台积电机台开发先进工艺遭泄密

电子工程专辑讯 近日，台积电有一起关于机台开发机密遭到泄密被披露，该泄密人员也已被起诉。

据悉，该泄密的工作人员是台积电的制造技术研发专案部门的陈姓女技术副理，据起诉书指出，陈女在2020年底到台积电担任制造技术研发专案部门技术副理，主要是负责研究与开发微影工程生产管理专家系统专案任务，因职务机会取得机台开发、改善机台效能经验累积最先进工艺等重要机密信息。

不过，台积电对工艺的相关关键技术均依“台积电机密资讯保护政策”等保密规定，非相关业务需要无法接触或取得，且非经台积电同意不得揭露予他人，未经授权亦不得自公司携出，属台积电工商秘密。

也就是说，在没有取得台积电允许的情况下，是禁止将这些敏感信息泄漏。 陈女在明知台积电对于工商秘密保护的要求与规定，由于工作便利，仍在2021年1月将取得的工商秘密，上传至网络云端空间个人帐号，还将该工商秘密制作成蜘蛛网状示意图，并开放权限供友人观览，再用私人电子信箱传送给该友人，再由该友人透过电子信箱传送出去，检方依刑法无故泄露工商秘密罪嫌将陈女起诉。

新竹地检署依刑法无故泄露工商秘密罪嫌将林女起诉，全案移审新竹地院后， 陈女因和台积电于审理中成立调解，台积电具状撤回告诉，法官最后判决全案公诉不受理。

至于台积电被泄露的先进工艺到底是哪个节点，以及更多的具体信息，却并未公开。

芯片产业历来极其依赖知识产权，关于企业商业机密被泄漏起诉的，近几年频频发生，比如三星电子前高管被指控违反了韩国《产业技术保护法》和《不正当竞争防止法》，该高管涉嫌从2018年8月至2019年以不当手法获取并使用三星电子半导体工厂基本工程数据（Basic Engineering Data）、工艺流程图、设计图等信息。涉案技术为用于制造30纳米以下动态随机存取存储器（DRAM）和闪存芯片（NAND）的制程工艺，属于国家关键技术。

韩国最高法院监督的韩国量刑委员会决定，对泄露韩国技术的行为，将加重处罚并延长监禁时间。

近日，上海警方成功侦破一起侵犯芯片技术商业秘密案，抓获犯罪嫌疑人14名，查扣存储侵权芯片技术的服务器7台。经查，2021年2月，权利公司原高管张某、刘某等人为牟取非法利益，在离职后设立某科技公司，以支付高薪、股权利诱等方式，诱导多名原权利公司研发人员跳槽至其公司，并指使这些人员在离职前通过摘抄、截屏等方式非法获取权利公司芯片技术信息，抄袭并运用于张某公司设计的同类型芯片上，企图以此非法牟利。

包括中国台湾地区通过了所谓的《安全法》的修正法案，增订经济间谍罪，以防止竞争对手的经济间谍活动，窃取其芯片等核心技术。