传SK海力士斥资40亿美元，赴美建HBM新封测厂

电子工程专辑讯 近日，有消息称SK海力士将投资40亿美元在美国印第安纳州西拉斐特建造一座先进芯片封装厂，瞄准当前市场上高需求的HBM芯片，并计划于 2028 年投产。

SK海力士表示公司仍在评估在美国设厂的可能性，目前尚无定论。

SK海力士作为美国芯片大厂英伟达在HBM芯片的重要供应商，如若该厂真的确定下来，工厂投产后，将有助于英伟达在美国本土供应链生产GPU等关键零组件。而且台积电在美国亚利桑那州也有晶圆厂在建，这将有助于美国半导体产业链的完善。

据悉，SK海力士预定的厂址邻近普渡大学(Purdue University)，预料将创造800~1,000份工作机会。普渡大学的半导体及电子工程学系规模在全美名列前茅。虽然台积电和英特尔生产设施所在的亚利桑那州也在SK海力士的考虑范围内，但基于通过普渡大学获取高级芯片人才的优势，最终选择了印第安纳州。

同时，美国政府的支持对于SK海力士的这项投资至关重要，可能会提供在美国当地建厂的州以及联邦税收的优惠。而且SK海力士也能获得稳定的HBM客源。

SK海力士表示：“尚未确定方案，生产设施的候选地址是美国全境。” SK海力正在慎重讨论工厂选址问题，预计将在今年内得出结论。

SK 海力士工厂将成为美国第一家大规模HBM 封装的主要工厂。不过在成本上，预估SK 海力士在美国建造封装工厂的成本将比在韩国建造类似工厂高出约30% 至35%，因此美国政府的资金补贴也是建厂的关键。