。