各大存储厂商之所以不断研发更大层数的内存产品，根本在于AI、大数据等技术发展，催生大容量存储产品（如SSD）的需求。而3D NAND Flash、4D NAND Flash可提供更大存储空间满足了业界日益增长的存储需求，因而逐渐受到大厂重视。
最近几年，即使在产业周期性波动中，半导体存储层数的竞争一直未间断过。近日，有外媒报道，在ISSCC 2024（IEEE 国际固态电路会议）期间，三星将展示几项内存技术创新成果，其中包括第9代280层V-NAND闪存。
与传统的2D NAND闪存相比，3D NAND闪存的容量更大，可靠性更高，能够更好地满足不断增长的数据存储需求。三星的第9代280层V-NAND闪存采用了3D QLC技术，可以在单个芯片中存储1Tb（128GB）的数据，并且采用了先进的控制算法和固件优化，以提高性能和可靠性。
根据外媒报道，三星正在准备发布的第9代V-NAND技术的产品，为1Tb（128GB）QLC 3D NAND闪存芯片，达到了280层，相比第8代V-NAND技术的236层有了进一步的提高，其存储密度达到了28.5Gb mm2。同时，该产品的I/O速率达到了3.2 Gbps，相比第8代V-NAND技术的2.4 Gbps也要快得多。
毫无疑问，层数之争才刚刚开始。2023年8月，SK海力士对外展示全球最高层321层NAND闪存样品，一跃成为业界首家正在开发300层以上NAND闪存的公司，计划于2025年量产。据悉，SK海力士321层1Tb TLC NAND的效率比上一代238层512Gb提高了59%。
而美光则计划232层之后推出2YY、3XX与4XX等更高层数产品。三星雄心壮志计划2030年V-NAND可以叠加到1000多层。铠侠和西部数据在162层之后，2023年对外展示了218层技术，之后也将研发300层以上的3D NAND产品。
各大存储厂商之所以不断研发更大层数的内存产品，根本在于AI、大数据等技术发展，催生大容量存储产品（如SSD）的需求。
在2D NAND平面时代，厂商主要依靠工艺进行扩容。不过，再先进的制程工艺在单位面积下的存储密度也是存在极限的，而且随着制程提升，存储密度增加，相邻存储单元格电荷干扰问题也就越严重，进而导致数据处理错误率提升以及使用寿命减少等问题。闪存通过从平面走向立体，堆叠层数不断增加，来提升闪存芯片容量与性能，成为解决以上瓶颈的重要技术路径之一。
与传统平面架构2D NAND Flash相比，3D NAND Flash、4D NAND Flash可提供更大存储空间满足了业界日益增长的存储需求，因而逐渐受到大厂重视。不过，要想实现更高层数的NAND Flash并非易事，需要考虑坍塌、弯曲、断裂等诸多稳定性问题，此外还需要克服连接孔加工工艺、最小化电池干扰、缩短层高以及扩大每层存储容量等挑战。
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