台积电获美国66亿美元补贴，还将在美投建第三座2nm芯片工厂

4月8日消息，台积电在美国亚利桑那州的半导体投资项目将获得美国政府最高可达66亿美元的直接补助。根据一份不具约束力的初步备忘录（PMT），台积电还可以获得最高可达50亿美元的贷款。

值得一提的是，台积电还将在亚利桑那州新增第三座晶圆厂，这也使得其在美国的投资额从400亿美元增加到650亿美元以上。

台积电表示，第一座在美晶圆厂将提供4nm FinFET产能，目标 2025 年上半年启动量产；而其第二座在美晶圆厂将在3nm工艺外再引入2nm GAA工艺，2028年开始生产；第三座晶圆厂将在21世纪20年代底采用2纳米或更先进的制程技术进行芯片生产。

同时，台积电还计划向美国财政部就TSMC Arizona资本支出中符合条件的部分，申请最高可达25%的投资税收抵免。

台积电方面承诺，将在2030年之前实现第三座晶圆厂的投产，进而在亚利桑那州打造一个前沿半导体集群。预计台积电在美的整体投资将为亚利桑那州当地创造6000个直接工作岗位和数以万计的间接岗位，此外还有累计超20000个的单次建筑业相关岗位。

这一投资和补贴计划是美国政府推动“芯片制造回流美国”战略的一部分，旨在加强美国在全球半导体产业中的竞争力。而台积电获得的66亿美元补贴以及随后的投资扩展会显著增强其在美国的生产能力，特别是在先进半导体制造领域。这不仅有助于满足美国市场对高性能计算和先进电子产品的需求，也在一定程度上表明“芯片制造回流美国”战略进程加快。

不过，目前来看，台积电在美国建厂面临的挑战是多方面的，包括劳动力短缺、管理文化差异、高昂的成本、不友好的政策环境、进度落后和产能问题等。这些挑战需要台积电采取有效措施来克服，以确保其在美国的投资能够成功并实现预期目标。