SK海力士超高性能AI存储器HBM3E，全球首次投入量产并开始向客户供货

• 继HBM3，其扩展版HBM3E也率先进入量产阶段
• 研发完成后仅隔7个月开始向客户供货，期待能实现最高性能的AI
• “将维持用于AI的存储技术全球领先地位，并巩固业务竞争力”

韩国首尔，2024年3月19日 – SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）今日宣布，公司率先成功量产超高性能用于AI的存储器新产品HBM3E*，将在3月末开始向客户供货。这是公司去年8月宣布开发完成HBM3E后，仅隔7个月取得的成果。

* HBM（High Bandwidth Memory）：垂直连接多个DRAM，与DRAM相比显著提升数据处理速度的高附加值、高性能产品。HBM DRAM产品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发。 HBM3E是HBM3的扩展（Extended）版本

SK海力士表示，“继HBM3，公司实现了全球首次向客户供应现有DRAM最高性能的HBM3E。将通过成功HBM3E的量产，巩固在用于AI的存储器市场上的竞争优势。”

为了实现一个需要快速处理大量数据的AI系统，芯片封装必须以多重连接（Multi-connection）多个人工智能处理器和存储器的方式进行构建。因此，近期对AI扩大投资的全球大型科技公司持续提高对AI芯片性能的要求。SK海力士坚信，HBM3E将成为可满足这些要求的现有最佳产品。

HBM3E不仅满足了用于AI的存储器必备的速度规格，也在散热等所有方面都达到了全球最高水平。此产品在速度方面，最高每秒可以处理1.18TB（太字节）的数据，其相当于在1秒内可处理230部全高清（Full-HD，FHD）级电影。

而且，由于用于AI的存储器必须以极快的速度操作，因此关键在于有效的散热性能。为此，公司在新产品上适用Advanced MR-MUF**技术，散热性能与前一代相比提升了10%。

** MR-MUF：将半导体芯片堆叠后，为了保护芯片和芯片之间的电路，在其空间中注入液体形态的保护材料，并进行固化的封装工艺技术。与每堆叠一个芯片时铺上薄膜型材料的方式相较，工艺效率更高，散热方面也更加有效。

SK海力士HBM业务担当副社长柳成洙表示，“公司通过全球首次HBM3E投入量产，进一步强化了领先用于AI的存储器业界的产品线”，还表示，“以至今积累的HBM业务成功经验为基础，将进一步夯实与客户的关系，并巩固‘全方位人工智能存储器供应商’的地位。”