ASML新型High-NA EUV取得新进展，2028年预计年产20台

近日，英特尔技术开发负责人Ann Kelleher在圣何塞举行的SPIE光刻会议上提到，他们已经在ASML新型高数值孔径(High NA) EUV光刻机上实现了“初次曝光”里程碑。这一技术突破对于半导体行业来说具有重要意义，因为它预示着更先进的芯片制造技术即将到来。

高数值孔径EUV光刻系统被认为是下一代芯片制造的关键技术之一。它能够在更小的芯片上蚀刻更精细的电路，从而使芯片能够变得更加强大和节能。其中，“初次曝光”即是指光刻系统首次成功将光线图案投射到晶圆上。

而实现“初次曝光”里程碑意味着ASML已经成功验证了其高数值孔径EUV光刻机的技术可行性，并且已经开始进入实际的生产测试阶段。这一进展对于ASML和整个半导体行业来说都是一个重要的里程碑，它将推动半导体制造技术不断向前发展，为未来的芯片制造带来更加广阔的可能性。

对此，ASML也予以证实，并表示接下来将继续测试和调整该系统，使其能够发挥其全部性能。

图源：AMSL

实际上，ASML最近曾在其荷兰总部首次展出一台新型“High NA EUV”光刻机。该公司称，这款设备耗资3.5亿美元（约合25亿元人民币），主要面向英特尔等高端半导体制造商。阿斯麦预计今年将出货一部分，但在定制和安装方面仍有工作要做。

ASML透露，该公司截至目前已收到包括英特尔和SK海力士在内数家公司的“10到20”个订单，并计划到2028年每年生产20台。目前，台积电、三星都将在未来几年里引入该设备。英特尔也表示，计划在其14A代芯片的生产中使用该工具。

据悉，ASML的High-NA Twinscan EXE光刻机代表了该公司技术的巅峰，每台设备重达150吨，相当于两架空客A320客机，需要250个集装箱运输，运到客户手里后还要再由250名工程师花费六个月的时间组装。

目前，第一个高数值孔径工具位于荷兰Veldhoven的ASML实验室，第二个工具正在俄勒冈州希尔斯伯勒附近的英特尔工厂组装。