随着国内电子产业的快速发展,物联网和5G技术对存储器提出了新的要求。在IIC Shanghai 2024国际集成电路展览会暨研讨会同期举办的“2024中国IC领袖峰会”上,东芯半导体副总经理陈磊以“新存致远 ,专注需求,驱动创芯动能”为主题,分析了存储产业目前的机遇与挑战,并分享了东芯半导体对存储器国产化所做出的成果。

在3C领域(消费、通讯、PC)中,非易失性的NAND flash存储占据主导地位,同时也在工业、汽车和医疗等高可靠性市场中发挥着重要作用。随着国内电子产业的快速发展,物联网和5G技术对存储器提出了新的要求。

在IIC Shanghai 2024国际集成电路展览会暨研讨会同期举办的“2024中国IC领袖峰会”上,东芯半导体副总经理陈磊以“新存致远 ,专注需求,驱动创芯动能”为主题,分析了存储产业目前的机遇与挑战,并分享了东芯半导体对存储器国产化所做出的成果。

存储产业机遇与挑战并存

存储器的市场波动具有显著的大宗商品特性,特别是大容量DRAM,其市场变动与大宗商品交易属性相似,呈现出明显的周期性变化,大约每3-4年为一个周期。2022年,整个存储器市场与2021年相比下降了6%,陈磊表示,尽管比例看似不高,但考虑到存储器占半导体市场的三分之一,其对半导体行业的冲击仍然显著。

尽管2023年的财报尚未发布,但预计整个存储器市场将有所回升,预计市场规模将达到约5400亿美金。对于2024年,一些调研机构持乐观态度,认为存储器市场将增长30%-40%,主要增长动力来自于DRAM和NAND flash,以及智能设备、手机服务器、AI服务器和汽车电子对存储器的强劲需求。因此,2024年对于存储器行业来说,将是一个上升的年份。

从供应商角度看,无论是易失性的DRAM还是非易失性的NAND flash,全球的主要供应商都相对集中。DRAM市场主要由三星、海力士和美光三家主导,其市场份额合计占据近95%,其余供应商在争夺剩余的5%市场份额。同样,在NAND flash领域,三星、海力士、美光、西部数据和铠侠也占据了95%的市场份额。

以中国每年从韩国进口的存储芯片金额为例,仅海力士和三星两家就达到800亿美金,显示出巨大的进口依赖和国产替代潜力。

结合上述这种高度集中的供应格局,意味着国内企业在这些领域的国产替代空间巨大。

此外,随着数据量的快速增长,存储器的重要性愈发凸显。

从PC时代到互联网时代,5G、AI、物联网等新兴技术飞速发展,再到如今的智能手机和人工智能时代,数据量正在以更加难以计量的速度爆发。据IDC公布的《数据时代2025》显示,从2016年到2025年全球总数据量将会增长10倍,达到163ZB。智能手机的存储容量也从16GB增加到128GB甚至更高。

无论是个人设备上的数据存储,还是数据中心和人工智能训练所需的大量存储空间,都对存储器的性能提出了更高要求。

因此,高性能和低功耗成为了当前存储器发展的两大关键趋势。

特别是随着新能源汽车的兴趣与大范围普及,汽车行业呈现出智能化、电动化、网络连接化、共享化的新四化特征。

车规级存储器也成为了新兴领域,大容量、高可靠的存储产品需求呈现爆发式增长的态势。但值得注意的是,数据显示2023年中国汽车芯片对外依存度高达95%,国产化率很低,因此,车规级芯片市场具有巨大的发展前景和国产替代空间。

东芯半导体的存储器国产化之路

为了推进存储器国产化,中国政策大力扶持,发表了一系列半导体发展纲要,以支持存储芯片产业不断向前发展。

国家政府在半导体特别是存储器领域花了很多精力,2014年国家发布了所谓的半导体发展纲要,顺应国家对半导体和存储器领域国产化需求,东芯半导体2014年成立。

发展至今,东芯半导体已成长为本土拥有自主知识产权的专注于中小容量存储芯片研发设计公司,作为Fabless芯片企业,东芯聚焦中小容量NAND Flash、NOR Flash、 DRAM的研发、设计和销售,是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的本土存储芯片研发设计公司。

目前,东芯已从单纯的存储器“存储”功能,逐步拓展至“连接”领域,并在国内外建立了多个研发中心,包括上海和韩国首尔等地。同时,也在积极拓展下游应用领域,与各类客户建立合作关系。

据陈磊介绍,东芯目前的NAND Flash工艺已从38nm发展到28nm,目前正在研发更适合的纳米工艺。NOR Flash方面则已从65nm进展至55nm,随着48nm。封装测试方面,东芯在上海、无锡、中国台湾和韩国均设有生产线,能够灵活交付各类产品。

东芯的产品线十分丰富,涵盖了SPI NAND Flash、PPI NAND Flash、NOR flash、DDR3和LPDDR等DRAM产品,以及MCP模块产品,主要面向模块化客户。陈磊也别强调到:“我们的产品均为正向设计,具有独特优势。例如,SPI NAND Flash采用单芯片设计,性价比优越,能缩短制造周期,加快交付速度。”

在NOR Flash领域,东芯坚持采用低功耗ETOX工艺,因其产品可靠性高,特别适用于工业、车规等高性能应用场景。

在DDR产品方面,东芯已能提供从1Gbit到4Gbit的DDR3标准产品,并正在研发LPDDR1/2/4X系列,这些产品均基于5G基带开发。

在应用端,东芯的产品广泛应用于工业控制、电力集操器、电力电子、网通基站、光猫、5G CPE、安防IPC、物联网穿戴式产品、集抄器以及汽车电子等领域。

今年2月,东芯还专门成立了WIFI 芯片领域团队,致力于WIFI7和射频技术的研发。

从整个公司运营角度看,东芯在存储产业领域始终致力于推动国产化设计,已形成了从产品研发、生产到客户服务的完整闭环。产品研发紧密贴合市场需求,品质控制从Fab到封装测试均有严格流程保障,并致力于深化与国内各行业和客户的合作。

陈磊表示:“我们怀揣着将上下游资源有效整合的愿景,力求构建一条完整且全国产化的供应链体系。这一体系将涵盖从产品设计、晶圆制造到后端封装测试的全过程,旨在确保每一环节都能达到最高标准,最终实现产品的精准、高效交付。我们坚信,通过这一系列的努力,将能够为客户提供更加可靠、高效的存储解决方案,共同推动存储产业的繁荣发展。”

责编:Demi
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