电子工程专辑讯 近日,据彭博社消息称,三星电子将获得美国《芯片法案》超60亿美元的补贴,援引知情人士称,美国政府做出这一计划是支持三星在德克萨斯州的项目投资。彭博社补充道:“美国联邦政府的资金支援将与美国国内相当规模的追加投资并行”,“不确定追加投资将在何处执行。”不过这一金额超过了美国政府计划向台积电补贴的50亿美元。
2021年,三星计划在美国德克萨斯州泰勒市投资170亿美元来建设晶圆代工新工厂,据悉,由于美国当地建设费用都有所提升等原因,该新工厂预计到竣工为止,三星的投资金额将增加至200亿美元左右。
台积电计划在美国亚利桑那州新建两座工厂,总投资高达400亿美元,第一座晶圆厂原计划将在2024年投产;第二座晶圆厂也将尽快在2026年投入生产3nm工艺的芯片。不过台积电已经宣布,将推迟在美国亚利桑那州工厂的投产时间,台积电董事长刘德音(Mark Liu)表示,台积电在亚利桑那州斥资400亿美元的第二工厂投资项目遇到了挑战,不过工厂的建设依旧在继续,台积电只是将工厂落成时间线推迟至2027年或2028年,同时,该工厂将生产的芯片类型也尚未确定,这将受到客户需求以及政府相关鼓励措施的影响。
在这种情况下,三星电子获得的补助金比台积电更多,有可能与三星投资进行速度和追加投资有关。三星电子以今年年末启动为目标,正在加快工厂建设速度。相反,台积电将工厂开工时间从年末推迟到明年上半年,第二家工厂的开工时间也被推迟。拉蒙多部长上个月表示:“决定把优先顺序放在2030之前能开始运营的项目上”,“为了支援10年后才能开工的项目,拒绝今年能取得成果的项目是没有责任感的。”
尽管美国期望通过补助金来刺激更多芯片大厂来美国本土建厂,增强产能扩增,但美国却在补贴这件事上一直不尽如人意。
据悉,英特尔获得35亿美元的拨款补助,资金为期三年,将主要用于“Secure Enclave”(安全隔离区)计划,其中,负责根据《芯片和科学法案》拨款的美国商务部此前只负责其中的10亿美元,有消息称,美国国防部终止了向半导体巨头英特尔拨款25亿美元的计划,并将弥补缺口的责任推给了美国商务部。
微芯科技在今年获得了1.62亿美元,其中9000万美元用于改善其位于科罗拉多州的工厂,另外7200万美元用于扩建位于俄勒冈州格雷沙姆的工厂。格芯获得了15亿美元,用于扩大其在纽约马耳他的现有晶圆厂。
美国商务部长雷蒙多表示,大多数寻求美国政府补贴的芯片公司,最后得到的补贴将大大低于他们申请的数额,因为美国政府收到了累计600多份意向书,超过700亿美元的补贴,是计划发放补贴规模280亿美元的两倍多。
美国商务部目前优先考虑扶持那些将在2030年投入运营的项目,而不再喜欢长期项目。